（文/羅葉馨梅）2025年11月12日，隨著AI計算功耗的不斷增長，碳化硅（SiC）逐漸成為AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元的重要材料，主要用于交直流轉(zhuǎn)換階段。通過降低能耗、優(yōu)化散熱和提升功率密度，碳化硅打破了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用天花板，拓展了其在AI數(shù)據(jù)中心的市場潛力。

AI服務(wù)器在計算需求日益增長的背景下，功耗越來越高。為此，數(shù)據(jù)中心需要采用更高功率的供電架構(gòu)，提高各環(huán)節(jié)的效能和功率密度。SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料因其高擊穿電場、高遷移率等特點，可以在更高溫度和電壓下工作，從而提升電力轉(zhuǎn)換效率，降低能耗與成本。

目前，頭部廠商正積極推動SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用，以滿足高性能計算需求。東方證券指出，隨著AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心大功率供電需求的持續(xù)增長，SiC/GaN材料有望在未來得到更加廣泛的應(yīng)用，推動行業(yè)從傳統(tǒng)硅材料向更高效能、更高功率的半導(dǎo)體技術(shù)過渡。

相關(guān)上市公司方面，天岳先進表示，其客戶英飛凌和安森美已經(jīng)成功進入英偉達等行業(yè)巨頭的供應(yīng)鏈，為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施提供支持，成為行業(yè)的重要組成部分。

三安光電則在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上深耕，涵蓋晶體生長、襯底制備、外延生長、芯片制程及封裝測試等環(huán)節(jié)。其碳化硅產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁及AI和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等多個領(lǐng)域，進一步拓展了第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范圍。

業(yè)內(nèi)人士認為，隨著AI數(shù)據(jù)中心和智能計算的持續(xù)發(fā)展，SiC/GaN在功率轉(zhuǎn)換、散熱和電源管理等方面的優(yōu)勢將進一步凸顯，預(yù)計這些材料將在未來幾年內(nèi)成為行業(yè)標準，推動AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)升級。（校對/秋賢）