7 月 21 日消息，三星計劃在本月底向AMD和英偉達(dá)等客戶提供HBM4樣品，將在HBM市場挑戰(zhàn)SK海力士的主導(dǎo)地位。

據(jù)悉，三星將采用10納米級第六代DRAM工藝（1c）來開發(fā)更精密、良率更高的HBM4，以改變SK海力士在HBM3E市場上的獨家供應(yīng)地位。此前，三星在HBM3方面的推進較為遲緩，未能及時通過英偉達(dá)的認(rèn)證，導(dǎo)致其在HBM3E市場中未能打入英偉達(dá)的主流供應(yīng)鏈。

三星此次推出的HBM4樣品不僅在技術(shù)上有所突破，還在量產(chǎn)時間上有所提前。三星計劃在2025年底實現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)，并從明年起與SK海力士展開全面競爭。與此同時，SK海力士也在加速HBM4的開發(fā)和量產(chǎn)進程，計劃在2025年下半年正式量產(chǎn)HBM4，并為英偉達(dá)的Rubin GPU平臺提供支持。

盡管三星在HBM3E的驗證過程中遇到了一些困難，但其在HBM4的開發(fā)中表現(xiàn)出了更強的競爭力。根據(jù)此前信息，三星計劃在8月交付更高堆疊的HBM4 16Hi樣品。這一系列動作表明，三星正在積極爭取在HBM4市場中占據(jù)一席之地，并希望通過與客戶的合作來擴大市場份額。

三星在HBM4市場上的競爭不僅限于技術(shù)層面，還涉及供應(yīng)鏈和制造能力。三星計劃在平澤P4廠及華城17產(chǎn)線進行1c DRAM的設(shè)備投資與制程轉(zhuǎn)換，為HBM4的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。

目前，SK海力士、三星、美光科技均推出了HBM4樣品。隨著這些存儲原廠紛紛推進HBM4的研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計將會對AI芯片存儲市場產(chǎn)生重大影響。特別是對于英偉達(dá)等AI加速器制造商而言，HBM4的引入意味著更高的性能和效率，同時也可能帶來成本上的競爭優(yōu)勢。此外，隨著更多廠商進入HBM市場，供應(yīng)鏈的多元化可能會削弱單一供應(yīng)商的壟斷地位，并促使價格下降。

目前，SK海力士幾乎壟斷了英偉達(dá)的HBM訂單，占據(jù)了80-90%的份額。對此，投資銀行高盛也表示：“由于競爭加劇，預(yù)計明年HBM的價格將下跌10%。HBM的定價權(quán)將從制造商轉(zhuǎn)移到以英偉達(dá)為代表的客戶手中”。

即便三星未能及時通過英偉達(dá)的相關(guān)認(rèn)證，市場上的競爭態(tài)勢依然可能導(dǎo)致HBM的價格下降。這是因為美光科技也已經(jīng)通過了英偉達(dá)的認(rèn)證，成為了另一個可選供應(yīng)商。英偉達(dá)可以利用這一情況作為談判籌碼，促使SK海力士降低價格以保持其市場份額。