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三星加購(gòu)兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī),增強(qiáng)2nm代工工藝

2025-10-20 來(lái)源:愛(ài)集微
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關(guān)鍵詞: 三星EUV投資 High NA EUV設(shè)備 EUV光刻機(jī) 2nm 三星

據(jù)報(bào)道,三星電子正在加大對(duì)極紫外(EUV)光刻設(shè)備的投資,計(jì)劃為其存儲(chǔ)部門(mén)新增五套設(shè)備,同時(shí)為其晶圓代工部門(mén)新增兩套高數(shù)值孔徑(High NA)EUV設(shè)備。隨著DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)制造商競(jìng)相擴(kuò)大下一代產(chǎn)能,此舉將使三星在預(yù)期的存儲(chǔ)超級(jí)周期中占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)報(bào)道,三星計(jì)劃為其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部署五套新的EUV設(shè)備,打造專(zhuān)用生產(chǎn)線,旨在提高效率和工藝專(zhuān)注度。此項(xiàng)投資與其近期在晶圓代工業(yè)務(wù)中擴(kuò)充High NA EUV設(shè)備規(guī)模的舉措相呼應(yīng),這一協(xié)同舉措凸顯了三星在存儲(chǔ)和邏輯制造領(lǐng)域的雙軌戰(zhàn)略。

業(yè)內(nèi)人士指出,三星位于平澤的晶圓代工廠和存儲(chǔ)生產(chǎn)線此前曾共用EUV設(shè)備。新計(jì)劃賦予存儲(chǔ)部門(mén)五套專(zhuān)用系統(tǒng)的獨(dú)家使用權(quán)。同時(shí),兩套High NA EUV設(shè)備將用于2nm生產(chǎn),其中一套將部署在華城廠區(qū),另一套則可能部署在得克薩斯州泰勒晶圓廠,具體取決于北美主要客戶(hù)的新訂單。

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,一套標(biāo)準(zhǔn)EUV設(shè)備的成本約為3000億韓元(約合人民幣15億元),而一套High NA EUV設(shè)備的成本約為5500億韓元(約合人民幣28億元)。因此,三星在EUV方面的總支出約為2.6萬(wàn)億韓元。這項(xiàng)大膽的投資彰顯了其緊跟SK海力士步伐的決心,后者也在2026年前提升EUV產(chǎn)能和DRAM產(chǎn)量。

三星最新的EUV擴(kuò)張將增強(qiáng)傳統(tǒng)DRAM和尖端HBM的生產(chǎn),而HBM是人工智能(AI)推動(dòng)的半導(dǎo)體軍備競(jìng)賽中的關(guān)鍵前沿。

據(jù)報(bào)道,三星投資約1.1萬(wàn)億韓元購(gòu)買(mǎi)ASML最新的High NA EUV光刻機(jī)——Twinscan EXE:5200B,其中一臺(tái)將于2025年底交付,另一臺(tái)將于2026年初交付。這將是三星在華城進(jìn)行有限的研發(fā)部署后,首次將High NA EUV光刻機(jī)用于全面生產(chǎn)。

與傳統(tǒng)的EUV光刻機(jī)相比,下一代High NA EUV光刻機(jī)可提供1.7倍更精細(xì)的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度。憑借40%的光學(xué)精度提升,它們能夠生產(chǎn)出密度更高、更節(jié)能、性能更強(qiáng)大的芯片:這對(duì)于2nm代工工藝和先進(jìn)的存儲(chǔ)制造至關(guān)重要。

據(jù)報(bào)道,三星積極采用High NA EUV光刻機(jī),標(biāo)志著其在兩年的克制之后,資本支出戰(zhàn)略發(fā)生了決定性轉(zhuǎn)變。三星搶在臺(tái)積電之前獲得這些工具,表明其對(duì)其制造實(shí)力重拾信心。臺(tái)積電計(jì)劃僅在其1.4nm節(jié)點(diǎn)上部署這些工具。英特爾和SK海力士也已引入High NA EUV技術(shù),而三星在晶圓代工和存儲(chǔ)部門(mén)的部署,凸顯了其在邏輯和存儲(chǔ)創(chuàng)新方面意義深遠(yuǎn)的協(xié)調(diào)努力。

預(yù)計(jì)三星將為2nm晶圓代工節(jié)點(diǎn)部署其High NA EUV光刻機(jī),并可能服務(wù)于特斯拉價(jià)值22萬(wàn)億韓元的AI6半導(dǎo)體項(xiàng)目等重要合同。在存儲(chǔ)領(lǐng)域,同樣的技術(shù)將支撐垂直通道晶體管(VCT)DRAM和第六代HBM4的開(kāi)發(fā)。三星在HBM4 11Gbps數(shù)據(jù)速率方面處于領(lǐng)先地位。

10月14日,在圣何塞舉行的半導(dǎo)體會(huì)議上,三星公布了其下一代HBM4E的計(jì)劃,目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)每引腳13Gbps的數(shù)據(jù)速率。分析人士認(rèn)為,該公司的綜合推動(dòng)措施(涵蓋High NA EUV投資、獨(dú)立存儲(chǔ)生產(chǎn)線和HBM4E路線圖)明確表明三星正準(zhǔn)備全力以赴,引領(lǐng)即將到來(lái)的存儲(chǔ)超級(jí)周期。




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