PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。本期，合科泰給大家介紹一款P溝道MOS管IRLML6402，它在穩壓器、開關電路、電源、電壓調節、智能血壓計、智能家電等上面有著廣泛的應用。

IRLML6402的特性

合科泰生產的這款產品是一款低壓MOS管，它具有很好的電學特性，IRLML6402具有超低的導通電阻，該MOS管的開啟和關閉迅速，它的穩定性和可靠性非常好。它采用P溝道制作，漏源電壓-20V，柵源電壓±12V，連續漏極電流-3.7A，漏源導通電阻0.065Ω，最小柵極閾值電壓-0.4V，最大柵極閾值電壓-1.2V，耗散功率1300mW。IRLML6402導電性能優異，響應速度極快，整機重量約0.008克，非常輕巧。這些性能使得IRLML6402在MOS管驅動電路、開關電路、穩壓電路等上面具有良好的表現。

這款產品采用了SOT-23封裝，SOT23封裝是一種非常小型表面貼裝封裝，SOT23封裝產品具有緊湊的尺寸、良好的散熱性能，堅固耐用，工作效率很高，為工程師提供了更多靈活性。它的適應性極強，在物聯網設備、電源、家電、藍牙設備、手機、平板等領域應用廣泛。SOT23封裝的尺寸很小，適用于有限空間的電路設計。IRLML6402有3個引腳，這些引腳用于連接器件的電氣和機械連接。

SOT23封裝采用SMT技術，它的引腳直接焊接到印刷電路板表面，而不需要通過孔穴。這種設計簡化了制造過程，有助于提高生產效率。散熱性能好，IRLML6402的封裝設計允許器件在封裝外部散熱，有助于降低溫度并提高器件的穩定性。總之，IRLML6402是一款穩定、可靠的低壓MOS管，它的作用有開關、放大、穩壓調壓、電路保護等。

IRLML6402的應用

合科泰的這款產品功能完善，性能強大且穩定，可以在各種MOS電路中發揮關鍵作用。IRLML6402在穩壓器、電源、智能家電、電機控制、LED照明、可穿戴設備、便攜式電子設備、光伏發電等領域有很多應用。如IRLML6402的快速開關特性使得它在MOS開關電路上有著重要的作用。IRLML6402的重要漏電流可以做到3.7A，導電阻是極低的，這樣的性能使得它能在高效工作的同時，維持較低的熱損耗，能效高，減少總體設計的系統成本。在電池管理方面，IRLML6402的使用能明顯延長電池的壽命，提高電池設備的綜合性能。

以IRLML6402在雙電源切換電路上的應用為例，在光伏發電應用上，集成電路搭建了一種嵌入式系統電源，在傳統光伏發電系統上加入了智能充電控制芯片、最大功率跟蹤、雙電源切換功能、MOS管等，最大限度地延長了蓄電池的使用壽命，極大地提高了電源供電的效率，增強了系統的穩定性。

如上圖的雙電源切換電路包括充電電路和放電電路，充電控制電路利用光耦控制場效應管的柵極電壓，當圖示的充電控制端口的控制電平為低時，光耦TLP521-1導通，柵極電平為低，MOS管IRLML6402導通，反之則MOS管斷開，從而達到控制太陽能電池板電壓輸出的充電電壓對電池充電的效果。在放電控制電路應用上，它利用光耦控制場效應管的柵極電壓，當如圖示的放電端口的控制電平為低時，光耦導通，柵極電平為低，MOS管導通，反之MOS管斷開，從而達到控制電池輸出電壓的效果。

作為一款經典且實用的MOS管產品，IRLML6402是工程師需要詳細了解的典型產品。合科泰建議，客戶在購買IRLML6402元器件之前，需要了解自己產品的規格需求，確定您所需的IRLML6402元器件的規格，以滿足項目的要求。選擇穩定的供應商，做好品牌評估。確定供應商的IRLML6402性能以及供應狀況。作為一家專業生產MOS管產品的原廠，合科泰的IRLML6402經過了嚴格的質量控制和檢測，確保產品的穩定性和可靠性。