中商情報(bào)網(wǎng)訊：CVD（化學(xué)氣相沉積），指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。在大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過(guò)CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

市場(chǎng)規(guī)模

2019年受下游需求下降整體半導(dǎo)體景氣度下降影響，CVD設(shè)備需求出現(xiàn)較大幅度下滑，2020年以來(lái)5G帶動(dòng)智能手機(jī)需求回暖，整體半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需求回升，2020年CVD設(shè)備規(guī)模達(dá)85億美元。隨著汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)整體持續(xù)發(fā)展，半導(dǎo)體需求持續(xù)提升，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到96億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

目前PECVD占比最多，達(dá)46.9%，PECVD設(shè)備在相對(duì)較低的反應(yīng)溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實(shí)現(xiàn)更快的薄膜沉積速度；ALD也隨著先進(jìn)制程需求持續(xù)增長(zhǎng)占比有所提升，目前達(dá)17.7%左右。其次分別為L(zhǎng)PCVD、APCVD、MOCVD，占比分別為15.6%、14.6%、5.2%。

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