2022年全球NAND閃存存儲容量及應(yīng)用分布預(yù)測分析（圖）
2022-07-01
來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院
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關(guān)鍵詞： 芯片
中商情報網(wǎng)訊：Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。
存儲容量
隨著NAND Flash存儲原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術(shù)更新，市場存儲密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。全球NAND Flash存儲容量一直保持增長，從2017年的1620億GB增長至2020年的5300億GB，年均復(fù)合增長率達35.38%，預(yù)計2022年將達6110億GB。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
應(yīng)用分布
NAND Flash存儲晶圓的下游應(yīng)用主要以嵌入式存儲產(chǎn)品（如eMMC、UFS）及固態(tài)硬盤（如SSD、PSSD）產(chǎn)品為主，其中SSD占比最多，達50%。嵌入式產(chǎn)品、存儲卡及存儲盤占比分別為35%和9%。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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