中商情報網(wǎng)訊：化學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備是集成電路制造中獲得全局平坦化的一種手段，這種工藝就是為了能夠獲得既平坦、又無劃痕和雜質(zhì)玷污的表面而專門設(shè)計的。

市場現(xiàn)狀

中國CMP設(shè)備市場整體較為平穩(wěn)，2020年受到半導(dǎo)體行業(yè)不景氣的影響，市場規(guī)模出現(xiàn)下降，約為4.3億美元，同比下降6.52%。未來隨著工藝技術(shù)進步，CMP設(shè)備在整體生產(chǎn)鏈條中的使用頻次將進一步增加，預(yù)計2022年將增長至5.1億美元。

數(shù)據(jù)來源：SEMI、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

2020年全球CMP設(shè)備市場中，中國大陸市場規(guī)模已躍升至全球第一，約為4.3億美元，市場份額27%，中國臺灣市場規(guī)模僅次于中國大陸，約為3.88億美元，市場份額25%，韓國擁有23%的市場份額，居于第三。

數(shù)據(jù)來源：SEMI、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

發(fā)展前景

1.政策利好行業(yè)發(fā)展

近年來我國推出了一系列“新一代信息技術(shù)領(lǐng)域”及“半導(dǎo)體和集成電路”產(chǎn)業(yè)支持政策，加速半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化。“十三五規(guī)劃”中明確提出要優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進包括CMP設(shè)備在內(nèi)的集成電路專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應(yīng)用。《中國制造2025》中明確要掌握高密度封裝及三維（3D）微組裝技術(shù)，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測試的自主發(fā)展能力，形成包括CMP設(shè)備在內(nèi)的集成電路關(guān)鍵制造設(shè)備的供貨能力。

2.上游行業(yè)景氣帶動CMP設(shè)備市場增長

為實現(xiàn)芯片垂直空間的有效利用，多層金屬化技術(shù)被應(yīng)用到集成電路制造工藝中。隨著各種工藝層被刻蝕成圖形，晶圓表面變得高低起伏，導(dǎo)致晶圓表面呈現(xiàn)出不同的反射性質(zhì)，難以達到良好的解析度同時電路電阻值增高，穩(wěn)定性下降。因此，在多層布線的立體結(jié)構(gòu)集成電路中，如何實現(xiàn)整片平坦化成為重要技術(shù)發(fā)展方向之一。化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)依靠其優(yōu)秀的全局平坦化能力、廣泛的適用性、以及低成本特點逐漸成為晶圓制造和加工過程中的主流平坦化技術(shù)。隨著集成電路技術(shù)發(fā)展，芯片集成度增加，CMP設(shè)備的重要性和在產(chǎn)業(yè)鏈條中的投資占比也逐步增加。

3.CMP工藝應(yīng)用次數(shù)增長，行業(yè)前景廣闊

根據(jù)歷史市場規(guī)模和晶圓廠產(chǎn)線投資情況測算，CMP設(shè)備市場規(guī)模約占IC制造設(shè)備市場規(guī)模的4%左右。同時，隨著芯片制造技術(shù)發(fā)展，CMP工藝在集成電路生產(chǎn)流程中的應(yīng)用次數(shù)逐步增加，以邏輯芯片為例，65nm制程芯片需經(jīng)歷約12道CMP步驟，而7nm制程所需的CMP處理增加為30多道。隨著CMP設(shè)備在整體生產(chǎn)鏈條中的使用頻次增加，投資規(guī)模在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的占比也將逐步提升，未來市場前景廣闊。