MOSFET米勒平臺原理與應(yīng)對
#功率電子 #MOSFET #米勒效應(yīng)
深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
“專精特新”小巨人
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深愛 F系列高壓MOSFET ---卓越耐壓與高性價比的平衡之道
在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，深愛對FLR和FP技術(shù)進行了深度優(yōu)化。深愛半導(dǎo)體F系列高壓MOSFET通過創(chuàng)新的VLD+浮空場板復(fù)合終端設(shè)計實現(xiàn)了終端結(jié)構(gòu)參數(shù)的精確優(yōu)化、嚴格的工藝過程控制、量產(chǎn)穩(wěn)定性和一致性的保障，為客戶提供了高可靠性、高性價比的功率器件解決方案。 -
FR MOS反向恢復(fù)特性
關(guān)鍵詞：FR MOS，反向恢復(fù)，Trr，Qrr -
