近日，有韓媒報道，韓國兩大存儲巨頭——三星電子與SK海力士，已正式成為谷歌第七代張量處理單元（TPU）供應鏈中的核心供應商。

其中，SK海力士或成為谷歌第七代TPU內部HBM3E 8層芯片的首選供應商，并將獨家為第七代改進型產品（TPU 7e）提供HBM3E 12層芯片，以顯著提升能效比與數據吞吐能力。

此前，有消息稱，Meta正與谷歌展開深度磋商，計劃于2027年斥資數十億美元采購谷歌自研的TPU（張量處理單元）芯片，并部署于其自有數據中心；更早從2026年起，Meta還可能先行租用谷歌云上的TPU算力資源。

據韓國投資證券分析師預測，2025年SK海力士將占據谷歌TPU中HBM供應量的56.6%，三星電子則占43.4%；而Meritz Securities更為樂觀，認為SK海力士的份額或將高達60%。

長期以來，HBM市場高度依賴英偉達GPU的需求拉動。然而，隨著谷歌自研TPU的快速迭代和大規模部署，這一格局正被打破。據悉，每顆TPU內部集成6至8個HBM模塊，其擴展速度直接決定HBM的整體需求量。

KB證券指出，谷歌正通過TPU強化其AI生態系統，未來第八代TPU預計將采用HBM4，這將進一步推高對先進HBM的需求。在此背景下，三星電子明年的HBM供應量有望較今年翻倍以上，并帶動其尖端晶圓代工廠產能利用率提升。

HBM需求的爆發不僅限于谷歌。韓國投資證券強調，Meta、亞馬遜AWS等科技巨頭也在加速開發定制AI芯片，這些芯片同樣高度依賴HBM作為內存解決方案。多重終端需求疊加，使得HBM成為DRAM廠商技術升級與利潤增長的核心引擎。

面對旺盛需求，存儲原廠的戰略重心正從單純擴產轉向高附加值產品的深度布局。TrendForce數據顯示，2025年全球DRAM資本支出預計達537億美元，2026年將增至613億美元，同比增長14%；NAND Flash資本支出也將小幅增長至222億美元。

然而，當前行業無塵室空間已接近物理瓶頸，除三星與SK海力士尚有有限擴線能力外，其他廠商難以快速提升產能。這意味著即便資本開支增加，2026年實際新增產能仍將受限。

供需失衡正推動存儲價格持續上行。中泰證券判斷，受AI推理需求爆發驅動，2026年全年存儲市場將處于“供需偏緊”狀態。事實上，自2025年第三季度起，不僅主流DRAM與NAND價格上漲，利基型存儲如SLC/MLC NAND、NOR Flash等也已全面進入漲價通道。

責編：Jimmy.zhang