1.半導體激光設備概述

激光憑借高能量密度、非接觸加工以及對材料適應性強等優勢，被廣泛應用于消費電子、汽車制造、新能源和半導體產業鏈等領域。隨著半導體制造和封裝工藝的發展，激光設備在半導體行業中發揮越來越重要的作用。近年來，隨著下游行業對輕量化、精密化和智能化需求的不斷增加，半導體激光加工設備正加快迭代升級。從傳統的二極管泵浦到光纖耦合、超快激光技術，設備在功率穩定性、加工精度和能耗表現上均顯著提升。與此同時，國產廠商也在技術突破和成本控制方面不斷追趕，逐步縮小與國際領先企業的差距。可以預見，未來半導體激光設備將不僅是單一制造環節的工具，而是成為驅動制造業轉型升級的重要引擎。在新興產業快速發展的背景下，其市場需求有望持續擴大，帶動產業鏈迎來新的增長機遇。

目前根據應用原理和應用工藝環節的不同，可將半導體激光設備分為激光退火設備、激光材料改性設備、激光打標設備、激光劃片設備、解鍵合設備和修邊（Trimming）設備等。

1.1激光退火設備

半導體激光退火設備是一種半導體制造工藝中的關鍵設備，主要用于對半導體晶圓進行退火處理，以修復離子注入工藝造成的晶格損傷并激活雜質離子的電活性。

退火設備包括晶圓退火、金屬薄膜退火以及針對特定器件的局部退火等幾種設備。在晶圓退火方面，激光退火可以有效地改善晶圓表面的晶界和晶格缺陷，提高晶圓的結晶質量和晶體的有序程度。同時，激光退火還可以增加晶圓表面的光吸收率，提高晶圓的光電轉換效率，從而提高半導體器件的性能。

在金屬薄膜退火方面，激光退火可以使金屬薄膜達到更高的晶體質量和結晶度，從而提高金屬薄膜的導電性和穩定性。此外，激光退火還可以調控金屬薄膜的晶體結構和晶粒尺寸，改善金屬薄膜的界面結合力和機械性能，提高金屬薄膜的可靠性和耐久性。

針對特定器件的局部退火是激光退火的另一重要應用領域。通過激光退火可以精確控制器件的局部溫度分布，實現對器件結構和性能的調控。

1. 2 激光材料改性設備

激光材料改性設備是利用高能量密度的激光束對材料表面進行處理，以改變材料表面的組織結構、化學成分或性能的設備。激光材料改性設備包括激光誘導結晶設備和激光外延生長設備。

激光誘導結晶設備通過控制激光的輻照方式、強度、時間和位置等參數，可以對晶體的生長進行精確的控制，目前主要應用于128層以上3D NAND芯片制造中的特定區域結晶。3D NAND器件溝道(Channel)的形成過程中，晶粒尺寸的增大和界面缺陷的減少，可以有效的提升存儲器的特性。隨著溝道尺寸的減小，傳統方法將很難達到此目的，在電極處沉積的晶體硅不可避免的存在空洞和缺陷。

激光外延生長設備通過將激光注入到芯片的表面或內部來修復其中的缺陷，主要應用于DRAM芯片中非晶硅的缺陷消除及修復。空洞與缺陷的出現，將會影響接觸電阻以及DRAM的整體性能。退火的時候，需要避免雜質擴散到晶體管區域或者是影響到金屬電極。

1.3激光劃片設備

激光劃片機是其在半導體制造過程中，將晶圓上的半導體芯片按預定的劃分線進行切割，使之成為獨立的芯片，以便進行后續的封裝和測試。激光劃片機主要應用于切割硅晶圓、藍寶石、低介電常數材料、MEMS、薄膜太陽電池等半導體及光電材料。劃片機作為半導體芯片后道工序的封裝環節加工設備之一，用于晶圓的劃片、分割或開槽等微細加工，其切割的質量與效率直接影響到芯片的封裝質量和生產成本。

1.4激光解鍵合設備

激光解鍵合設備是一種在室溫下不使用化學物質進行低應力剝離工藝的設備。激光解鍵合工藝主要是利用激光穿過透明載板，光子能量沉積在光敏響應材料層，進而誘發材料的快速分解、汽化甚至等離子化而失去粘性。激光解鍵合設備根據應用環節不同分為激光臨時解鍵合設備及激光晶圓解鍵合設備。激光臨時解鍵合設備目前主要用于封測環節中臨時鍵合及解鍵合工藝，激光晶圓解鍵合設備仍然為當前業內廠商研發突破的重點方向，可應用于晶圓制造環節3D堆疊領域，如HBM、3D NAND等產品方向，用于解晶圓與晶圓鍵合。

1.5激光打標設備

激光打標是用激光在硅片、晶圓或封裝好的芯片表面打上序列號、生產日期，商標、芯片代碼等標記，便于追蹤和識別。一般在硅片制造的開始到晶圓制程直至封裝制程的結束，均需要用到激光打標。根據打標精度不同，激光打標可分為晶圓激光打標設備和IC激光打標設備。

1.6其他激光加工設備

除上述設備以外，仍有很多激光加工設備在半導體產業環節存在廣泛的應用場景。在晶圓切邊環節，激光Trimming設備可替代傳統砂輪方式對器件邊緣區域進行剪切處理，有效避免圓片減薄過程中的碎邊；在集成電路、分立器件封裝溢料的去除工序過程中，可使用激光去溢膠設備去除引線框架上在塑封步驟由于引線框架變形以及框架帶突起導致的溢膠；在封測環節中，激光打孔設備可用于TGV輔助手段，在陶瓷、薄膜等材料上進行精密化激光打孔。此外還有激光開封機、激光輔助邦定等設備也在半導體封測及先進封裝領域得以應用。

圖 1 半導體激光設備分類

 

2.半導體市場情況

2.1AI需求繼續發酵，推動全球半導體市場持續走高

2024年，隨著AI算力需求和存儲芯片價格回升驅動，全球半導體市場重回增長軌道。據世界半導體貿易統計組織（WSTS）數據，2024年全球半導體市場規模為6272億美元，同比增長19.1%。以GPU、HBM（高帶寬內存）為代表的算力芯片成為全球半導體市場的核心增長引擎：根據Statista的數據，全球GPU市場規模預計在2029年達到2700億美元，是現有水平的4倍；存儲器價格受市場需求刺激從低位逐漸回升，銷量開始釋放，實現量價齊升，其中多家存儲芯片廠商如SK海力士、美光科技等均表示，2024年的HBM產能已全部售罄。

2025年，人工智能大模型的發展將繼續發酵，推動高性能芯片的應用需求。同時，包括汽車和工業設備在內的非人工智能芯片市場預計將緩慢復蘇，將帶動全球半導體產品的整體銷售增長。根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）的預測，2025年全球半導體市場銷售額預計將達到7280億美元，同比增長11.2%。

圖 2 2017-2026年全球半導體市場規模（億美元） 

數據來源：WSTS，優園科技

2.2制造和封裝工藝驅動力持續增強，全球設備需求強勁

半導體設備作為貫穿半導體全產業鏈的技術先導者，是半導體產業發展的基礎和關鍵支撐。近年來半導體設備行業表現出較高的增長態勢。人工智能應用推動芯片創新需求，促使企業擴大產能和投資先進制程，是設備市場增長的核心動力。同時，設備架構復雜性增加及對高帶寬存儲器（HBM）的需求也推動了后端設備市場發展。2025年全球半導體制造設備銷售額預計同比增長7.4%至1255億美元，創歷史新高。2026年有望進一步增長至1381億美元，主要受先進邏輯、存儲器及技術轉型需求推動。

圖 3全球半導體設備市場規模（億美元）

 

資料來源：SEMI，優園科技

在2024年創下1043億美元銷售額紀錄后，晶圓廠設備（WFE）領域（包括晶圓加工、晶圓廠設施和掩膜/掩模版設備）預計將在2025年增長6.2%，達到1108億美元。這一數據較SEMI 2024年底預測的1076億美元有所上調，主要受代工廠和存儲器應用設備銷售增加的推動。展望2026年，晶圓設備領域預計將進一步增長10.2%，達到1221億美元，增長動力來自為支持人工智能應用而進行的先進邏輯和存儲器產能擴張，以及各主要細分市場的工藝技術遷移。

后端設備領域預計將在2024年開始的強勁復蘇基礎上繼續增長。繼2024年同比增長20.3%后，2025年半導體測試設備銷售額預計將進一步增長23.2%，達到創紀錄的93億美元。2024年，封裝設備銷售額增長25.4%，2025年預計將再增長7.7%，達到54億美元。2026年，后端設備領域擴張勢頭將繼續，測試設備銷售額預計增長5.0%，封裝設備銷售額預計增長15.0%，實現連續三年增長。這一增長主要受設備架構復雜性顯著提升，以及人工智能和高帶寬存儲器（HBM）半導體對高性能的強勁需求推動。

2.3中國半導體市場情況分析

2.3.1國產化替推動國內半導體迅猛發展

當前，國內半導體市場正處于快速發展的中前期成長階段，展現出與海外市場不同的發展規律。海外市場的半導體行業已經進入一個較為成熟的周期性成長行業，而國內市場則呈現出更為迅猛的發展勢頭。在這一背景下，國產化替代成為推動我國半導體產業快速發展的核心驅動力。2024年，中國半導體行業在國家政策的大力支持和市場需求的雙重推動下，展現出強勁的復蘇勢頭。根據WSTS統計，2024年中國半導體市場銷售額達到1865億美元，占全球市場31.9%。展望未來，在政策的大力支持、行業周期的反轉、國產替代的加速推進，以及數據中心、AI及端側設備等下游市場強勁增長的多重驅動下，特別是端側AI領域的快速發展——即在手機、PC、攝像頭、智能家居設備等終端設備上AI技術的廣泛應用和深度參與，中國半導體產業有望在下一階段迎來更好的表現。預計2025年中國半導體市場將增長11.4%，銷售額將達到2078億美元。

 

圖 4中國半導體市場規模（億美元）

數據來源：WSTS，優園科技

2.3.2先進工藝迭代和特色工藝擴充促進設備市場升級

半導體前道設備投資量平均每年占半導體設備總額的80%左右，我國半導體設備行業在下游快速發展的推動下，保持快速增長。SEMI預測，2025年中國半導體設備市場需求占全球需求約31%，繼續保持全球最大半導體設備市場的地位。我國半導體設備行業市場規模增速明顯高于全球,在產能擴張、新晶圓廠項目以及前端和后端對先進技術和解決方案的高需求的推動下，2025年中國半導體設備市場規模將有望達2899.3億元。

圖 5 中國半導體設備市場規模（億元） 

資料來源：SEMI，優園科技

2.3.3晶圓制造設備市場成國產設備廠商必爭之地

從現階段國內半導體設備廠商產品覆蓋情況來看，國產設備廠商正積極布局半導體前道設備市場。中國大陸半導體前道設備2025年國內晶圓產線擴產疊加國產替代增加設備儲量等因素，拉動我國半導體前道設備市場迅猛增長8.6%達2551.3億元，預計2026年達2622.5億元。

圖 6 中國大陸半導體前道設備市場規模 

資料來源：SEMI，優園科技

2.3.4AI需求帶動封裝設備市場持續向好

隨著AI經濟帶動大量先進封裝訂單，中國先進封裝設備市場穩步上升，預計2025年中國封裝設備市場上升7.4%，市場規模達173.96億元。隨著龍頭封測公司26年擴產規劃指引將帶動中國封裝設備整體市場向好，預計2025至2026年中國封裝設備市場有望迎來高速增長。

圖 7 中國半導體封裝設備市場規模（億元） 

資料來源：SEMI，優園科技

2.4國產設備驗證周期和端口大大增加

相較IC設計、封測環節，晶圓制造是中國大陸當前半導體行業短板，自主可控驅動本土晶圓廠大規模擴產。我們統計發現，僅中芯國際、長江存儲、合肥長鑫和華虹半導體四家頭部晶圓廠未來合計擴產產能將超過80萬片/月，尤其先進制程擴產具備較大空間。

1）邏輯端：中芯國際2024年資本開支達到73.3億美元，并預計2025年基本持平，維持高位，好于市場預期。此外，上海華力康橋二期產線啟動、北電集成擴產啟動、中芯京城0001-2地塊掛牌出讓、中芯國際坪山三期土地整備建設等均釋放了邏輯端積極擴產信號。

2）存儲端：長存、長鑫陸續增資背景下，2024年重回正常擴產，2025年有望延續大規模擴產勢頭。

圖 8 中芯國際資本支出情況 

數據來源：中芯國際年報，優園科技

根據統計，目前已在建產線單個投資金額均超5億元，總投資額超180 億元。封測行業風頭正盛，國內封測廠商近三年紛紛積極擴產，加速布局未來潛在市場。

圖 9 中國先進封裝產線布局情況

數據來源：優園科技，半導體綜研

3.中國半導體激光設備市場情況分析

隨著半導體終端應用的升級和對芯片封裝性能的提升，應用于硅片制造、晶圓制造、先進封裝和傳統封裝領域的超精密激光加工設備將迎來蓬勃發展。

3.1中國半導體激光設備前道制造需求充足

根據測算，2024-2025年，由于中芯國際、華力六廠和鵬芯微切入先進工藝，晶圓代工廠對國產設備呼聲和驗證程度和成熟度逐漸加深，隨著2024年國內前道產線的產能爬升回復，設備的需求快速上漲，2024年和2025年中國半導體激光設備市場將保持較快增長，同時隨著碳化硅產能擴張國內鵬芯旭、昇維旭等產線產能擴產，預計2026年中國半導體激光設備市場將保持穩定增長。

根據前文分析，目前應用于前道晶圓制造的半導體激光設備主要為激光退火設備和激光改性設備，其中根據應用產品不同激光退火設備又可分為功率器件退火設備、邏輯芯片退火設備和存儲器退火設備；激光改性設備可分為Nand激光誘導結晶設備和DRAM缺陷修補設備。根據目前國內晶圓廠擴產節奏(2026-2028年預測按設計產能平均分配)，具體市場如下：

圖 10晶圓制造環節主要激光設備細分市場

數據來源：優園科技

3.2多重要素疊加推動前道半導體激光設備打開增量空間

根據晶圓代工和封裝產業發展的需求，晶圓制造環節激光設備未來增量主要體現在技術演進、產能擴充、國產化替代和顛覆性技術創新等方面。

3.2.1激光退火和改性技術成為先進制程的必由之路

從技術演進層面看，異構集成正在成為后摩爾時代，延續半導體技術的主流發展方向。異構集成或將成為未來30年系統級芯片的主流技術，集成電路有望進入異構集成時代。目前異構集成中核心的HBM堆疊、2.5D/3D封裝以及Chiplet都是這樣的方向，而這些先進技術將極大推動高精度的激光設備需求，激光退火設備和材料改性設備將成為未來的先進制程解決方案。

3.2.2激光退火和改性設備是解決設備國產化替代的關鍵環節

從國產化產線層面看，國內主流晶圓產線和存儲產線如要發展先進工藝和高端制造工藝，設備禁令將是極大的影響，因此目前國內主流先進制程產線和存儲產線紛紛積極尋找國產化設備替代和解決方案，國產半導體激光設備將具有較好的導入機會，并且由于禁令原因，部分產商開始替換其老舊熱處理設備，導入國產激光設備，將推動國內激光設備市場的進一步擴大。

3.2.3激光退火和改性設備在國內產線擴產需求充足

從新建產線增量看，由于國內半導體市場發展逐漸向先進制程和高端存儲產線轉型，目前國內中芯國際、華虹、長存、長鑫、晉華和昇維旭等公司均具有新建產線計劃，并且國內目前仍有較多正在基建的產線，預計到2028年將完成國內先進制程產線布局。先進制程的發展將推動激光工藝逐步替代傳統的熱處理工藝，進而促使市場空間進一步打開。

3.2.4激光退火和改性設備是未來顛覆性技術的重要解決方案

從新應用方向來看，隨著算力需求的提高，數據中心和量子計算等高算力芯片，對芯片的精細度要求越來越高。以量子芯片為例，量子比特位數是代表量子計算機能力水平的重要參數之一，量子比特位數越高，其計算能力越強。在量子芯片生產過程中會通過量子芯片的無損探針儀來發現量子芯片的優劣，對于其中的“壞品”、“次品”，會采用激光退火儀去處理其存在的問題，就像是醫生做手術一樣，這把“手術刀”能夠對癥下藥，改善其中不良的部分，從而提高量子芯片的品質。因此，激光退火在新領域的應用也將極大驅動其增長。

3.3激光設備匹配硅片和后道市場多樣化應用場景

5G、物聯網、高性能運算等產品需求持續穩定增加，大量依賴先進封裝，先進封裝憑小型化、薄型化、高效率、多集成等優勢和持續降本，成為“后摩爾時代”封測市場的主流。基于我國目前先進封裝占比（39%）小于全球（48%），未來仍將有廣闊增長空間，帶動激光劃片、激光打標及激光臨時解鍵合等用于封測環節的激光加工設備進一步增長。同時，算力要求推動了 HBM 等新型存儲器超百億美元新興市場，進而提升TSV、CoWoS 、3D堆疊等先進封裝工藝需求，并為用于晶圓制造環節的激光晶圓解鍵合、激光Trimming等新興設備帶來廣闊發展空間。

根據前文分析，目前后道和硅片環節的半導體激光設備主要分為激光劃片設備、激光打標設備和激光解鍵合設備，根據目前國內晶圓廠和后道封測廠擴產節奏，具體市場如下：

圖 11 中國激光加工設備細分市場情況 

數據來源：優園科技

3.4先進封裝帶動半導體激光設備需求快速增長

隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸的極限，半導體技術進入“后摩爾定律”時代，先進封裝技術得到了空前發展。出現于20 世紀末的多芯片組件(MCM)封裝、系統級封裝(SiP)、三維立體(3D)封裝和芯片尺寸封裝等技術快速發展，并被廣泛應用。同時，系統級芯片(SoC) 封裝、微機電系統(MEMS)封裝、硅通孔(TSV)技術、凸點制作(Bumping)、表面活化室溫連接(SAB)等技術實現了新的突破，并已實現批量生產。封裝技術及外形的發展緊跟半導體芯片制造技術的進程，每一代芯片均有與之相匹配的封裝技術與外形。21 世紀以來，先進封裝技術得到了快速發展，如圓片級(Wafer Level)封裝、芯片級(Chip Level)封裝、板級(Board Level)封裝和系統級(System Level)封裝等。

隨著電子器件朝著小型化、集成化的方向發展，電子封裝在半導體產業中的重要性顯得愈發突出。由于激光加工具有加工速度快、無直接接觸、易于集成等優點，已逐步在半導體封測領域獲得廣泛應用，在傳統封裝和先進封裝領域發揮著至關重要的作用。基于先進封裝的特殊新興工藝技術也將帶動超精密加工設備如半導體激光劃片、激光解鍵合設備、激光IC打標設備等封測激光加工設備的需求快速增長。

4.半導體激光設備競爭格局

4.1海外壟斷嚴重，激光設備成國產替代的重點攻關環節

從工藝環節來看，全球晶圓制造環節的半導體激光設備主要被海外廠商壟斷，主要包括三井集團(JSW)、日本住友重工、應用材料、斯科半導體、Veeco等，全球前五企業市場占比近83.5%，整體市場集中度較高，高端市場幾乎由國外企業壟斷。預計未來幾年行業競爭將更加激烈。

激光退火和改性設備市場主要集中在亞太地區，其中又以中國、日本、韓國等國家為主要參與者。中國臺灣是全球最大的市場，占有大約30%的市場份額，之后是韓國和中國，分別占比20%和15%。由于國內市場起步晚，目前我國激光退火機及其核心零部件需求仍依賴進口，未來國產替代空間廣闊，國內廠商主要包括華卓精科、上海微電子、成都萊普科技、大族激光、華工激光等。隨著國內設備產商逐漸成熟，將逐漸占領國外龍頭企業的市場份額，國內企業具有較大的上升空間。

從后道和硅片環節的半導體激光設備來看，國際三大龍頭廠商DISCO，EO Technics，ASMPT占據中國超五成的市場，市場份額約53%，在細分設備領域均呈現龍頭壟斷的態勢。國內專注于半導體激光設備的企業較少，主要為德龍激光、聯動科技（激光打標）等，近幾年隨我國集成電路產業和激光技術的發展，更多傳統激光設備廠商逐步開拓半導體業務，如大族激光、邁為股份、華工科技和萊普科技等，然而目前呈現一定銷售規模體量的企業較少，大族激光和德龍激光在大陸廠商營收靠前，整體來看國內廠商仍處于起步發展階段，國內廠商在中國半導體激光設備市場份額占比不足15%。

4.2國內龍頭企業

4.2.1萊普科技：專注半導體前道和后道激光設備，具備多環節激光設備創新龍頭

萊普科技成立于2003年，以先進精密激光技術及半導體創新工藝開發為核心，核心產品分為激光熱處理設備與專用激光加工設備兩大序列，覆蓋半導體前道制造、后道封裝及精密電子等領域，擁有50多項自主知識產權?。目前，萊普科技于2025年10月26日提交科創板IPO申請并獲得受理，保薦機構為中信建投。此次IPO，萊普科技擬募資8.50億元，資金用于晶圓制造設備開發與制造中心項目等共五大項目。

公司相關設備目前已經部署于華潤微、士蘭微、三安半導體、中車時代、華天科技、達邇科技等主流半導體廠商的先進制程和先進封裝產線。公司具備強大的創新工藝設備開發能力，針對長江存儲和長鑫等存儲器創新工藝，開發出匹配先進制程3D NAND Flash、DRAM、28nm及以下邏輯芯片等創新工藝需求的激光設備。

公司核心產品激光熱處理設備市場占有率達到16%，并隨著國內3D Nand和DRAM的產能擴充持續提升，成為國產替代核心廠商。從細分領域來看，在國產先進架構3D NAND 激光誘導結晶設備、先進制程DRAM 激光外延生長設備領域，市占率超90%，為獨家供應商。專用激光加工設備方面，公司2024年國內市占率約5%，主要集中在封測激光標刻、晶圓切割領域，隨先進封裝設備研發推進，預計未來3年市占率將突破 10%。

4.2.2華工激光：專注終端激光設備，逐步進入退火和劃片設備市場

華工激光是華工科技產業股份有限公司的核心子公司，專注于激光智能裝備及智能制造解決方案。公司核心產品涵蓋激光切割、焊接、清洗、微納加工等設備，應用于新能源汽車、3C電子、半導體、鈑金加工等行業，作為中國激光工業化應用的開創者，公司依托華中科技大學的技術支持，擁有激光技術國家重點實驗室等11個國家級研發平臺，累計獲得超過800項專利，并參與制定多項國際和國家標準?。

公司現有員工2000多人，其中博士、碩士占30%以上，激光研究高級專家20多人，售后服務團隊300多人，銷售、服務網絡覆蓋全國，國內辦事處40多個，海外分支機構10多個，公司設備銷量遍布澳洲、英國、美國、德國、韓國、意大利、印度、菲律賓、巴基斯坦等30余個國家。

公司產品覆蓋3C電子、汽車制造、航空航天、新能源等20多個行業，服務包括世界500強在內的全球客戶，2024年營收34億元，2025年前三季度營收31億元，是國內工業激光的龍頭?。在氫能領域，其燃料電池金屬極板產線市占率超80%；新能源汽車全鋁車身激光焊裝生產線填補國內空白?。在半導體激光設備領域已形成覆蓋晶圓切割、退火、開槽、檢測等全流程的解決方案，并實現多項技術突破?。

4.2.3上海微電子：新進激光退火設備潛力企業

上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱SMEE)主要致力于半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務。公司設備廣泛應用于集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領域。公司的IGBT激光退火設備已在市場中得到應用，尤其在超薄硅片退火領域具備競爭力。此外，激光退火技術因其快速、精準的特點，在先進制程（如40nm及以下）和新興領域（如碳化硅器件）中需求增長迅速。

4.2.4大族激光：產業背景雄厚，扎根多個半導體環節激光設備

大族激光創立于1996年，于2004年在深圳證券交易所上市，股票代碼為002008，總部位于廣東省深圳市南山區，是一家智能制造裝備整體解決方案服務商。大族激光的主要業務為智能制造裝備及其關鍵器件的研發、生產和銷售，主要產品包括激光打標機系列、激光焊接機系列、激光切割機系列、光纖及泵浦源等，涉及高端裝備、核心器件、鋰電、光伏、半導體等業務領域。

目前大族半導體主要激光產品已經覆蓋硅半導體、化合物半導體及泛半導體領域的晶圓制造、前道、封測道的傳統封裝和先進制程環節，在表切、激光剝離技術、開槽機、IC激光打標機、晶圓打標機、TGV、刀輪機、光刻機、MiniLED巨量轉移及修復、晶圓芯片分選機、AOI等方面的設備及技術工藝進展，在所涉及激光設備領域均實現市占率行業領先。

4.2.5華卓精科：專注激光退火，產品市場認可度較高

北京華卓精科科技股份有限公司成立于2012年5月，主營業務為以超精密測控技術為基礎，研究、開發以及生產超精密測控設備部件、超精密測控設備整機并提供相關技術開發服務，主要產品包括精密運動系統、晶圓級鍵合設備、激光退火設備、靜電卡盤等。

華卓精科聚焦深度、高效激活的工藝需求，提出多波長、多光束疊加退火的核心技術，在主退火光束的基礎上疊加輔助預熱的光束，并憑借公司在超精密測控方面的技術優勢，實現了光束和溫度場的靈活可控。

4.2.6德龍激光：多環節激光設備發力，激光加工設備龍頭企業

蘇州德龍激光股份有限公司成立于2005年,公司主營業務為精密激光加工設備及激光器的研發、生產、銷售，并為客戶提供激光設備租賃和激光加工服務。根據德龍激光2025年半年報，精密激光加工設備作為公司主力產品，銷售收入2.05億元，同比增長1.72%，占主營收入的72.34%，其中半導體相關激光加工設備實現銷售收入0.86億元。公司精密激光加工設備主要分為半導體及光學領域激光加工設備、顯示領域激光加工設備、新型電子領域激光加工設備及新能源領域激光加工設備。在半導體封測激光加工設備領域，產品主要有晶圓激光隱形切割設備、晶圓激光開槽設備 （low-k）、激光打標機、激光鉆孔設備等。在半導體及光學領域，公司主要客戶包括華為(含海思)、中芯國際、長電科技、中電科、華潤微、士蘭微、敏芯股份、泰科天潤、能訊半導體、三安光電、華燦光電、晶宇光電、舜宇光學、水晶光電、五方光電、美迪凱等。

4.2.7聯動科技

聯動科技成立于1998年，2022年在深交所創業板上市，專注于半導體行業的后道封裝測試領域專用設備的研發、生產和銷售。在半導體激光加工設備領域，聯動科技的主要產品為激光打標機，具有高效率、重復精度和良好的匹配性。聯動科技具有市場先發優勢、盈利優勢和產業鏈優勢，研發投入占比逐年增長，激光打標設備保持較高的毛利率（50%以上）。在產業鏈方面，聯動科技的激光打標設備性能穩定，廣泛應用于國內外主流封測廠商，享有良好的市場口碑。

5.激光設備智能化、高端化、精細化是半導體工藝的重要方向，未來國產替代空間廣闊

以剛提交IPO的萊普科技為例，在政策端，國家集成電路基金二期（持股萊普科技7.66%）等產業資本持續投入，支持設備廠商研發；在市場端：國內晶圓廠擴產（長江存儲2025-2030 年產能計劃增長66%和長鑫未來仍有5-10萬片/月產能的計劃增長）為國產設備提供驗證與量產機會，市場前景廣闊。在技術端：萊普科技與長江存儲和長鑫共同開發匹配國產化存儲器工藝的激光退火和改性設備，加速技術迭代。在國家安全、卡脖子壓力下，半導體設備市場需求增加；國家支持和市場需求調動了各路產業資本跑步進入半導體設備領域；國內全產業鏈大力配合支持，半導體設備研發工作相比此前大幅提速，半導體設備國產化率的穩步提升。

由于激光加工具有加工速度快、無直接接觸、易于集成等優點，激光技術已逐漸滲透到半導體制造領域，瞄準更小更精密的微觀世界，在芯片切割、打標、微焊接、清洗、退火等工藝中發揮著至關重要的作用。隨著超大規模集成電路制造技術、新型薄膜晶體管顯示技術和大面積OLED顯示技術的日益成熟和規模化，激光熱處理技術逐漸取代傳統的爐管退火、快速熱退火、尖峰退火、快閃退火，成為新—代主流退火和改性技術。得益于技術進步，功率半導體性能、體積實現較大升級，在此背景下，市場對激光退火機的要求也不斷提升，智能化、高端化、精細化將成為其重要升級方向。目前我國激光退火機及其核心零部件需求仍依賴進口，未來國產替代空間廣闊。

圖 12 國產半導體激光設備發展要素圖 

 

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