近日，日本經(jīng)濟產業(yè)省（METI）宣布一項重大產業(yè)政策：將向美國存儲巨頭美光科技（Micron）位于廣島縣東廣島市的DRAM工廠提供總額高達5360億日元（約合36.3億美元）的巨額補貼。

這筆投資不僅是對美光擴建計劃的強力支持，更是日本在全球半導體產業(yè)競爭中下出的關鍵一步棋，旨在奪回在尖端存儲芯片領域的戰(zhàn)略主動權。

根據(jù)公告，這筆補貼分為兩大部分。其核心是5000億日元，用于支持美光斥資1.5萬億日元的工廠擴建項目，這筆資金將直接補貼美光總投資的三分之一，目標是量產下一代DRAM內存芯片。此外，還有360億日元專門用于支持美光在日本的研發(fā)活動，以加速高性能存儲器技術的開發(fā)。

美光日本存儲器研發(fā)事業(yè)部高級副總裁Shigeru Shiratake對此表示感謝，并強調這筆撥款將“進一步加快面向AI時代的高性能存儲器解決方案的開發(fā)”。

日本此舉背后，是其重塑半導體強國地位的迫切戰(zhàn)略需求。曾幾何時，日本在DRAM領域擁有絕對的統(tǒng)治力，東芝、NEC、日立等企業(yè)是全球市場的領導者。然而，隨著韓國和美國企業(yè)的崛起，以及日本自身在產業(yè)轉型中的失誤，其在尖端存儲芯片領域的份額急劇萎縮，供應鏈嚴重依賴海外。

尤其是在中美科技摩擦加劇、全球供應鏈面臨重構的背景下，確保關鍵半導體，特別是作為AI、數(shù)據(jù)中心、高性能計算“血液”的尖端DRAM的本土化生產能力，對日本的經(jīng)濟安全和產業(yè)競爭力至關重要。

選擇與美光合作，是日本政府深思熟慮的結果。美光作為全球三大DRAM供應商之一，擁有頂尖的技術實力和量產經(jīng)驗。通過引入美光，日本可以快速建立起一條世界一流的DRAM生產線，避免了從零開始研發(fā)的漫長周期和巨大風險。

此次補貼的核心目標明確指向“下一代DRAM”和“高性能存儲器”，這與當前AI技術的爆炸性發(fā)展緊密相連。現(xiàn)代AI大模型的訓練和推理需要處理海量數(shù)據(jù)，對內存的帶寬、容量和能效提出了前所未有的要求。高帶寬存儲器（HBM）等尖端DRAM技術已成為AI芯片（如GPU）性能的關鍵瓶頸。通過支持美光在廣島生產最前沿的DRAM，日本意在將自己嵌入到全球AI產業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。

這筆巨額補貼，不僅將鞏固美光在全球存儲市場的地位，更將重塑東亞半導體產業(yè)的地理版圖。

日本政府對半導體產業(yè)的支持不僅限于美光，還包括臺積電和Rapidus Corp等公司，目標是2027年生產2納米芯片。日本政府的這些舉措旨在提升其在半導體領域的自主能力，并應對全球供應鏈的緊張局勢。

責編：Jimmy.zhang