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拯救“火龍”,臺(tái)積電版高通8Gen1芯片要來了,三星受重?fù)?/h1>

2022-02-18 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 高通 臺(tái)積電

眾所周知,自從高通從臺(tái)積電轉(zhuǎn)向三星,推出5nm的芯片驍龍888之后,這顆芯片就倍受非議,因?yàn)楣母撸l(fā)熱大,性能提升不明顯,所以被人再次冠以“火龍”的稱謂。

大家以為新一代的4nm芯片驍龍8Gen1可能會(huì)有所改善,但現(xiàn)實(shí)又給了大家一棒,這一顆依然被大家稱之為“火龍”,同樣發(fā)熱大,功耗高,性能表現(xiàn)一般,所以盧偉冰才會(huì)說“破芯片”。

不僅如此,外界還盛傳三星4nm的良率不高,導(dǎo)致高通也很郁悶。所以自去年12月份開始,就一直有消息稱,高通為此找上了臺(tái)積電,希望臺(tái)積電來代工驍龍8Gen1的另一版本。

近日,有科技大V爆料稱,高通在臺(tái)積電投片的 4nm 驍龍 8 Gen1 ,有 2 萬片晶圓預(yù)計(jì)可以提前發(fā)出,并開始在二季度交付,不過名字變了,叫做“驍龍 8 Gen1 Plus”了。

同時(shí)還稱,與三星的4nm相比,臺(tái)積電的4nm良率超過 7 成以上,比起三星的 4nm 高出很多。

當(dāng)然,最終臺(tái)積電版的驍龍8Gen1,最后會(huì)不會(huì)是火龍,能不能被拯救,還是個(gè)未知數(shù)。畢竟一直以來,就有專業(yè)人士表示,其實(shí)FinFET晶體管技術(shù)到5nm就不淘汰,要換成GAAFET晶體管技術(shù)。

因?yàn)镚AAFET 架構(gòu)的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性,同時(shí)其柵極電壓會(huì)變小,這樣這樣漏電功率會(huì)降低,從而功耗降低,發(fā)熱就會(huì)減少。

而不管是三星、還是臺(tái)積電,在4nm時(shí),采用的還是FinFET晶體管技術(shù),所以得不到太多的改變,半斤八兩而已。

芯片未使用,就沒有真正的結(jié)論,目前一切都只是猜測(cè)。但只要高通將8Gen1芯片交由部分給臺(tái)積電代工,對(duì)于三星而言就是重?fù)簟?/span>

這也就意味著三星的技術(shù)不如臺(tái)積電,否則高通不可能將原本是三星的訂單,分一些到臺(tái)積電來,你覺得呢?



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