近日，根據(jù)外媒 VideoCardz 報道，英特爾今日發(fā)表文章，公布了突破摩爾定律的三種新技術。這些技術的目標是在 2025 年之后，還能夠使得芯片技術繼續(xù)發(fā)展。

據(jù)公開資料顯示，在 2021 年 IEEE 國際電子設備會議上，英特爾公布了多芯片混合封裝互聯(lián)密度提高 10 倍、晶體管密度提升 30％－50％、新的電源和存儲器技術以及量子計算芯片技術等等。

英特爾闡述了目前已經公布的一些創(chuàng)新技術，包括 Hi－K 金屬柵極、FinFET 晶體管、RibbonFET 等。在路線圖中，英特爾還展現(xiàn)了多種芯片工藝，其中包括 Intel 20A 制程，將邏輯門的體積進一步縮小，名為 Gate All Around。

專家表示，截至最新，英特爾及其關聯(lián)公司在126個國家／地區(qū)中，共有27萬余件專利申請，其中與芯片直接相關的專利有約11602件。對直接相關的芯片專利而言，從專利趨勢上來看，2002年到2010年，英特爾專利申請量較為平穩(wěn)，而2011年英特爾的芯片專利申請有小爆發(fā)。

就Ribbon直接相關專利技術而言，英特爾有51組上述領域直接相關專利申請，英特爾在上述領域的專利申請十分分散，近幾年的年專利申請都不到10件，該領域的技術主要是和晶體管以及半導體相關。