根據(jù)外媒報導，在美國加州舊金山舉辦的IEDM 2021 當中，IBM與三星共同推出了名為垂直傳輸場效應晶體管(VTFET) 技術。該技術將晶體管以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式進行流通，如此可使得晶體管數(shù)量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設計上所面臨的瓶頸。

報導強調，相較傳統(tǒng)將晶體管以水平方式放置的設計，垂直傳輸場效應晶體管將能增加晶體管數(shù)量堆疊密度，并且讓運算速度提升兩倍，同時藉由讓電流以垂直方式流通，使得電力損耗在相同的性能發(fā)揮情況下，降低85%的幅度。

IBM 和三星指出，該制程技術將能在未來達到手機在一次充電的情況下，待機續(xù)航力達到一整個星期的水準。另外，這也可以使某些耗能密集型的工作，例如加密工作能更加省電，進一步減少對環(huán)境的影響。

不過，目前IBM 與三星尚未透露預計何時開始將垂直傳輸場效應晶體管設計應用在實際產品。但是市場人士預估，將在很短的時間內會有進一步消息。

相對于IBM 與三星的技術成果發(fā)表，晶圓代工龍頭臺積電也已經在2021 年5 月宣布，與臺灣大學、麻省理工學院共同完成研究，藉由鉍金屬的特性來突破1nm制程生產的極限，讓制程技術下探至1nm以下。

另外，英特爾日前也已經公布其未來制程技術發(fā)展布局，除了現(xiàn)有納米等級制程節(jié)點設計之外，接下來也會開始布局埃米等級制程技術發(fā)展，預計最快會在2024 年進入20A 制程技術節(jié)點。