半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu) Yole Développement 發(fā)布了最新的有關(guān)全球功率半導(dǎo)體未來(lái)走勢(shì)的報(bào)告。

報(bào)告認(rèn)為，到 2026 年，全球功率半導(dǎo)體總規(guī)模將超過(guò) 250 億美元，2020-2026 的年復(fù)合增長(zhǎng)率為 3%。移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)是功率半導(dǎo)體最大的應(yīng)用領(lǐng)域，預(yù)計(jì)到 2026 年將達(dá)到 115 億美元。汽車和工業(yè)應(yīng)用增長(zhǎng)最快，同一時(shí)間段的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 9.0%。

▲ 多通道 PMIC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、BMIC 等市場(chǎng)發(fā)展前瞻

報(bào)告指出，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然以 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術(shù)為基礎(chǔ)。

在電源管理技術(shù)中，芯片工藝水平的提升主要是單一芯片上集成了多個(gè)功能模塊所驅(qū)動(dòng)。

排名全球前五名的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的商業(yè)模式各不同，存在無(wú)晶圓廠、功率電子器件 IDM 和功率集成電路 IDM 等等，它們占整個(gè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總量的一半以上。

大多數(shù)頭部 IDM 公司自產(chǎn)整個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，而是依然會(huì)選擇外包一部分，比如德州儀器和 ADI。

Yole 分析師 Abdoulaye Ly 闡述：“功率半導(dǎo)體器件廣泛用于所有電氣和電子系統(tǒng)中，每個(gè)應(yīng)用程序都有不同需求?！彪娮酉M(fèi)類領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力是智能手機(jī)的待機(jī)和續(xù)航需求，而在汽車領(lǐng)域，EV 的 BMIC（電池管理集成電路模塊）和 ADAS 系統(tǒng)也將極大地推動(dòng)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。預(yù)計(jì)到 2026 年，純電動(dòng)汽車將占功率半導(dǎo)體總市場(chǎng)的 30%。

目前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)普遍采用 BCD 為基礎(chǔ)的技術(shù)，BCD 工藝把 Bipolar 器件、CMOS 器件、DMOS 功率器件同時(shí)制作在同一芯片上，綜合了雙極器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和 CMOS 集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使其互相取長(zhǎng)補(bǔ)短，發(fā)揮各自的優(yōu)點(diǎn)，BCD 現(xiàn)已發(fā)展成一系列硅制造工藝，每種 BCD 工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：包括用于高精度處理模擬信號(hào)的雙極晶體管，用于設(shè)計(jì)數(shù)字控制電路的 CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和用于開(kāi)發(fā)電源和高壓開(kāi)關(guān)器件的 DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）。

報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體非常依賴成本驅(qū)動(dòng)，集成了存儲(chǔ)模塊的功率集成電路制程在 90nm 左右，但三星和臺(tái)積電將其進(jìn)一步推動(dòng)到 65nm，工藝節(jié)點(diǎn)取決于功率 IC 和存儲(chǔ)部分的集成情況。

功率半導(dǎo)體廠商還考慮在消費(fèi)類應(yīng)用中進(jìn)行系統(tǒng)集成，例如智能手機(jī)、平板電腦和無(wú)線耳塞等等。ADI 正在推動(dòng)在系統(tǒng)中集成無(wú)源器件以及 SiP 系統(tǒng)級(jí)封裝。