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利用SureCore的超低功耗內(nèi)存實(shí)現(xiàn)下一代智能可穿戴設(shè)備

2021-10-08 來(lái)源:中電網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: SureCore 智能可穿戴

隨著可穿戴電子產(chǎn)品和耳機(jī)市場(chǎng)的急劇增長(zhǎng),芯片架構(gòu)師們?cè)噲D為其增加更多的功能或“智能”,以創(chuàng)造產(chǎn)品的差異化。這些額外的智能意味著設(shè)計(jì)人員需要向芯片添加更多的嵌入式存儲(chǔ)器,從而導(dǎo)致功耗需求增加。在某些設(shè)計(jì)中,這些存儲(chǔ)器的功耗需求甚至可占設(shè)備總功率的 50%。對(duì)于受限于外形尺寸的電池供電的產(chǎn)品來(lái)說(shuō),這給設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造可行產(chǎn)品帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。

“這就是我們的 EverOn 超低功耗存儲(chǔ)器讓這些設(shè)計(jì)變得可行的地方,因?yàn)樗鼈冃枰墓谋葮?biāo)準(zhǔn)‘現(xiàn)成’的存儲(chǔ)器低 50%”,sureCore 的首席執(zhí)行官保羅.威爾斯(Paul Wells )解釋說(shuō)---sureCore是一個(gè)超低功耗嵌入式存儲(chǔ)器方面的專家。“設(shè)計(jì)人員認(rèn)為,額外功能的功耗是對(duì)下一代設(shè)備的真正制約,因此,我們正在為智能手表、健身追蹤器和耳機(jī)等簽署多項(xiàng)許可協(xié)議。我們的 SRAM IP 在“先進(jìn)工藝代工廠”中經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證,使客戶能夠最大限度地減少功率需求的增加并加快上市時(shí)間”。

利用低電壓來(lái)降低運(yùn)行功率的設(shè)計(jì)方法,正變得越來(lái)越普遍。這是根據(jù)程序處理的需求,動(dòng)態(tài)地降低工作電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元經(jīng)過(guò)精心的設(shè)計(jì),可以在很寬的電壓范圍內(nèi)工作,通常接近閾值電壓。然而,現(xiàn)成的 SRAM IP 只能在工藝標(biāo)稱電壓附近運(yùn)行。如果將兩者集成在同一芯片上,就意味著有兩個(gè)不同的電源軌和電平轉(zhuǎn)換電路,為了給存儲(chǔ)器和用來(lái)處理不同電壓域之間信號(hào)交叉的電路提供更高的電壓,這會(huì)產(chǎn)生很大的功耗。 這無(wú)疑增加了設(shè)計(jì)及其驗(yàn)證的復(fù)雜性,同時(shí)也增加了芯片的面積。

 

然而,EverOn  SRAM IP 正是專門(mén)為這種類型的系統(tǒng)設(shè)計(jì)的。在這些系統(tǒng)中,電壓經(jīng)過(guò)調(diào)整以節(jié)省功耗---從工藝標(biāo)稱工作電壓一直到維持電壓(retention voltage),有效地規(guī)定了可能的最低工作電壓。在領(lǐng)先的 40 納米工藝技術(shù)中,這意味著從 1.21V 降至 0.6V,無(wú)需任何額外的電路。因此,可以根據(jù)操作的性能要求,動(dòng)態(tài)地上下調(diào)整芯片的電壓以節(jié)省功耗。例如,這可能是從高性能模式到低性能模式,甚至是等待喚醒事件的監(jiān)控狀態(tài),這使得芯片設(shè)計(jì)變得更簡(jiǎn)單。相比之下,調(diào)整傳統(tǒng)內(nèi)存的芯片電壓要復(fù)雜得多,雖然邏輯部分很容易下降,但內(nèi)存電壓仍需要保持在一個(gè)較高的工作電壓上。

 

現(xiàn)成的 SRAM IP 優(yōu)化通常追求高密度或者高速度,而不是對(duì)功率進(jìn)行優(yōu)化。然而如上所述,這對(duì)可變電壓、功率優(yōu)化系統(tǒng)的集成提出了挑戰(zhàn)。EverOn  通過(guò)使用sureCore 獲得專利的SMART-Assist  電路來(lái)實(shí)現(xiàn)工作電壓的靈活性,該電路是IP 的一部分,從而大大簡(jiǎn)化了集成和驗(yàn)證要求。因此,與傳統(tǒng)方法相比,這種方法是架構(gòu)師實(shí)現(xiàn)高達(dá) 50% 節(jié)能的有效策略。

 

“能夠簡(jiǎn)單地、動(dòng)態(tài)地降低芯片電壓是節(jié)能的關(guān)鍵” ,sureCore 的 首席技術(shù)官托尼.斯坦斯菲爾德(Tony Stansfield )解釋說(shuō),“因?yàn)楣β逝c電壓的平方成正比。例如,如果電壓從 0.9V 降到 0.6V,約減少一半的功耗。在電池供電的設(shè)備中,低功耗至關(guān)重要,因此在具有大量?jī)?nèi)存的設(shè)計(jì)中,這種節(jié)省量是有重要意義的。讓設(shè)備“更智能”是一種持續(xù)的驅(qū)動(dòng),然而更智能就意味著增加內(nèi)存量,所以這些內(nèi)存的功耗必須是精確設(shè)計(jì)的,才能使功率預(yù)算和電池容量計(jì)算正常工作。EverOn 超低功耗內(nèi)存使下一代智能的電池供電設(shè)備變得可能”。

sureCore  --當(dāng)?shù)凸闹辽蠒r(shí)

sureCore 是超低功耗嵌入式存儲(chǔ)器專家,是低功耗創(chuàng)新者,通過(guò)一系列超低功耗存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)服務(wù)和標(biāo)準(zhǔn) IP 產(chǎn)品組合,使 IC 設(shè)計(jì)社區(qū)能夠滿足激進(jìn)的功耗預(yù)算。sureCore 的低功耗工程方法和設(shè)計(jì)流程通過(guò)全面的產(chǎn)品和設(shè)計(jì)服務(wù)組合滿足最嚴(yán)格的內(nèi)存要求,為客戶創(chuàng)造明顯的市場(chǎng)差異化。該公司的低功耗產(chǎn)品線包括一系列近閾值、經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證、獨(dú)立于工藝的 SRAM IP。



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