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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存即將量產(chǎn) 實(shí)測(cè):密度超過三星、美光

2021-09-30 來源:中電網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 三星 美光 QLC閃存

在3D閃存方面,國(guó)產(chǎn)公司已經(jīng)大步追趕國(guó)際先進(jìn)水平了,前不久江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存顆粒出貨超3億顆,128層QLC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn),TLC良率做到相當(dāng)水準(zhǔn)。

  

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一大規(guī)模量產(chǎn)了3D閃存的公司,2019 年初實(shí)現(xiàn)了32層3D NAND量產(chǎn),其首創(chuàng)Xtacking技術(shù),順利研發(fā)出64層3D NAND,并于2019年9月量產(chǎn)256Gb(32GB)TLC 3D NAND。

  

2020年4月份,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出128層堆棧的3D閃存。該公司稱128層QLC 3D閃存(X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

  

值得一提的是,此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存(X2-9060),單顆容量512Gb(64GB)。

  

性能方面,長(zhǎng)存透露,兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能,3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

  

不僅是量產(chǎn)速度追上來了,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)也非常不錯(cuò),日前權(quán)威機(jī)構(gòu)Tech Insights對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層512Gb TLC閃存做了芯片級(jí)的拆解,證實(shí)了其存儲(chǔ)密度達(dá)到了8.48GB/mm2,超過了三星的6.91GB/mm2、美光的7.76GB/mm2、SK海力士的8.13GB/mm2,這個(gè)表現(xiàn)讓國(guó)外很驚訝。



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