華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

      緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢，華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢，該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項(xiàng)，具有更高的邏輯門密度，可有效縮減芯片面積。結(jié)合較少的生產(chǎn)掩模數(shù)，能為客戶提供性價(jià)比更優(yōu)的芯片代工方案。同時(shí)，該平臺可提供多種器件集成，并配套豐富的數(shù)字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項(xiàng)，增強(qiáng)了設(shè)計(jì)的集成度和靈活度。在該平臺上，華虹半導(dǎo)體還將繼續(xù)投入研發(fā)資源，提供更豐富的器件類型，并將LDMOS擴(kuò)展至40V及以上電壓段，覆蓋更廣泛的應(yīng)用需求。

      此外，華虹半導(dǎo)體持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新，優(yōu)化升級現(xiàn)有滿足車規(guī)要求的180納米BCD技術(shù)，在相同的擊穿電壓下，導(dǎo)通電阻平均降低約25%，技術(shù)性能顯著提升，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。公司將進(jìn)一步將180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴(kuò)展至100V，并提供更多電壓段的設(shè)計(jì)選項(xiàng)，滿足工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域需求。同時(shí)，集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺，可達(dá)到車規(guī)級應(yīng)用要求，實(shí)現(xiàn)了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。