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應用材料將協助全球領先的SiC芯片制造商增加產量

2021-09-10 來源:聯合報
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關鍵詞: 應用材料 SiC芯片 制造商

9月10日消息,應用材料宣布,該公司推出新的200亳米(8吋)化學機械研磨(CMP)系統,可精確移除晶圓上的碳化硅(SiC)材料,最大化芯片效能、可靠性和產能;且透過這項新的碳化硅芯片「熱植入」技術,可在對晶格結構破壞最小的情況下注入離子,進而最大化發電量和組件產能。


應用材料指出,公司推出這項新產品,將協助全球領先的SiC芯片制造商,從150毫米(6吋)晶圓制造升級為200毫米(8吋)制造,增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量,滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求。

應用材料強調,由于SiC功率半導體可以高效地將電池功率轉化為扭力,并提高電動車的性能和續航能力,因此市場需求極高。

應用材料進一步指出,和硅比較,SiC本身較為堅硬,其原生缺陷可能會導致電氣性能、功率效率、可靠性和產能下降,所以,需要更先進的材料工程技術來優化裸晶圓的生產,并建構對晶格損害最小的電路。

全球最大SiC基板制造廠科銳 (Cree) 公司總裁暨執行長Gregg Lowe指出,交通產業電動化不斷上升的,公司也正透過Wolfspeed技術,引領全球從硅轉換到碳化硅,加速推動此一歷史轉折點。在更大型的8吋晶圓上提供最高效能的碳化硅功率組件后,公司不僅能提高終端客戶的價值,還能滿足不斷成長的需求。

Lowe補充說,應用材料支援并加快 Albany 8吋的制程檢定,以及公司Mohawk Valley晶圓廠的多項設備安裝,加速了這項轉型。此外,應用材料ICAPS團隊所開發的各種新技術,如熱植入 (hot implant) 等,也擴大加深了彼此的技術合作,同時協助科銳在功率技術上的發展。



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