9月10日，聯(lián)電董事長(zhǎng)洪嘉聰獲頒臺(tái)灣地區(qū)清華大學(xué)授名譽(yù)工學(xué)博士，表彰這位杰出卻低調(diào)的企業(yè)家對(duì)臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)及社會(huì)的貢獻(xiàn)，以及聯(lián)電長(zhǎng)久對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)。聯(lián)電從去年下半年開(kāi)始受到市場(chǎng)強(qiáng)勁需求推升，股價(jià)從長(zhǎng)年徘徊的1字頭，近期最高來(lái)到70元新臺(tái)幣關(guān)卡之上，在有效控制財(cái)務(wù)狀表現(xiàn)之下，毛利率甚至來(lái)到31.3%，這與洪嘉聰決定放棄過(guò)度先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)，穩(wěn)定在成熟制程發(fā)展有關(guān)。

聯(lián)電1980年于成立，早于現(xiàn)今的全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電，當(dāng)時(shí)聯(lián)電走垂直整合模式（IDM），包括上游的IC設(shè)計(jì)、下游的IC封測(cè)公司，讓晶圓代工的產(chǎn)能利用率能維持在一定程度。但如同每一間IDM廠面臨的狀況一樣，上中下游的公司營(yíng)運(yùn)都必須兼顧，這與純晶圓代工業(yè)務(wù)的臺(tái)積電出現(xiàn)明顯差異。

直至1995年，聯(lián)電開(kāi)始轉(zhuǎn)型為純晶圓代工廠，開(kāi)始與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，并與各家IC設(shè)計(jì)廠合作成立晶圓代工廠，但隨著聯(lián)電內(nèi)部成立的IC 設(shè)計(jì)公司，客戶開(kāi)始擔(dān)憂與聯(lián)電產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，讓聯(lián)電在轉(zhuǎn)型面臨頗大壓力。臺(tái)積電則是1999年推出0.18微米銅制程，讓雙方差距開(kāi)始擴(kuò)大。

聯(lián)電則是在2000年采用IBM技術(shù)與其合作，臺(tái)積電在考慮過(guò)后選擇自行研發(fā)，并在2003年以自主研發(fā)制程推出0.13 微米「銅制程」，就此雙方在技術(shù)上出現(xiàn)決定性的差距。

至于28nm制程，臺(tái)積電率先采用與英特爾相同的后閘極設(shè)計(jì)（Gate-last）架構(gòu)，超越聯(lián)電、三星、格芯等晶圓代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。進(jìn)入先進(jìn)制程之后，2017年臺(tái)積電、三星與格芯推出10nm制程，聯(lián)電于2018年放棄12nm以下制程研發(fā)，最終，格芯于2019年宣布放棄先進(jìn)制程研發(fā)，市場(chǎng)上僅剩臺(tái)積電、三星以及英特爾競(jìng)爭(zhēng)先進(jìn)制程。

據(jù)科技新報(bào)報(bào)導(dǎo)，聯(lián)電在臺(tái)積電正式量產(chǎn)28nm制程后，因制程技術(shù)落差只能在更舊的制程削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，讓臺(tái)積電占盡優(yōu)勢(shì)，業(yè)界人士評(píng)估，聯(lián)電由于過(guò)度追求先進(jìn)制程，甚至要達(dá)到產(chǎn)能利用率90%以上才能獲利，成為壓低聯(lián)電毛利率表現(xiàn)的主因之一。

聯(lián)電在做出放棄12nm以下先進(jìn)制程研發(fā)的決定，暫緩跟進(jìn)10、7nm制程消息，轉(zhuǎn)專(zhuān)注在特殊制程研發(fā)，并站穩(wěn)12nm以上制程，終于在2020年新冠疫情后的需求大幅回升迎來(lái)機(jī)會(huì)。其中，由財(cái)務(wù)體系出身的洪嘉聰功不可沒(méi)，在聯(lián)電立下耀眼功績(jī)，深獲曹興誠(chéng)的信任，并成為聯(lián)電史上首位由財(cái)務(wù)長(zhǎng)接下董事長(zhǎng)職位第一人，其中大膽讓聯(lián)電放棄過(guò)度追求先進(jìn)制程，穩(wěn)定成熟制程發(fā)展，讓聯(lián)電在如今晶圓代工產(chǎn)能急需的狀況下能大啖商機(jī)。

從聯(lián)電2020年財(cái)報(bào)來(lái)看，合并營(yíng)收1768.21 億元、年增19%，營(yíng)業(yè)利益躍升至220.1 億元，8/12吋晶圓產(chǎn)能利用率接近滿載，其中12吋晶圓28nm制程獲得龐大客戶青睞，加上整合收購(gòu)而來(lái)的富士通12吋廠產(chǎn)能，讓歸屬母公司凈利達(dá)291.89 億元，年增200.7%，每股盈余來(lái)到2.42 元。相較之下，大陸晶圓代工龍頭中芯國(guó)際，同樣擴(kuò)展28nm制程產(chǎn)能，背負(fù)著大陸半導(dǎo)體自主化任務(wù)，2021年第二季營(yíng)收 13.44 億美元，創(chuàng)下新高，毛利率從第一季22.7% 升至30.1%；聯(lián)電則是在今年第二季繳出18.3億美元營(yíng)收，毛利率提升至31.3%，第三季毛利率估34~36%。

除了12吋晶圓，8吋晶圓產(chǎn)能受到包括功率組件、電源管理IC、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)IC、面板驅(qū)動(dòng) IC等需求在去年下半年暴增，大陸廈門(mén)聯(lián)芯擴(kuò)增6000片產(chǎn)能，臺(tái)灣40nm也會(huì)轉(zhuǎn)做28nm，大幅提升22/28nm產(chǎn)能。

聯(lián)電2020年資本支出為 10 億美元，應(yīng)付中長(zhǎng)期客戶與市場(chǎng)需求，另外一個(gè)更有優(yōu)勢(shì)的地方，就是聯(lián)電大部分8吋晶圓廠設(shè)備都已經(jīng)攤舊完畢，讓聯(lián)電財(cái)務(wù)表現(xiàn)更有競(jìng)爭(zhēng)力，但隨著市場(chǎng)對(duì)于晶圓代工需求有增無(wú)減，2021年資本支出上調(diào)至23 億美元，較去年大增1.3 倍，這不僅是聯(lián)電放棄12 nm以下先進(jìn)制程以來(lái)最高，更超過(guò)2016年資本支出22億美元紀(jì)錄，其中15%用以擴(kuò)產(chǎn)8吋產(chǎn)能，85%用在12吋晶圓產(chǎn)在線。

聯(lián)電也發(fā)展出自己的晶圓代工模式，聯(lián)電今年4月法說(shuō)后新聞稿宣布，客戶將以議定價(jià)格預(yù)先支付訂金的方式，確保取得P6未來(lái)產(chǎn)能的長(zhǎng)期保障，同時(shí)也有助于聯(lián)電在兼顧長(zhǎng)期獲利能力與市場(chǎng)地位的目標(biāo)下穩(wěn)健成長(zhǎng)。

聯(lián)電總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰表示，P6擴(kuò)建計(jì)劃以聯(lián)電與客戶間產(chǎn)品制程與產(chǎn)能保障的長(zhǎng)期相互搭配為基礎(chǔ)，確保新建的產(chǎn)能可以維持健康的產(chǎn)能利用率。其中，P6將配備28nm制程生產(chǎn)機(jī)臺(tái)，未來(lái)可延伸至14nm制程生產(chǎn)線，配合客戶未來(lái)制程進(jìn)展的升級(jí)需求。

聯(lián)電也從去年7月底突破20元關(guān)卡后，12月登上50元關(guān)卡，隨著2021年全球芯片荒、晶圓代工漲價(jià)利多消息再起， 9月3日終于攻上70元關(guān)卡，創(chuàng)下近21年新高，市值來(lái)到8600億元之上，躍升臺(tái)股權(quán)值第5大，臺(tái)積電也擺脫先前頹勢(shì)，近期股價(jià)最高來(lái)到635元，根據(jù)集邦科技調(diào)查，2021年第二季臺(tái)積電以市占率52.9%穩(wěn)居龍頭，聯(lián)電以7.2%居于第三，合計(jì)市占率超過(guò)6成，讓臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)繼續(xù)領(lǐng)先全球，當(dāng)年晶圓雙雄之姿再現(xiàn)。

雖近期受到臺(tái)股波動(dòng)，聯(lián)電股價(jià)回調(diào)至65元，但預(yù)料在成熟制程維持強(qiáng)勁需求，以及透過(guò)客戶包下產(chǎn)能方式，簡(jiǎn)山杰也在周三受訪表示，雖然市場(chǎng)出現(xiàn)雜音，但需求仍旺到年底，目前產(chǎn)能供不應(yīng)求，現(xiàn)階段客戶都還在談明年訂單，甚至更長(zhǎng)期的合作方案，但不評(píng)論漲價(jià)問(wèn)題。