作為半導(dǎo)體工業(yè)中的核心，芯片制造是最關(guān)鍵也是最難的，進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后全球現(xiàn)在也就是臺(tái)積電、Intel、三星三家公司選擇繼續(xù)玩下去。表面來看Intel的進(jìn)度是最慢的，然而其他兩家的工藝“水分”也不小，三星的3nm工藝密度才跟Intel的7nm差不多。

Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告，分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問題，對(duì)比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情況。

在10nm節(jié)點(diǎn)，三星的晶體管密度只有0.52億/mm²，臺(tái)積電是0.53億/mm²，Intel已經(jīng)達(dá)到了1.06億/mm²，密度高出一倍左右。

7nm節(jié)點(diǎn)，三星的工藝密度是0.95億/mm²，臺(tái)積電是0.97億/mm²，Intel的7nm則是1.8億/mm²，依然高出80%以上。

再往后的5nm節(jié)點(diǎn)上，三星實(shí)現(xiàn)了1.27億/mm²的密度，臺(tái)積電達(dá)到了1.73億/mm²，Intel的目標(biāo)是3億/mm²，三星與其他兩家的差距愈發(fā)拉大。

到了3nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電的晶體管密度大約是2.9億/mm²，三星只有1.7億/mm2，Intel的目標(biāo)是5.2億/mm2。

2nm節(jié)點(diǎn)沒多少數(shù)據(jù)，IBM之前聯(lián)合三星等公司發(fā)布的2nm工藝密度大約是3.33億/mm²，臺(tái)積電的的目標(biāo)是4.9億/mm²。

以上數(shù)據(jù)其實(shí)不能100%反映各家的技術(shù)水平，還要考慮到性能、功耗、成本的差距，但就摩爾定律關(guān)注的密度來看，Intel在這方面基本還是按照之前的規(guī)范走的，三星、臺(tái)積電工藝宣傳注水也不是什么新聞了。

當(dāng)然，三星這方面的浮夸可能更多一些，3nm節(jié)點(diǎn)的密度也不過是Intel的7nm水平，Intel的5nm工藝都能夠直逼IBM 2nm水平，不知道這該說Intel太老實(shí)還是其他公司太滑頭呢？