（文/羅葉馨梅）11月27日，三星電子對去年新設(shè)立的高帶寬存儲器（HBM）開發(fā)團隊進行了組織調(diào)整。公司決定撤銷負責半導體業(yè)務(wù)的DS部門下屬HBM開發(fā)團隊，將相關(guān)人員整體劃歸DRAM開發(fā)室。市場普遍關(guān)注此次架構(gòu)調(diào)整對三星HBM業(yè)務(wù)推進節(jié)奏及內(nèi)部協(xié)同機制的影響。

HBM開發(fā)團隊撤銷后，原有成員將調(diào)入DRAM開發(fā)室下屬設(shè)計團隊，繼續(xù)從事下一代HBM產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)。此前負責HBM開發(fā)團隊的孫永洙被任命為設(shè)計團隊負責人，統(tǒng)籌HBM相關(guān)項目推進。未來團隊將圍繞HBM4、HBM4E等新一代產(chǎn)品開展設(shè)計優(yōu)化和工藝驗證工作。三星電子預計在本周內(nèi)完成組織調(diào)整，并于下月初召開全球戰(zhàn)略會議，檢視明年的業(yè)務(wù)規(guī)劃。

在業(yè)務(wù)層面，三星電子近年持續(xù)加大HBM領(lǐng)域投入，并與英偉達、超威半導體（AMD）、OpenAI、博通等科技巨頭建立合作關(guān)系。公司以HBM3和HBM3E量產(chǎn)應(yīng)用經(jīng)驗為基礎(chǔ)，專注提升堆疊封裝、帶寬、能效及可靠性等核心競爭力。韓媒分析認為，將HBM開發(fā)力量納入DRAM開發(fā)體系之下，有望在制程演進、設(shè)計驗證與量產(chǎn)導入方面形成更緊密的協(xié)同。

從市場表現(xiàn)看，三星電子今年第二季度在全球HBM市場的排名一度跌至第三位，短期內(nèi)承受競爭壓力。公司預計，隨著HBM4供應(yīng)規(guī)模的逐步擴大，明年起其HBM市場份額有望實現(xiàn)回升。市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce預測，到2026年，三星電子在全球HBM市場的占有率有望超過30%，這一預期也被視為公司強化先進存儲業(yè)務(wù)布局的重要參考。

業(yè)內(nèi)人士指出，HBM作為面向人工智能訓練、推理和高性能計算等場景的關(guān)鍵存儲器，已經(jīng)成為存儲廠商爭奪的新高地。三星通過重組HBM團隊并將其并入DRAM開發(fā)室，有望在資源統(tǒng)籌、技術(shù)迭代和客戶支持方面提升整體效率，鞏固其在高端存儲賽道的競爭地位。但同時，高端存儲市場仍受下游AI服務(wù)器需求波動、技術(shù)演進速度以及客戶驗證周期等因素影響，本次組織調(diào)整能否快速轉(zhuǎn)化為市場份額和盈利能力的改善仍存在不確定性，投資者需保持理性判斷。

（校對/秋賢）