三星電子破例向下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）研發(fā)的關(guān)鍵人員授予庫存股績效獎(jiǎng)金。這是對(duì)他們?yōu)镠BM4（第六代HBM）核心芯片——10nm第六代DRAM（1c DRAM）的研發(fā)所做貢獻(xiàn)的特別獎(jiǎng)勵(lì)。業(yè)內(nèi)人士表示，在重建這家存儲(chǔ)巨頭的關(guān)鍵時(shí)刻取得的顯著成果促使公司立即給予獎(jiǎng)勵(lì)。

三星電子宣布，將向30名高管和員工授予4790股普通股，作為研發(fā)項(xiàng)目目標(biāo)達(dá)成的獎(jiǎng)勵(lì)。根據(jù)授予日（10月31日）三星電子的收盤價(jià)計(jì)算，授予他們的庫存股總價(jià)值為5.1492億韓元（約合人民幣253萬元）。授予的股份數(shù)量根據(jù)員工的績效而有所不同。

三星電子向特定研發(fā)團(tuán)隊(duì)授予庫存股實(shí)屬罕見。此舉被視為對(duì)該研發(fā)團(tuán)隊(duì)的獎(jiǎng)勵(lì)，感謝他們提升了應(yīng)用于HBM4的第六代DRAM的性能和質(zhì)量。HBM采用垂直堆疊DRAM技術(shù)制造。第六代DRAM是決定HBM4性能的核心組件。2024年5月上任的設(shè)備解決方案（DS）事業(yè)部總裁（副董事長）全永鉉（Jun Young-hyun）將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4列為首要任務(wù)，并下令重新設(shè)計(jì)第六代DRAM。該DRAM于2025年7月通過了三星內(nèi)部性能測(cè)試（PRA），目前已作為HBM4樣品提供給英偉達(dá)。

據(jù)報(bào)道，與上一代HBM3E不同，英偉達(dá)對(duì)HBM4的評(píng)價(jià)積極。英偉達(dá)表示，“三星電子是英偉達(dá)HBM3E和HBM4供應(yīng)鏈的關(guān)鍵合作伙伴。”三星電子通過搶先推出第六代DRAM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的11Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度。

三星電子正在加速向第六代DRAM過渡，以重奪HBM市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部副總裁Kim Jae-june在第三季度財(cái)報(bào)會(huì)議上重申了HBM4量產(chǎn)的承諾，并表示：“我們將積極進(jìn)行必要的投資，以擴(kuò)大第六代DRAM的產(chǎn)能。”（校對(duì)/趙月）