三星電子已將其第七代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4E）的目標(biāo)帶寬設(shè)定為每秒3TB以上，并計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該公司計(jì)劃將每針腳的傳輸速度提升至每秒13Gbps以上，最高可達(dá)3.25TB/s，是當(dāng)前第五代HBM3E的2.5倍。鑒于英偉達(dá)要求明年推出的第六代HBM4提升帶寬，這一發(fā)展將加劇下一代HBM的速度競(jìng)爭(zhēng)。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月14日，在圣何塞會(huì)展中心舉行的開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）2025全球峰會(huì)上，三星電子公布了正在研發(fā)的HBM4E的目標(biāo)帶寬，目標(biāo)是在2027年實(shí)現(xiàn)超過(guò)13Gbps的引腳速率。HBM4E擁有2048個(gè)引腳，換算成字節(jié)（1字節(jié)等于8位）即可達(dá)到3.25TB/s。同時(shí)，三星電子還表示，HBM4E的能效將是目前HBM3E的兩倍以上，HBM3E的能效為3.9 pJ/bit。

這是自今年1月在舊金山舉行的ISSCC 2025峰會(huì)以來(lái)，三星電子首次公開HBM4E的目標(biāo)帶寬。當(dāng)時(shí)，三星電子將HBM4E的目標(biāo)帶寬較去年的計(jì)劃提高了25%，達(dá)到每引腳10Gbps，傳輸速度為2.5TB/s。然而，今年年中，情況發(fā)生了變化。HBM的最大消費(fèi)者英偉達(dá)要求提高 HBM4 的帶寬，以用于其下一代 AI 加速器“Vera Rubin”。

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）的規(guī)范，HBM4的帶寬為每針8Gbps，總計(jì)2TB/s。然而，英偉達(dá)向內(nèi)存制造商三星電子、SK 海力士和美光提出了每針10Gbps以上的要求。為此，三星電子將HBM4的針腳速度提升至11Gbps，SK 海力士也成功實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的速度。盡管有分析認(rèn)為美光在帶寬提升方面舉步維艱，但美光最近在財(cái)報(bào)中宣布已向“主要客戶”（英偉達(dá)）交付了11Gbps帶寬的HBM4樣品，這緩解了外界的擔(dān)憂。

由于第六代HBM4在量產(chǎn)前就實(shí)現(xiàn)了高于預(yù)期的帶寬，半導(dǎo)體行業(yè)普遍預(yù)期下一代HBM4E的帶寬將高于最初的計(jì)劃。（校對(duì)/李梅）