據(jù)悉中國(guó)今年就能投產(chǎn)完全自主研發(fā)的28nm工藝,而到了明年將投產(chǎn)完全自主研發(fā)的14nmFinFET工藝,先進(jìn)工藝的投產(chǎn)或?qū)⒂兄趲椭?span id="1xofsu3" class="hrefStyle" style="padding: 0px; margin: 0px;">華為解決芯片制造問(wèn)題。

其實(shí)中國(guó)兩大芯片制造企業(yè)中芯國(guó)際和上海華虹都已投產(chǎn)14nmFinFET工藝,不過(guò)此前它們還需要依賴(lài)美國(guó)供應(yīng)的一些技術(shù),正是受制于這些美國(guó)的技術(shù),它們無(wú)法為華為代工生產(chǎn)海思麒麟芯片。

如今業(yè)界人士指出中國(guó)成功研發(fā)完全自主研發(fā)的28nm工藝,這意味著在短短一年多時(shí)間里,中國(guó)在自主工藝研發(fā)方面已取得了重大進(jìn)展,依靠已有的技術(shù),明年實(shí)現(xiàn)14nmFinFET工藝自主化倒也是有可能的。

事實(shí)上不僅中國(guó)在推進(jìn)芯片制造工藝的自主化,擺脫對(duì)外部的依賴(lài),全球兩大技術(shù)最先進(jìn)的芯片代工廠也在積極推動(dòng)自主化。三星由于與日本的材料供應(yīng)商存在的糾紛而推動(dòng)光刻膠自主研發(fā),提高自主技術(shù)在芯片制造工藝的比例。

臺(tái)積電在過(guò)去數(shù)年也一直在提高自主研發(fā)技術(shù)的占比,降低美國(guó)技術(shù)的占比,2019年臺(tái)積電硬氣地表示可以7nmEUV為華為代工生產(chǎn)麒麟990芯片,原因就是來(lái)自美國(guó)的技術(shù)占比低至10%以?xún)?nèi),不過(guò)2020年美國(guó)再度修改要求,強(qiáng)調(diào)只要采用了美國(guó)技術(shù)就不能為華為代工生產(chǎn)芯片,臺(tái)積電才無(wú)法代工生產(chǎn)麒麟系列芯片。

面對(duì)美國(guó)的做法,眾多芯片代工廠自然努力推進(jìn)自主技術(shù)研發(fā),而中國(guó)的芯片代工廠更是承擔(dān)著發(fā)展過(guò)程自主芯片的使命,它們積極推進(jìn)自主技術(shù)研發(fā),到如今終于實(shí)現(xiàn)了28nm工藝的完全自主化,并提出到明年實(shí)現(xiàn)14nm工藝的完全自主化。

中國(guó)芯片制造廠能實(shí)現(xiàn)芯片制造技術(shù)的自主化,還與中國(guó)大陸的芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈的努力分不開(kāi),這幾年中國(guó)認(rèn)識(shí)到了芯片制造的重要性之后開(kāi)始推動(dòng)整條產(chǎn)業(yè)鏈的自主化,應(yīng)該也是產(chǎn)業(yè)鏈的自主化取得了進(jìn)展,幫助芯片生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)的完全自主化。

雖然國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)明年投產(chǎn)完全自主化的14nmFinFET與全球先進(jìn)技術(shù)水平還有較大差距,臺(tái)積電和三星預(yù)計(jì)明年投產(chǎn)3nm工藝,但是這對(duì)于中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)已具有重大的意義。畢竟中國(guó)是全球最大的制造國(guó),對(duì)芯片需求極大,除了部分先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)業(yè)需要最先進(jìn)的工藝制程,其他產(chǎn)業(yè)大多只需要采用成熟的技術(shù)制程。

對(duì)于華為來(lái)說(shuō),它同樣可以成熟的工藝技術(shù)生產(chǎn)出符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品,例如華為的電視芯片、汽車(chē)芯片系列,汽車(chē)芯片如今甚至主流工藝還是28nm,華為已積極進(jìn)軍汽車(chē)芯片行業(yè),如此華為今年可以28nm工藝生產(chǎn)汽車(chē)芯片,而到明年則以14nmFinFET工藝生產(chǎn)汽車(chē)芯片。

華為此前表示,即使暫時(shí)找不到芯片代工廠生產(chǎn)芯片也不會(huì)停止芯片研發(fā),如今隨著自主化的國(guó)產(chǎn)芯片制造工藝的投產(chǎn),它或許正迎來(lái)轉(zhuǎn)機(jī),麒麟系列芯片將再度現(xiàn)身,參與全球芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)。