MOS選型是很多采購和工程師的必修課，這也是幫助公司選擇出最適合的產(chǎn)品，提高產(chǎn)品的市場競爭力的手段，本期，合科泰帶大家好好了解MOS管的選型技巧，全面學(xué)好選型知識，做好元器件選型。

1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

N溝道MOS管通常用于低壓側(cè)開關(guān)，特別是當(dāng)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時。P溝道MOS管常用于高壓側(cè)開關(guān)，即當(dāng)MOS管連接到總線且負(fù)載接地時。

2、確定額定電壓和電流

額定電壓（VDS）需大于電路中的實際電壓應(yīng)力，并留有足夠的電壓余量以確保安全。額定電流（ID）根據(jù)電路中的最大預(yù)期電流來選擇，包括連續(xù)模式下的電流和可能的脈沖尖峰電流。

3、選取封裝類型

封裝選取原則有溫升和熱設(shè)計是選取封裝最基本的要求，系統(tǒng)的尺寸限制，公司的生產(chǎn)工藝等等。

4、選取耐壓BVDSS

BVDSS指在漏極與源極之間的最大擊穿電壓。當(dāng)在柵極和源極之間施加一定電壓時，源極和漏極之間的電壓突然增大，導(dǎo)致器件損壞的電壓值即為BVDSS。漏源擊穿電壓是MOS的一個重要參數(shù)，用于衡量其承受電壓的能力。MOS管的耐壓BVDSS通常由其工作在的應(yīng)用環(huán)境來決定，不同的應(yīng)用場景對耐壓值有不同的要求。在選擇MOS管時，需要確保其BVDSS大于電路中的最大工作電壓，并留有足夠的電壓余量以應(yīng)對可能的電壓波動和峰值電壓。為了確保MOS管在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作，建議選擇耐壓值略高于計算值的MOS管，或者采用并聯(lián)多個MOS管的方式以提高整體耐壓能力。

5、由驅(qū)動電壓選取VTH

在MOS的驅(qū)動電壓選取中，閾值電壓（VTH）是一個關(guān)鍵參數(shù)。VTH是MOSFET開始導(dǎo)通所需的柵極電壓（VGS）的最小值，也被稱為開啟電壓或門限電壓。VTH受多種因素影響，包括柵和襯底之間的功函數(shù)差、費米能級、耗盡區(qū)的電荷密度以及柵氧化層單位面積電容等。此外，不同的MOSFET產(chǎn)品由于其制造工藝和設(shè)計的不同，VTH值也會有所差異。

確保VGS > VTH，為了確保MOSFET能夠正常導(dǎo)通，驅(qū)動電壓（VGS）必須大于閾值電壓（VTH）。只有當(dāng)VGS超過VTH時，MOSFET的溝道才會形成，允許電流通過。

考慮裕量，在實際應(yīng)用中，為了確保MOSFET的穩(wěn)定性和可靠性，通常會選擇比VTH稍大的驅(qū)動電壓。這樣可以避免由于電壓波動或噪聲等因素導(dǎo)致的誤導(dǎo)通或不穩(wěn)定現(xiàn)象。不同型號的MOSFET在數(shù)據(jù)手冊中會給出其VTH的典型值、最小值和最大值。在選取驅(qū)動電壓時，應(yīng)參考這些數(shù)據(jù)以確保所選電壓在MOSFET的規(guī)格范圍內(nèi)。

6、選取導(dǎo)通電阻RDSON

很多時候工程師關(guān)心RDSON，是因為RDSON和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、溫升越低。

7、選取開關(guān)特性：Crss、Coss、Ciss；Qg、Qgd、Qoss

8、熱設(shè)計及校核

9、校核二極管特性

10、雪崩能量及UIS、dv/dt

還要評估開關(guān)速度，考慮MOS管的開關(guān)頻率和上升/下降時間。對于高頻應(yīng)用，需要選擇具有快速開關(guān)特性的MOS管。柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容，這些電容會影響MOS管的開關(guān)速度和效率。此外，也要關(guān)注內(nèi)部RG的大小、負(fù)載開關(guān)和熱插撥工作在線性區(qū)的問題、SOA特性，和EMI相關(guān)的參數(shù)等。

注意，中高壓MOSFET每個廠家命名不一樣，主要的參數(shù)，工程師在產(chǎn)品設(shè)計時都會留有余量，選型時在工程師要求的范圍內(nèi)即可。優(yōu)先滿足第1、2、3、4、5點。如客戶的產(chǎn)品是電源，可以通過輸入電壓電流大小和輸出電壓電流大小來選定一定范圍的MOSFET。

通過對合科泰列舉的這些選型技巧學(xué)習(xí)掌握，您就可以系統(tǒng)地選擇出最適合特定應(yīng)用的MOS管。在選型過程中，需要綜合考慮各種因素，并進(jìn)行權(quán)衡和取舍，以確保所選MOS管能夠滿足應(yīng)用需求并具有良好的性能和可靠性。