據日經亞洲援引知情人士稱，美光正在美國建設先進高帶寬內存芯片（HBM）的測試生產線，并首次考慮在馬來西亞生產HBM，以滿足人工智能熱潮帶來的更多需求。

在2023年10月，美光在馬來西亞檳城的第二座智能（尖端組裝與測試）工廠落成開業， 該工廠初期投入了10億美元，在第一座工廠建成后，再加碼10億美元擴建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴充至150萬平方尺。

美光科技全球組裝與測試營運高級副總裁古沙蘭辛格(Gursharan Singh)頃于慶祝該公司45周年紀念及第二座智慧廠房開幕儀式后表示，馬來西亞是美光科技最關鍵之投資據點，該集團計劃于未來幾年內，全面裝備新廠房，以提高馬國美光科技之生產率，并加強其組裝與測試能力，提供先進的NAND、PCDRAM及SSD模組，以滿足人工智慧與電動車等不斷成長之需求。

近年來，人工智能服務器以及人工智能應用的爆炸式增長，HBM得到迅速采用，推動了內存領域前所未有的產能增長。作為回應，領先的 DRAM 制造商正在增加對 HBM/DRAM 的投資。SEMI 最新《世界晶圓廠預測》季度報告中，預計 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都將增長 9%。

英偉達對美光HBM的需求旺盛。根據市場研究機構Yole的預測，僅英偉達一家對HBM的需求在未來幾年內就有望超過百億美元。此外，美光宣布其最新的HBM3E產品將用于英偉達的H200 Tensor Core GPU。

英偉達是臺積電的大客戶之一，臺積電新任董事長魏哲家此前就抱怨過英偉達的產品太貴，魏哲家表示：“我們希望我們的客戶能與我們分擔一些更高的成本，我們已經開始與客戶進行討論。”黃仁勛也認為臺積電漲價是合理的。TrendForce稱，臺積電在AI應用、PC新平臺等HPC應用及智能手機高端新品推動下，5/4nm及3nm呈滿載，今年下半年產能利用率有望突破100%，且能見度已延伸至2025年。

為滿足英偉達大量的HBM產能需求，美光和SK海力士的HBM產能已經排到2025年底。英偉達正在對三星和美光科技的HBM進行資格認證。今年5月，路透社報道，三星電子最新的HBM芯片尚未通過英偉達測試。不過，黃仁勛在 2024 臺北國際電腦展上，表示仍在認證三星公司的 HBM 內存，否認三星 HBM 未通過英偉達測試，并表示認證三星 HBM 需要更多工作和耐心。

報道稱，美光計劃在2025年將HBM領域的市場份額快速提升至約20%，以匹配其在DRAM行業整體營收中的份額。消息人士透露，美光正在其位于美國愛達荷州博伊西的總部擴建與HBM相關的研發生產設施，這包括技術驗證產線和量產線。

美國拜登政府已經宣布，美光獲得了美國商務部提供的 61.4 億美元的直接資金補貼，這些資金將幫助美光將40%的動態隨機存取存儲器（DRAM）產能轉移到美國。

援引路透社消息稱，這項投資將推動美光公司在紐約州中部實施其價值 1000 多億美元的四座晶圓廠項目，預計創造 50,000 個就業崗位。

據了解，美光會先在紐約建設兩座領先的動態隨機存取存儲器 (DRAM) 工廠，這是美光在未來20年內投資約 1000 億美元的長期投資計劃的第一步。該資金還將支持美光在愛達荷州的 DRAM 工廠投資250億美元，該工廠將與美光在博伊西的研發設施位于同一地點。

美光也在日本擴產，美光獲得日本政府半導體補助后，就宣布將在日本廣島縣投資6,000億至8,000億日圓（約38億至51億美元），興建一座采用極紫外光（EUV）微影制程的先進DRAM晶片廠，最快2026年初動工，2027年底開始營運。

美光打算在日本增設的新廠，最初預定日本新廠在今年之前開始營運，明年之前開始生產先進DRAM芯片，同時進行HBM芯片研發，但前兩年存儲芯片市況低迷讓日本建廠計劃暫停，直到近日才重啟計劃。

資金方面，日本政府將提供1,920億日圓補助，其中1,670億日圓直接補助先進DRAM生產，占美光對廣島廠生產線投資額的三分之一。日本政府將其余250億日圓補助款用來協助美光推動新一代芯片研發，占美光廣島廠研發經費的二分之一。

據TrendForce報道，美光在廣島的新工廠位于現有的Fab 15附近，專注于 DRAM 生產，不包括后端封裝和測試，并將重點放在 HBM 產品上。

美光科技廣島新工廠將率先采用極紫外 (EUV) 光刻設備，生產中國臺灣和日本合作開發的新型先進 1-Gamma 工藝 DRAM。隨后，該工廠還將過渡到 1-Delta 工藝，從而大幅增加 EUV 工具的使用量和更高的潔凈室設施。

至于位于廣島的Fab 15，則是HBM的量產基地，負責前端晶圓生產和硅通孔（TSV）工藝，而后端堆疊和測試工藝則由中國臺灣臺中后端工廠負責。TechNews援引的市場報告表明，由于HBM需求不斷增長，美光在臺灣的工廠將從明年開始投入HBM生產和TSV工藝。

由于美光需要加速滲透HBM市場，且2025年產能已被客戶滿訂，興建新廠勢在必行，并計劃在2025年維持HBM產品線市占率20%至25%，爭取追平傳統DRAM的水平。