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Qorvo 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革

2024-06-12 來源:Qorvo
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關鍵詞: Qorvo 電路保護 SiC UJ4N075004L8S

2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計,UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優點在上述應用中至關重要。


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UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件。較低的導通電阻使發熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產品小 40%。新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求,且無需復雜的冷卻系統即可運行,加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態斷路器(SSCB)的轉型。

“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續領導 SiC 電源產品的創新,以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發展。”Qorvo SiC 電源產品業務產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產品是這一技術演進中的重要里程碑。”

Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用,能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現關斷,非常適合應對電路保護領域的挑戰。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結溫而不發生性能劣化或參數漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態的系統中,并在故障條件下轉為關斷狀態。

UJ4N075004L8S 現已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產;屆時,Qorvo 還將推出更多 JFET 產品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產品,均采用 TO-247 封裝。



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