穩(wěn)了,國內(nèi)193nm的DUV光刻機(jī),也能制造5nm芯片
關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) 半導(dǎo)體 芯片
眾所周知,光刻機(jī)是當(dāng)前國產(chǎn)所有半導(dǎo)體設(shè)備中,相對最落后的一種。而光刻機(jī)又是芯片制造中,必不可少的一種,同時(shí)也是美國限制我們的一種。
所以在當(dāng)前情況之下,能不能從國外買到先進(jìn)光刻機(jī),成為了國內(nèi)芯片制造技術(shù)能不能突破的關(guān)鍵之一了。
比如芯片工藝要進(jìn)入40nm必然使用浸潤式DUV光刻機(jī)(ArFi),但這種浸潤式DUV最多也就使用至7nm,而進(jìn)入7nm以下,必須使用EUV光刻機(jī)……
如下圖所示,ASML的光刻機(jī)型號,是對應(yīng)一代又一代芯片工藝的,理論上來講,上一代的光刻機(jī),很難撐起一下代芯片技術(shù)。
這也是ASML營收的根本,不斷推出新光刻機(jī),推動芯片工藝前進(jìn)。
不過大家也都清楚,目前我們買不到EUV光刻機(jī),國內(nèi)所擁有的只有波長為193nm的ArFi光刻機(jī),也就是浸潤式DUV光刻機(jī)。
按照ASML的說法,這種光刻機(jī),最多也就支持到7nm,且制造7nm芯片時(shí),還要經(jīng)過多重曝光才行,導(dǎo)致成本上升,良率下降。
那么沒有EUV光刻機(jī),是不是意味著我們的芯片工藝,就只能鎖死在7nm,再也無法前進(jìn)了么?
而近日,有國外的半導(dǎo)體科研人員表示,193nm的浸潤式DUV光刻機(jī),其極限絕不只是7nm,在通過多重曝光之后,是可以實(shí)現(xiàn)5nm工藝的。
并且經(jīng)過實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證,193nm的浸潤式光刻機(jī),利用多重曝光技術(shù),通過多次疊加和疊加修正,甚至能夠超越5nm的芯片工藝。
因?yàn)楝F(xiàn)在的芯片工藝并不是與柵極寬度是對應(yīng)的,更多的是一種等效工藝,故這種光刻機(jī)是完全可以實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)然相比于利用EUV光刻機(jī),確實(shí)步驟復(fù)雜一些,成本也會高一點(diǎn),良率相應(yīng)的也降低一些。
但是,在沒有EUV光刻機(jī)的前提之下,利用這種193nm的浸潤式DUV,確實(shí)是可以生產(chǎn)5nm的芯片出來的。
不過,雖然技術(shù)是這樣,但我認(rèn)為,我們沒有必要強(qiáng)上5nm而5nm,就只制造7nm也蠻好的,因?yàn)?nm和5nm相比,性能并不會有實(shí)際性的大提升,7nm也夠用的情況下,強(qiáng)行上馬5nm并無商業(yè)意義,你覺得呢?
當(dāng)然,最終還是希望國產(chǎn)EUV光刻機(jī)早點(diǎn)推出,這才是解決問題的關(guān)鍵,一旦我們擁有了EUV光刻機(jī),一切禁令都成為廢紙,這才是真正的終極破局之法。
