據媒體報道，三星將在2024年下半年開始大規模量產3nm Exynos處理器，命名為Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首發搭載。

資料顯示，去年臺積電率先量產商用3nm制程，由蘋果A17 Pro、M4首批搭載。

時隔一年時間，高通、聯發科也將擁抱3nm制程，今年下半年，高通驍龍8 Gen4、聯發科天璣9400等都將切入臺積電3nm工藝。

現在三星即將推出3nm芯片Exynos 2500，在3nm制程上，三星率先應用了全環繞柵極工藝（GAA，全稱Gate-All-AroundT），打破了FinFET技術的性能限制。具體而言，三星3nm GAA工藝通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時通過增加驅動電流增強芯片性能。

與5nm制程相比，三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。


能否拿下英偉達訂單

繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務就是在代工業務方面搶下GPU大廠英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風險，三星電子迫切尋求機會，為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。

韓國媒體報導，根據市場人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經在內部制定「Nemo」計劃，也就是要贏得英偉達3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務。市場人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對英偉達的相關接單工作列為優先。不過，現階段三星代工部門內并未成立專門的組織。

事實上，英偉達先前曾于2020年將消費型GPU的GeForce RTX 30委托給三星的8納米制程技術來代工，而且至今仍在進行生產當中。不過，近期英偉達陸續堆出采用先進制程的GPU訂單，大多數都由競爭對手臺積電所拿下。另外，目前英偉達的AI芯片，包括「H100」和「A100」也都是透過臺積電的4納米和7納米制程所制造的，導致三星晶圓代工業務陷入發展瓶頸。

業界認為，三星電子將于2024年上半年量產第二代3納米GAA技術制程，而量產的關鍵就在于贏得英偉達產品的代工訂單，并縮小與臺積電之間的差距。為此，市場傳出三星晶圓代工部門開始不惜一切代價，進一步確保第二代3納米GAA技術制程良率。有韓國市場分析師指出，2024年因為地震等不穩定的風險顯現，是縮小與臺積電差距的最佳時機。

臺積電與三星的3nm工藝之爭

臺積電作為全球晶圓代工龍頭，其3nm工藝營收占比正在逐年攀升。根據最新財報，2023年第四季度3nm工藝營收占比已達15%，預計2024年將超過20%，成為其主要收入來源。

蘋果、AMD等科技巨頭紛紛下單，成為臺積電3nm工藝的主要客戶。蘋果A17 Pro、M3系列芯片均采用臺積電3nm工藝制造，良率已達90%，全球領先。AMD今年也將推出基于Zen 5架構的一系列3nm工藝制造的芯片，預計下半年到來。

而三星則是第一家開始大規模生產3nm工藝的企業，其3nm GAA工藝率先量產，但良率初期僅10-20%，遠低于臺積電。三星并未放棄，第二代3nm工藝有望趕超臺積電。首款產品為加密貨幣礦機芯片，傳聞功耗、性能等指標甚至能與臺積電3nm工藝相媲美。

兩家巨頭在3nm工藝上你來我往，誰更勝一籌還需視具體應用場景評估。但可以肯定的是，無論最終勝者是誰，消費者都將從中獲益。


3nm工藝面臨的挑戰

任何新技術的發展都不會一帆風順。3nm工藝也面臨著一些棘手的挑戰，需要芯片制造商付出艱苦的努力。

工藝窗口較窄，不適合所有應用。由于制程工藝的復雜性，3nm工藝的生產參數范圍很小，如果超出這個范圍就可能導致良率問題。3nm工藝可能只適用于對性能要求極高的產品線。

研發時間延長，節點推進放緩。由于工藝復雜程度的提高，3nm工藝的研發周期比以往更長，未來新節點的推進速度也將放緩。

良率問題是主要瓶頸。正如三星3nm工藝初期良率只有10-20%的狀況，良率的提升是3nm工藝量產的最大挑戰。只有良率達到一定水平，才能保證芯片的供給和可承受的成本。

這些挑戰都需要代工廠和芯片設計公司通力合作，共同攻克。只有這樣，3nm工藝才能真正釋放出它的巨大潛力。

未來

2nm工藝已經蓄勢待發，三大巨頭臺積電、三星、英特爾正在為這個新的制高點而角逐。他們都希望能夠搶占先機，在這個新的戰場上占據優勢地位。

隨著先進工藝的不斷推進，人工智能、云計算、自動駕駛等領域必將迎來新的創新浪潮。高性能、低功耗的芯片將為這些創新提供強有力的支撐，推動科技的進步。

中國大陸的芯片產業也在加速追趕。雖然與國際巨頭仍有一定差距，但憑借著堅實的基礎和不懈的努力，未來幾年內有望縮小這一鴻溝。