隨著存儲產品價格回升，賽道內企業迎來業績兌現。4月17日，佰維存儲披露2024年第一季度業績預告，預計報告期內營業收入17億元至18億元，同比增長299.54%至323.04%；預計歸母凈利潤1.5億元至1.8億元，同比增長219.03%至242.84%。

除佰維存儲之外，還有瀾起科技、德明利、全志科技等多家存儲產業鏈上市公司已披露2024年第一季度業績預告，根據預告，這些公司集體迎來業績爆發，一季度預計歸母凈利潤同比增幅下限均超200%。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷在接受《證券日報》記者采訪時表示：“2024年第一季度，存儲產品價格環比上漲幅度達到20%左右。接下來的第二季度，價格上漲趨勢將延續，具體漲幅有待觀察，賽道內企業有望持續受益。”

業績集體高增

多家存儲上市公司在業績預告中提到，下游市場需求恢復帶動業績高增。

佰維存儲方面表示，2023年第四季度以來，存儲行業回暖，下游客戶需求持續復蘇，公司大力拓展國內外一線客戶，產品銷量同比大幅提升。同時，存儲產品價格持續回升，公司經營業績不斷改善。此外，公司在存儲解決方案研發、芯片設計、先進封測和測試設備等領域不斷加大研發投入，持續增強核心競爭力，2024年第一季度研發費用約為1億元，同比增長超200%。

全球內存接口芯片龍頭瀾起科技業績預告顯示，公司預計2024年第一季度營業收入7.37億元，同比增長75.74%；預計實現歸母凈利潤2.1億元至2.4億元，同比增長9.65倍至11.17倍。自今年年初以來，內存接口芯片需求實現恢復性增長，公司部分新產品開始規模出貨，推動公司2024年第一季度收入及凈利潤較上年同期大幅增長。

智帆海岸機構首席顧問、資深產業經濟觀察家梁振鵬向《證券日報》記者表示：“存儲產品價格自2023年第三季度末進入上升通道，行業內上市公司的盈利能力整體得到改善。其中，卡位中高端存儲市場的上市公司更有競爭優勢，一些公司在最近幾個季度陸續走入盈利通道。”


行業周期反轉，供需格局優化

原廠減產推動市場反轉：存儲芯片廠商在2022年四季度啟動減產計劃，有效緩解了市場供過于求壓力。進入2023年下半年，市場需求回暖，原廠持續推動價格上漲，市場預期顯著改善。

行業周期步入新起點：存儲芯片行業遵循約3-4年的完整周期規律，當前正處于第五輪周期的起點。AI需求激增與數字經濟對存儲能力的渴求，共同推動存儲芯片供需格局持續優化，提前進入復蘇周期。

原廠業績反轉，提價意愿強烈：盡管各大原廠業績環比改善顯著，但距離上行周期的盈利水平仍有差距，提價需求強烈。主力存儲產品價格有望延續漲勢，國內存儲廠商業績已于2023年四季度初現曙光，預計2024年一季度將進一步修復。


存儲芯片漲價能否持續？

受全球半導體市場需求下滑的影響，2022年下半年開始鎧俠、美光、SK海力士等存儲芯片大廠就開始陸續進行了減產，隨后三星也在2023年二季度開始了減產，以期改善供需結構，提升業績。而隨著減產效應的顯現，以及2023年三季度以來市場需求的回暖，原廠開始紛紛推動DRAM和NAND Flash芯片價格上漲。

此前的報道顯示，2023年四季度三星對其DRAM及NAND Flash芯片報價都上調了10%至20%。研究機構TrendForce的數據顯示，2024年第一季NAND Flash合約價環比漲幅約15%~20%，并預計NAND Flash第二季度的合約價格將會繼續上漲13~18%。美光公布的財報顯示，其截至2024年2月29日第二財季的DRAM平均價格上漲了10%，NAND Flash的平均價格漲幅更是超過了30%。

根據相關原廠最新公布的一季度業績也顯示，受益存儲芯片價格上漲，營收及利潤均出現了大逆轉。

美光截至2024年2月29日的2024財年第二季財報顯示，該季營收同比大漲58%（環比增長23%）至58億美元，GAAP(依照公認會計準則)凈利潤為7.93億美元，Non-GAAP凈利潤為4.76億美元，實現扭虧為盈。

三星電子公布的2024年第一季度初步業績顯示，該季度三星電子實現營業利潤約為6.6萬億韓元（約合353.76億元人民幣），同比暴漲931.25%，結束了自2022年第三季度以來連續六個季度的下滑，甚至將超過2023年全年營業利潤（6.57萬億韓元）。

但是從美光財報的具體表現來看，其DRAM和NAND Flash價格都出現了大幅的上漲，但是僅有DRAM出貨量存在個位數百分比的增長，NAND Flash的出貨量卻出現了低個位數百分比的下降。顯然，這一輪的存儲芯片漲價潮主要還是原廠主動減產和強勢漲價推動下所導致的，并不是由于市場需求持續增長所帶動的。這也給后續的漲價能否維持帶來了不確定性。

據韓國媒體《朝鮮日報》報道，三星電子今年一季度在韓國平澤和中國西安NAND Flash閃存生產線的晶圓投片量，相較上一季將提升了約30%。但是，三星方面對進一步的增產仍然保持謹慎態度，希望避免影響到NAND Flash的價格漲勢。目前三星內部對今年第二到四季的單季晶圓投片量均設下了120萬片的上限（總產能200萬片），這代表著其整體產能利用率只維持在60%以下。同樣SK海力士也已經設定了每季度約60萬片的NAND Flash晶圓投片量的上限，整體產能利用率也在50%~60%左右。

顯然，從上游存儲芯片原廠對于今年產能控產的趨勢來看，他們對于今年市場對于存儲芯片整體實際需求增長的預期并不樂觀。依然是希望靠著控制供給來維持漲價。

對于存儲芯片原廠下游的模組廠商來說，存儲芯片原廠推動價格上漲會直接傳到他們身上，使得他們的成本上升，而為了轉嫁成本上漲壓力，存儲模組廠商必然需要對下游的終端客戶也進行漲價。

但是，目前雖然企業級儲存及云端服務器應用的需求不錯，特別是AI帶動了對于HBM、LPDDR5的需求，但消費類及其他應用市場的對于DRAM和NAND Flash需求卻并不穩定，只能說是剛剛回暖，存儲芯片的價格漲幅遠高于市場（特別是消費類市場）需求的增長。所以，對于下游的終端客戶來說，如果市場實際需求并不那么旺盛，可能是不愿意接受大幅漲價的，這也會在一定程度上抑制客戶端的需求。

所以，對于存儲模組廠商來說，其將會夾在上游的存儲芯片原廠要求漲價、以及下游的大客戶抵抗漲價之間，兩頭承壓，畢竟存儲模組廠商不論是對上游的存儲芯片原廠，還是對下游的大客戶，都缺乏足夠的議價權。


中國存儲芯片行情不容樂觀

對于中國來說，存儲芯片的價格上漲并不是一個好消息。眾所周知，中國是一個芯片進口大國。在2022年，中國買走了全球30%的存儲芯片，超過1000億美元。

其中大約430億美元的芯片用在中國自己的產品身上，而剩下的芯片則被裝配在了HP、DELL、蘋果等國外品牌產品中。

而按照目前存儲芯片的漲幅趨勢來看，2024年，在購買同樣數量芯片的情況下，中方企業至少要多出500億美元的資金，換算成人民幣已經接近3600億元，可以說之所以要出這筆“冤枉錢”，就是我國為自研能力不足所付出的代價。

而之所以形成這種情況，并不是我國的企業對科研不熱衷或者投入不夠，而是因為美國想要收割中國，就不能讓中國在技術上有所突破。

其實自2022年下半年起，中國芯片行業尤其在存儲芯片領域就已經取得顯著突破，當時中國率先實現了全球最先進的232層NAND flash芯片的量產，這一成就打破了美日韓長期以來在存儲芯片市場的壟斷地位。

而面對中國存儲芯片技術的快速進步，美國等國家開始采用各種手段限制中國的技術發展。這包括限制向中國出口關鍵的半導體制造設備，以及限制向中國出口高性能的芯片，從而對中國存儲芯片企業的技術發展構成阻礙。

在這種外部壓力下，中國的存儲芯片研發進度相對放緩，而美日韓的企業則加快了自己的技術研發步伐。

到2023年，中國存儲芯片企業的技術發展仍然停留在232層NAND flash上，而此時，美日韓的存儲芯片企業已經宣布成功研發出300層以上的NAND flash存儲芯片。而美、日等國家就是依靠這種技術優勢建立了定價權，而中國企業能做的只有“乖乖掏錢”。

在這種關鍵時候，像長江存儲這種行業龍頭企業，應該發揮其自身的技術優勢，改變這種被動的局面。

長江存儲，作為中國自主研發的存儲芯片生產企業，擁有突破外部限制、提升國內產業鏈自給自足能力的關鍵機遇。面對當前的市場形勢，長江存儲等國內企業應采取哪些策略來應對呢？

長江存儲應該加大技術研發投入，縮小與國際領先企業的技術差距，特別是在NAND flash等關鍵領域，爭取在下一個技術更迭周期中取得領先。

中國企業在2022年下半年就實現了232層NAND flash芯片的量產，這表明中國在高端存儲技術領域具備突破的潛力。只是被美國采取的封鎖政策“封印”住了實力而已。

而要打破美國的封鎖，就要增強供應鏈的穩定性和自主可控能力，通過多元化策略減少對單一國家或地區的依賴。面對外部壓力，尋求國內外合作伙伴，共同構建更加堅韌的供應鏈體系。

除了企業自身的努力，國家層面和企業層面應同步推進，不僅加強芯片產業的戰略規劃和政策支持，同時鼓勵企業間的合作與整合，提升整個產業鏈的競爭力和影響力。