英特爾近日發(fā)布了1.4nm工藝的首秀，這個突破性的技術(shù)再次將英特爾推向了全球晶圓代工技術(shù)的前沿。

英特爾近年來在芯片制造工藝上經(jīng)歷了一些挫折，曾經(jīng)的技術(shù)路線誤判導致制程落后，讓競爭對手如臺積電和三星等逐漸擴大市場份額。然而，英特爾并未放棄追趕的努力，而是通過轉(zhuǎn)型和計劃，加速技術(shù)進步，以重新確立自己在全球晶圓代工技術(shù)的領(lǐng)導地位。最新的1.4nm工藝的推出，標志著英特爾在晶圓代工領(lǐng)域的巨大突破。

根據(jù)報道，14A工藝將帶來更高的性能和更低的能耗，為未來的芯片制造提供了更強大的支持。在Intel Foundry Direct Connect大會上，英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格透露了英特爾的最新代工進展，涉及到1.4納米制程、新的客戶合作和代工模式，同時表達了對2030年成為全球第二大代工廠的雄心壯志。英特爾首次公布了14A制程以及其演進版本14A-E。


1、擴展「四年計劃」，英特爾工藝路線圖再刷新

按照基辛格在 2021 年制定的計劃，英特爾將在 4 年內(nèi)更新 5 個工藝節(jié)點。在 Intel 7 之后，Intel 4 已經(jīng)在最新的酷睿 Ultra 移動處理器上落地，官方宣稱其代表著英特爾 40 年來最重大的架構(gòu)變革。

另一邊，Intel 3（名義上是 3nm）已經(jīng)準備就緒，英特爾去年 7 月就宣布了 Intel 3 工藝在產(chǎn)能和性能方面達標，將于 2024 年發(fā)布的兩款至強處理器——Granite Rapids 和 Sierra Forest（分屬 P-Core 和 E-Core 產(chǎn)品線）都將采用 Intel 3 工藝進行制造。

作為英特爾的第一個大批量 EUV（極紫外）節(jié)點，Intel 3 還將在未來幾年推出不同版本，包括將于今年推出支持硅通孔（TSV）的 Intel 3-T、將于 2025 年推出功能擴展的 Intel 3-E 以及更之后基于第二代 TSV 技術(shù)帶來更高性能的 Intel 3-PT。

再之后，英特爾還將陸續(xù)正式推出采用 PowerVia 背面供電技術(shù)的 20A（2nm）、18A（1.8nm）工藝。

20A 節(jié)點命運多舛。原本英特爾 Arrow Lake 以及高通都計劃采用 20A 工藝，但后續(xù)不斷有消息指出，Arrow Lake 已經(jīng)轉(zhuǎn)向臺積電 3nm。包括基辛格剛剛也證實，即將推出的兩款處理器均將采用臺積電 3nm 工藝制造。

而根據(jù)天風國際分析師郭明錤去年的一份報告，高通也早已停止開發(fā) Intel 20A 芯片。同時還傳出 20A 工藝將僅供英特爾產(chǎn)品部門采用，不會主動面向第三方客戶提供。在英特爾最新的路線圖中，也沒有推出 20A 后續(xù)工藝版本的任何計劃，在某種程度也佐證了之前的傳聞。

微軟將基于 Intel 18A 工藝制造芯片。

微軟沒有明說這款芯片的詳情，但就在去年末，微軟剛剛發(fā)布了兩款與人工智能息息相關(guān)的自研芯片—— Maia 100 AI 芯片和 Cobalt 100 CPU。如果不出意外，就是這兩款芯片將采用英特爾最新的 18A 工藝。

此外，英特爾在最近剛剛完成了 18A 主要產(chǎn)品 Clearwater Forest 的流片，后續(xù)還計劃推出性能提升的 18A-P 節(jié)點。

而在這版路線圖中，除了一系列迭代版本的增加，最值得關(guān)注的部分還是首次公布了 14A（1.4nm）及其迭代版本 14A-E，這將是英特爾真正重回全球晶圓代工技術(shù)領(lǐng)導者的關(guān)鍵。


2、從 14nm 到 14A，英特爾要反超臺積電

如果從 2015 年推出采用 14nm 工藝的 Skylake 算起，到 2025 年英特爾正式投入 18A 工藝的量產(chǎn)，正好是 10 年。這 10 年中，英特爾有 7 年始終困在從 14nm 到 10nm 的升級，而留給英特爾從 10nm 跨越到 18A（1.8nm）的時間，滿打滿算也只有：3 年。

如果可以如期實現(xiàn)，這將是一場技術(shù)和工程的「奇跡」。而屆時，英特爾也將在工藝制程上完成對領(lǐng)先集團（臺積電、三星）的追趕。

按照目前英特爾和臺積電的路線圖，英特爾將在 2025 年實現(xiàn) 18A 工藝的量產(chǎn)，臺積電 2nm 也將在 2025 年正式投入量產(chǎn)。

這里需要指出的是，雖然英特爾的 18A 工藝名義上是 1.8nm 制程，基辛格也多次強調(diào)該制程相比臺積電 2nm 工藝的領(lǐng)先，但實際比較晶體管密度，兩者相差無幾，也都采用下一代 GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)。

目前來看，英特爾 18A 更直接的優(yōu)勢還是來自獨有的背面供電技術(shù)等，當然臺積電 2nm 也會有一些獨有的技術(shù)優(yōu)勢。但總體而言，英特爾 18A 工藝實際對標就是臺積電、三星的 2nm 工藝。

換言之，英特爾要到下一個工藝節(jié)點—— 14A 才可能真正反超臺積電。

按照英特爾的計劃，他們將于 2027 年前開發(fā)出 14A 工藝，并且將在該節(jié)點首次采用 ASML 的 High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機。事實上，光刻機巨頭 ASML 去年末就在 X（原 Twitter）上宣布首套 High-NA EUV 光刻機正從荷蘭 Veldhoven 總部開始裝車發(fā)貨，將向英特爾俄勒岡廠進行交付：

「我們很高興、也很自豪，能夠向英特爾交付我們的第一個 High-NA EUV 系統(tǒng)。」

按照 ASML CEO Peter Wennink 的說法，單臺 High-NA EUV 的價格在 3 億到 3.5 億歐元（約合人民幣 22.6 億元到 26.4 億元）之間，英特爾的首發(fā)搶購，也恰恰說明了其對奪回技術(shù)領(lǐng)導者地位的迫切和重視。

事實上，英特爾的轉(zhuǎn)型和進步已經(jīng)得到了市場的認可。微軟就是其中的一個典型案例。他們決定基于英特爾的18A工藝制造芯片，這無疑是對英特爾技術(shù)實力和未來發(fā)展?jié)摿Φ木薮罂隙ā６@一合作也將進一步推動英特爾在晶圓代工領(lǐng)域的崛起和發(fā)展。

英特爾通過晶圓代工模式和最新的芯片工藝進展，正在努力實現(xiàn)追趕并超越競爭對手的目標。他們?nèi)碌?.4nm工藝（14A）不僅展示了他們在技術(shù)上的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新實力，更彰顯了他們在全球晶圓代工市場的雄心壯志和堅定決心。我們有理由相信，在未來的競爭中，英特爾將憑借其卓越的技術(shù)和不懈的努力，重新奪回晶圓代工領(lǐng)域的王者之位。