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三星公布新 2.5D 封裝技術(shù),電氣工程專家認(rèn)為仍存缺陷

2021-05-12 來源:中電網(wǎng)
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上周四,韓國半導(dǎo)體巨頭三星宣布,其下一代 2.5D 封裝技術(shù) I-Cube4 即將上市,該技術(shù)提升了邏輯器件和內(nèi)存之間的通信效率,集成 1 顆邏輯芯片和 4 顆高帶寬內(nèi)存(HBM)。

另外,該技術(shù)還在保持性能的前提下,將中介層(Interposer)做得比紙還薄,厚度僅有 100μm,節(jié)省了芯片空間。

加拿大電氣工程技術(shù)專家阿德里安?吉本斯(Adrian Gibbons)對 I-Cube4 作了較為詳細(xì)的解讀。

一、高性能計(jì)算需求不斷提升,封裝設(shè)計(jì)難度提高

在過去的幾年中,高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域的需求一直在穩(wěn)定增長,ML(機(jī)器學(xué)習(xí))在 5G 邊緣的應(yīng)用更是加大了這一需求。

過去的幾年,在 3D NAND 等器件中,2.5D 和 3D 芯片堆疊正在逐步取代傳統(tǒng) IC 封裝設(shè)計(jì)。

據(jù)阿德里安介紹,相比傳統(tǒng)的封裝技術(shù),2.5D 封裝技術(shù)具備三項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢,分別是較低的芯片空間(footprint efficiency)、優(yōu)秀的熱管理和更快的運(yùn)行速度。

當(dāng)下,在超算、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,CPU、GPU 的內(nèi)核數(shù)量不斷增加,熱管理的難度也在不斷提升。

三星的新型 I-Cube4 封裝技術(shù)包含 4 個 HBM 和 1 個邏輯芯片,通過異構(gòu)集成,提升了邏輯和內(nèi)存之間的訪問速度與電源效率,并能夠應(yīng)用于高性能計(jì)算、AI、5G、云等多種應(yīng)用。

▲ 中介層可堆疊實(shí)現(xiàn)高帶寬內(nèi)存接口(來源:Bo Pu)

二、三星控制中介層厚度,降低互連

中介層是多個芯片模塊或電路板傳遞電信號的管道,也是插口或接頭之間的電信號接口。

一般來說,隨著芯片復(fù)雜度的提升,硅底中介層也會越來越厚,但 I-Cube4 的中介層厚度僅有 100μm,提升了產(chǎn)品性能。

據(jù)阿德里安介紹,I-Cube4 的 2.5D 封裝技術(shù)降低了空間占用和功率損耗,也使互連較小,加強(qiáng)了產(chǎn)品的熱管理。

另外,HBM 信道中的電信號完整性也是一個關(guān)鍵參數(shù)。通過將基準(zhǔn)眼圖掩模應(yīng)用到電信號的眼圖(Eye masks)上,可確定實(shí)際電路的傳輸質(zhì)量,是評估信號完整度的最佳方式之一。

所以三星的研究人員采用該方法比較了兩種不同的圖層拓?fù)洌╨ayer topologies),以評估最佳性能,還將兩種不同結(jié)構(gòu)下的走線(trace)寬度和各走線之間的距離進(jìn)行了比較。

▲ 眼圖的 6 毫米走線(左)和 9 毫米走線(右)(來源:Bo Pu)

通過研究,三星研究人員發(fā)現(xiàn),兩種結(jié)構(gòu)在 3μm 處的性能相似,是其走線之間最小距離的 3 倍,遵循被稱為 3W 的布線原則。這是因?yàn)樵?PCB 設(shè)計(jì)中,走線之間會產(chǎn)生干擾,應(yīng)保證線間距足夠大。當(dāng)線中心間距不少于 3 倍線寬時,則可保持 70% 的電場不互相干擾,這種布線規(guī)則稱為 3W 原則。

最后,三星還針對 I-Cube4 開發(fā)了無模具架構(gòu)(mold-free structure),通過預(yù)篩選測試,在制造過程中找出缺陷產(chǎn)品,從而有效地提升成品率。另外,這也減少了封裝步驟,節(jié)省了成本并縮短了周轉(zhuǎn)時間。

三、寄生參數(shù)或影響其產(chǎn)品性能

不過阿德里安提到,I-Cube4 為了獲得高計(jì)算性能,需要 HBM 盡可能地接近邏輯芯片,這也造成了寄生參數(shù)(parasitic parameter)的出現(xiàn)。

雖然寄生參數(shù)一般出現(xiàn)在 PCB 板的設(shè)計(jì)中,主要產(chǎn)生的原因是電路板和器件自身引入的電阻、電容、電感等互相干擾,但這一問題也會出現(xiàn)在晶圓層面上。這些寄生參數(shù)會影響產(chǎn)品的性能,使其無法達(dá)到設(shè)計(jì)數(shù)值。

此外,過薄的中介層也容易出現(xiàn)彎曲或翹起等現(xiàn)象。據(jù)三星官網(wǎng)介紹,三星的研究人員通過選擇合適的中介層材料與厚度,解決了這一問題。

三星代工部門市場戰(zhàn)略高級副總裁 Moonsoo Kang 認(rèn)為,I-Cube4 的開發(fā)對三星的客戶至關(guān)重要。他說:“隨著高性能計(jì)算的爆炸式增長,提供一種具有異構(gòu)集成技術(shù)的整體封裝解決方案至關(guān)重要,I-Cube4 提高了芯片的整體性能和電源效率。”

▲ I-Cube4 封裝結(jié)構(gòu)渲染圖(來源:三星)

結(jié)語:I-Cube4 或提高其晶圓代工實(shí)力

封裝技術(shù)作為芯片制造的最后一道工序,既可以防止空氣中的雜質(zhì)腐蝕芯片電路,也是芯片與外部電路的橋梁,直接影響著芯片散熱等性能。

一方面,存儲帶寬較低,存儲與邏輯芯片之間存在一堵“內(nèi)存墻”;另一方面,高性能處理器的結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,生產(chǎn)效率較低。

為了解決這些問題,臺積電、英特爾、三星等芯片巨頭都在加速對封裝技術(shù)的部署,三星本次推出的 I-Cube4 意味著其封裝技術(shù)的再一次進(jìn)步,可以提升三星代工業(yè)務(wù)的芯片良品率、降低封裝成本,或?qū)恼w上提升其晶圓代工業(yè)務(wù)的競爭力。



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