二極管與三極管都是常用的電子元器件，二極管是一種具有兩個電極的電子元件，并且只允許電流由單一方向流過，反向時阻斷電流。三極管（BJT）是一種電流控制型半導體器件，由兩個PN結組成，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區。那么二極管、三極管參數有哪些？下面一起來了解下吧。


三極管的主要參數

①集-射最大反向電壓（VCEO）：基極開路時，集-射極耐電壓值，超過此值會擊穿三極管。

②集電極工作電流（ICRM）:集電極允許長期工作的電流。

③集電極最大功率（PCM）：最大允許耗散功率，實際功率過大，三極管會燒壞。

④電流放大倍數（HFE）:共射電路集電極與基極電流的比值，β=IC/IB。

⑤特征頻率（FT）：頻率升高，β下降到1時對應的頻率值。就是說在這個頻率下工作的三極管，已失去放大能力，因此在選用三極管時，一般管子的特征頻率品要比電路的工作頻率至少高出3倍以上，但不是越高越好，如果選的太高，就會引起電路的振蕩。

注：三極管飽和導通基極電流條件：Ib*β》Ic≈Vcc/Rc（電源電壓除以集電極電阻）.


三極管參數與選用

三極管的參數可分為直流參數、交流參數、極限參數、特征頻率。三極管的參數是使用與選用三級管時的重要依據，為此了解三極管的參數可避免選用或使用不當而引起管子的損壞。


1、直流參數

集電極—基極反向電流I(CBO)。當發射極開路、在集電極與基極間加上規定的反向電壓時，集電結中的漏電流就稱I(CBO)此值越小表明晶體管的熱穩定性越好。一般小功率管約1OμA左右，硅管更小些。集電極一一發射極反向電流I(CBO)也稱穿透電流。它是指基極開路時，在集電極與發射極之間加上規定的反向電壓時，集電極的漏電流。此值越小越好。硅管一般較小，約在1μA以下。如果測試中發現此值較大，此管就不易使用。

2、極限參數

集電極最大允許電流I(CM)當三極管的β值下降到最大值的一半時，管子的集電極電流就稱集電極最大允許電流。當管子的集電極電流Ic超過一定值時，將引起晶體管某些參數的變化，最明顯的是β值下降。因此，實際應用時Ic要小于I(CM°)集電極最大允許耗散功率P(CM)當晶體管工作時，由于集電極要耗散一定的功率而使集電結發熱，當溫度過高時就會導致參數的變化，甚至燒毀晶體管。為此規定晶體管集電極溫度升高到不至于將集電極燒毀所消耗的功率，就成為集電極最大耗散功率。使用時為提高P(CM)值，可給大功率管子加上散熱片，散熱片愈大其P(CM)值就提高得越多。集電極發射極反向擊穿電壓BU(CEO)當基極開路時，集電極與發射極之間允許加的最大電壓。在實際應用時，加到集電極與發射極之間的電壓，一定要小于BU(CEO)，否則將損壞三極管。


3、電流放大系數

直流放大系數β"或用h(FE)表示。它是指無交流信號時，共發射極電路，集電極輸出直流I(B)與基極輸入直流幾的比值。即:β=I(c)/I(B)β是衡量三極管電流放大能力的一個重要參數，但對于同一個三極管來說，在不同的集電極電流下有不同的β.交流放大系數β也可用h(FE);表示。這個參數是指有交流信號輸人時，在共發射極電路中，集電極電流的變化量△AIc與基極電流的變化量△I(B)的比值。即β=△Ic/△I(B)以上兩個參數分別表明了三極管對直流電流的放大能力和對交流電流的放大能力。但由于這兩個參數值近似相等，即β≈β，因此在實際使用時一般不再區分。由于生產工藝的原因，即使同一批生產的管子，其β值也是不一樣的，為方便實用，廠家有時將尸值標記在三極管上，供使用者選用。


4、特征頻率品

因為尸值隨工作頻率的升高而下降，頻率越高，β下降的越嚴重。三極管的特征頻率光是指尸值下降到1時的頻率值。就是說在這個頻率下工作的三極管，已失去放大能力，即f(T)是三極管使用中的極限頻率，因此在選用三極管時，一般管子的特征頻率品要比電路的1作頻率至少高出3倍以上。但不是f(T)越高越好，如果選的太高，就會引起電路的振蕩。

二極管的主要參數有哪些

同一種型號的二極管，它可能有幾種封裝（包括SOT23、DO-15、SOT-323等），所對應的參數也有區別。

一般數據手冊上的參數，對應溫度為25℃。溫度對電子元器件的影響比較大。

Vr:表示反向電壓，在二極管陰極和陽極加的最大電壓，大于這個電壓值，二極管可能被擊穿。

IF（av）:平均整流電流，二極管加上正向電壓后，二極管能通過的平均電流。

IF：二極管能通過的最大電流，加載到二極管的電流等于這個值，二極管能正常工作，二極管長時間工作在這個電流下，二極管會出現發熱的現象。

IF（rm）：重復峰值電流，二極管在一周內，可以重復出現峰值電流，這個峰值電流比IF要大，出現峰值電流時間不能長，否則會燒毀二極管。

IF（sm）：不重復峰值電流，這個電流值非常大，在一個周期內，這個電流值不能重復，而且持續時間很短，有的二極管不重復電流是二極管IF電流的十幾倍，持續時間一般為us級。

Ir：反向電流，二極管兩級加上反向電壓后，二極管并非完全截止，有很小的電流流過二極管，一般為nA、uA級。

Trr：二極管反向恢復時間，二極管正向導通到反向截止需要的時間。

P：二極管的功耗，二極管消耗的功率，當電流流過二極管，加上PN上的電壓，就能產生功耗。

常用二極管的參數表：


1.PN硅二極管:

VF(正向電壓):0.7V

VR(反向電壓):50V-200V

IF(正向電流):10mA-100mA

IR(反向電流):0.1uA-1uA


2.NPN硅晶體管:

VBE(基極-發射極電壓):0.7V-1.2V

VCE(源極-收集極電壓):30V-60V

IC(收集電流):0.1mA-100mA

hFE(電流增益):50-300


3.PNP硅晶體管:

VBE(基極-發射極電壓):0.7V-1.2V

VCE(源極-收集極電壓):30V-60V

IC(收集電流):0.1mA-100mA

hFE(電流增益):50-300


4.JFET二極管

VGS(源極-門極電壓):-30V to+30V

ID(電流):0.1mA to 100mA

VDS(源極-匯極電壓):-30V to+30V


5.MOSFET二極管

VGS(源極-門極電壓):-20V to+20V

ID(電流):0.1mA to 100mA

VDS(源極-匯極電壓):-20V to+20V

這些參數表僅供參考，具體參數請參考生產廠家的數據手冊。