眾所周知，隨著芯片工藝的不斷前進(jìn)，光刻機(jī)也是不斷的改進(jìn)，越來(lái)越先進(jìn)，越來(lái)越精密。

比如普通DUV光刻機(jī)，只能生產(chǎn)最低65nm的芯片，而浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，則能生產(chǎn)最低7nm芯片，EUV光刻機(jī)則能生產(chǎn)5nm及以下的芯片。

可以說(shuō)芯片工藝，與光刻機(jī)是相互促進(jìn)的。

有了先進(jìn)的光刻機(jī)，才能生產(chǎn)先進(jìn)工藝的芯片。同時(shí)先進(jìn)工藝的芯片，又推動(dòng)光刻機(jī)的發(fā)展。

按照專(zhuān)家們的說(shuō)法，目前的EUV光刻機(jī)，理論上能夠制造2nm左右的芯片，而下代的EUV光刻機(jī)，理論上能夠制造1nm左右的芯片。

然后芯片工藝想要再進(jìn)前，則需要EUV繼續(xù)升級(jí)突破，或者換成另外的光刻機(jī)，那么問(wèn)題來(lái)了，EUV光刻機(jī)之后，光刻機(jī)的發(fā)展會(huì)是朝哪里突破？

事實(shí)上，三十年來(lái)ASML的技術(shù)領(lǐng)路人，ASML的聯(lián)席總裁范登布林克就表示過(guò)，當(dāng)EUV光刻機(jī)出貨NA=0.55的High-NA EUV光刻機(jī)后，就無(wú)法再前進(jìn)了，這將是最后一代EUV產(chǎn)品。

為何這么說(shuō)呢，因?yàn)閺默F(xiàn)有的技術(shù)來(lái)看，EUV光刻機(jī)前進(jìn)的三個(gè)方向，都已經(jīng)是絕路了，至少在范登布林克認(rèn)為，目前已經(jīng)是技術(shù)的極限，跨不過(guò)去了。

對(duì)于EUV光刻機(jī)而言，突破只能從三個(gè)方向去努力。

一個(gè)方向是將13.5nm波長(zhǎng)的光源換成更小波長(zhǎng)的光源，但是目前的實(shí)驗(yàn)表明，波長(zhǎng)再低，會(huì)被幾乎所有的材料吸收，必須通過(guò)反射鏡來(lái)反射，而經(jīng)過(guò)收集反射后，光損失會(huì)非常嚴(yán)重，無(wú)法收集到足夠的能量來(lái)進(jìn)行光刻。

第二個(gè)方向則是提高NA值，也就是數(shù)值孔徑，因?yàn)镹A越大，收集和聚焦光就越多，但ASML認(rèn)為，達(dá)到0.55后，也無(wú)法提升了。

還有一個(gè)方向則是提高光刻工藝因子，從而提高光刻的分辨率，但ASML認(rèn)為，目前也達(dá)到了物理極限，供應(yīng)鏈們難有突破。

所以ASML認(rèn)為，當(dāng)NA推進(jìn)到0.55之后，EUV光刻機(jī)的發(fā)展，就達(dá)到了盡頭，前面就是絕路了，至于接下來(lái)會(huì)是什么樣的光刻機(jī)，ASML也沒(méi)想清楚。

也許需要林本堅(jiān)當(dāng)初提出浸潤(rùn)式光刻機(jī)這種顛覆性的思路，也許要換成其它類(lèi)型的光刻機(jī)。不過(guò)ASML日前已經(jīng)宣布，聯(lián)席總裁溫寧克和范登布林克明年4月份退休，所以接下來(lái)突破的事，要交給他們的繼任者了。