在經歷了此前的下行周期后，存儲芯片市場價格開始上漲。截至目前，部分型號存儲芯片的價格較年內谷底上漲10%至50%不等。

行業景氣度的回升，讓存儲芯片行業上市公司迎來了機構的密集調研。近日，江波龍、佰維存儲等多家上市公司在接受調研時表示，全球芯片市場狀況好轉，存儲芯片漲價向下游傳導，客戶備貨積極。


部分型號漲幅達50%

從存儲芯片的市場表現來看，兩大類別DRAM（動態隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現了上漲。

TrendForce集邦咨詢分析師王豫琪向《證券日報》記者表示：“本輪存儲芯片價格在2021年第四季度觸頂后開始下行，其中NAND Flash跌幅最大。而在海外存儲巨頭的減產策略下，NAND Flash價格于2023年三季度末率先觸底反彈。”

記者從華南部分經銷商處了解到，以NAND Flash中較為常見的消費級固態硬盤產品為例，最近幾個月內，金士頓、西部數據等品牌的產品都出現了100元左右的漲價。

中國電子商務專家服務中心副主任、天使投資人郭濤表示：“DRAM產品較今年谷底價格上漲約13%至18%，而部分NAND Flash漲幅則達到50%。”

不同型號的存儲芯片價格漲幅不同，既有上游控產節奏的影響，也有下游需求的影響。王豫琪表示：“在DRAM領域，Mobile DRAM的漲幅較為顯著，相較谷底價格上漲兩成左右；在NAND Flash領域，Wafer價格上漲最快，累計漲幅接近五成?！?/span>

漲幅較快的型號主要應用在下游智能手機、數據中心等領域。深度科技研究院院長張孝榮向《證券日報》記者介紹：“尤其是智能手機使用的高容量NAND Flash產品，價格漲幅較大，但不同品牌和批次存在差異。”


存儲止跌，2024年市場有待觀察

據CFM閃存市場數據顯示，2023年第三季度全球NAND Flash市場規模環比7.5%至98.12億美元，DRAM市場規模環比增長22.4%至130.63億美元。整體來看，繼第二季度環比增長9%之后，第三季度全球存儲市場規模再度環比增長16%至228.75億美元，同比跌幅進一步縮小到-28%。

10月16日，江波龍在接受投資者調研時表示，存儲主要市場中， NAND Flash的整體漲幅更為一致，DRAM不同產品的漲幅存在較大差異。盡管目前下游市場對存儲器的采購需求有一定的恢復，但后續的漲價幅度與漲價頻率，取決于下游終端需求能否形成持續支撐。

東芯半導體副總經理陳磊觀察，本輪存儲芯片價格周期性波動是由多重因素共同推動的，“此前受宏觀經濟增速放緩，消費電子為代表的下游應用疲軟，市場景氣度下降。但由于部分企業采取‘降價+減產’方式降庫存，加之5G、AI、自動駕駛等新興技術快速發展，存儲數據需求大幅增加。諸多因素疊加引發供需失衡，從而催動價格生變?！?/span>

去年7月，三星傳出考慮下半年降低其存儲芯片價格的消息；今年4月，三星電子宣布減產，稱“正在將內存產量下調至有意義的水平”。跟進減產降價這一策略的還包括美光、SK海力士等存儲大廠，帶動存儲芯片市場供需調整。

上游企業忙著“去庫存”，下游消費電子市況改善。今年10月以來，隨著蘋果、華為等多家公司相繼發布智能手機在內的多款電子產品，消費電子市場隱有抬升趨勢。根據IDC調研數據，2023年10月23日至11月3日期間，整體PC市場（含電商平臺、廠商官網及線下傳統渠道的筆記本及臺式機市場）銷量同比上升1.4%；平板市場銷量同比增長13.5%；手機市場銷量同比增長10.2%。

陳磊對此表示肯定。他認為，本輪存儲芯片價格觸底反彈無疑是個利好的信號，下行周期正在爬坡。對于國產廠商而言，要把握時機轉變，為市場提供更高可靠性更優質的存儲芯片產品，共同助力半導體產業進入上行周期。

但需要警惕的是，本輪存儲芯片價格上漲固然有上游減產、下游需求共同推動，但基礎仍不穩固。尤其下游消費電子市場是否已真正回暖，尚要繼續跟蹤。11月10日，佰維存儲就2024年存儲市場情況預判：“當前行業正在回暖復蘇中，存儲器價格的波動變化正在逐步的向下游傳導，刺激客戶補庫需求。目前看到手機端的需求有復蘇的跡象，明年的存儲市場情況還得綜合看PC和服務器等領域的復蘇情況?！?/span>

佰維存儲副總經理、嵌入式事業部總經理劉陽表示：“存儲器價格波動變化正逐步地向下游傳導，刺激客戶補庫需求。在區域性復蘇和新產品升級需求的帶動下，全球手機銷量環比回暖，進一步拉動存儲需求修復。此外，以ChatGPT為代表的新一代人工智能的快速發展帶來存儲需求的相應增加?！?/span>

劉陽指出，與其他存儲產品正在復蘇的需求不同，HBM（High Bandwidth Memory 高帶寬存儲器）的下游需求則頗為旺盛，在下游模型及服務器廠商升級服務器需求的情況下，加上原廠增加HBM產量，DRAM提前完成去庫存計劃，在今年第三季度率先觸底反彈，回歸上升通道?！?/span>

事物具有兩面性。存儲芯片價格上漲也將帶來終端產品成本提升問題，此前就傳出“華為旗艦款平板MatePad售價上調500元，或因存儲價格上漲導致”的猜測。


國產存儲芯片如何應對？

目前中國存儲芯片廠商的產能規模還相對較小，中國存儲芯片在全球市場份額仍較低，也無法滿足國內需求。據TrendForce集邦咨詢預測，2023年中國存儲芯片市場份額將占全球市場份額的15%，而韓國存儲芯片市場份額將占全球市場份額的60%。在這種情況下，存儲芯片的定價權往往受韓國、美國控制，中國如果未來要做到影響控制芯片價格，需要從以下幾個方面入手：

在技術研發方面，中國可以加大對存儲芯片基礎研究的投入，加強與國際先進技術的合作，加快先進技術的轉化和應用。中國存儲芯片產業正在快速發展，差距正在縮小。例如，長鑫存儲已經量產了19nm的DRAM芯片，并計劃在2024年量產14nm的DRAM芯片。此外，長江存儲已經量產了232層的NAND Flash芯片，并計劃在2024年量產256層的NAND Flash芯片。

在產能建設方面，中國可以引導國內存儲芯片企業加大投資，建設先進的生產線。政府可以通過稅收優惠、人才培養等方式，鼓勵企業創新，提升技術水平。

在市場拓展方面，中國可以鼓勵存儲芯片企業積極開拓國際市場，提升全球競爭力。政府可以引導國內存儲芯片企業加強協同合作，共同開發新技術、擴大產能規模、提高市場份額。

通過這些措施，中國存儲芯片產業有望在未來實現突破，并在全球市場占據更大的份額，從而影響控制芯片價格。