記憶體原廠第4季供貨減少，記憶體模組廠買貨不易，推升Flash Wafer報價持續(xù)拉漲。符世旻攝

隨著終端傳統(tǒng)備貨旺季進(jìn)入尾聲，記憶體11月現(xiàn)貨價格的漲幅明顯趨緩，但第4季上游NAND原廠釋出產(chǎn)能持續(xù)減少，記憶體模組廠想逢低敲定大單卻無法如愿。

儘管短期通路市場出現(xiàn)庫存積壓的現(xiàn)象，NAND Flash Wafer漲勢不減反增，主流512 Gb現(xiàn)貨價單月調(diào)漲約2成，站上2.6美元，持續(xù)朝向原廠損益平衡點關(guān)卡邁進(jìn)。

隨著市場行情先行指標(biāo)的現(xiàn)貨市場從第3季啟動漲勢，記憶體合約價第4季相繼跟進(jìn)調(diào)漲，除了行動式記憶體受惠于手機(jī)品牌廠年底回補(bǔ)庫存，合約價季增約15~20%，隨著PC 與伺服器平臺進(jìn)入更新迭代，DDR5滲透率日益提升，帶動DDR5價格上漲雙位數(shù)幅度、DDR4及DDR3的漲幅也優(yōu)于原先預(yù)估的中個位數(shù)表現(xiàn)。

不過現(xiàn)貨價部分，經(jīng)過第3季逐月回神調(diào)漲，下游通路及記憶體模組廠在年底旺季接單分別在9~10月完成出貨，市場預(yù)期記憶體價格看漲的期待心理，帶動短期的庫存回補(bǔ)需求大致告一段落，11月現(xiàn)貨價漲幅已明顯轉(zhuǎn)趨疲弱。

受到中國消費(fèi)降級的市場氛圍，雙十一等年度促銷及零售市場買氣均不如預(yù)期，歐美市場對于黑色星期五及耶誕備貨需求也陸續(xù)出貨近尾聲，不過實質(zhì)需求導(dǎo)致去化緩慢，導(dǎo)致終端通路庫存提高，尤其DRAM價格處于震盪調(diào)整期，有待2024年需求復(fù)甦跡象顯現(xiàn)。

整體來看，大容量DRAM顆粒產(chǎn)品的漲幅較大，DDR4 16Gb （2Gx8）近月來平均漲幅約3.25%，DDR4 8Gb處于0.25~1.8%之間微幅調(diào)漲，儘管上游原廠已積極調(diào)降DDR4供給產(chǎn)出，但二手拆解市場仍有不少DDR4顆粒流竄，整體DDR4市場庫存也較高，拖累DDR4價格調(diào)漲不易，至于DDR3價格不漲反跌，庫存調(diào)整持續(xù)進(jìn)行中

NAND Wafer價格持續(xù)受到上游原廠供應(yīng)減產(chǎn)的影響驅(qū)動，記憶體模組業(yè)者透露，目前原廠對第4季Flash供應(yīng)的態(tài)度就是拖延戰(zhàn)術(shù)，原先曾在9月試圖敲定數(shù)百萬顆訂單，但原廠遲遲不愿放貨，就算愿意給貨，數(shù)量及價格都無法達(dá)到滿意的目標(biāo)，雖然終端市場需求已進(jìn)入淡季，但Flash現(xiàn)貨市場行情卻處于上游熱、下游冷的特殊狀態(tài)，加速Flash Wafer各產(chǎn)品全面調(diào)漲。

以現(xiàn)貨市場來看，512Gb TLC價格從半年前約1.4美元一路爬坡向上，目前11月底價格已達(dá)到2.6~2.7美元，原本價格一度跌破材料成本，如今正朝著原廠損益平衡的首要目標(biāo)持續(xù)狂漲，根據(jù)業(yè)界估算，512 Gb Flash價格要回到3.2~3.5美元，原廠才有望回到損平點，短期內(nèi)估計價格難再回頭，但終端SSD價格仍難跟進(jìn)上漲，導(dǎo)致進(jìn)貨價高于賣價的狀況持續(xù)存在。

根據(jù)估計，各家原廠的減產(chǎn)效益在下半年陸續(xù)顯現(xiàn)，虧損及庫存正逐季縮小，不過各家合計虧損金額仍高達(dá)60億美元，雖比第2季虧損80億美元的幅度收斂，但NAND原廠將持續(xù)推動減產(chǎn)策略延續(xù)至2204年。

過去一向買貨備料不手軟的群聯(lián)，截至第3季存貨淨(jìng)額達(dá)到新臺幣213.31億元，看好NAND晶片市況轉(zhuǎn)熱，為了因應(yīng)景氣需求即將回溫，近期宣布將擬透過預(yù)付貨款，強(qiáng)化與 NAND供應(yīng)商的合作與穩(wěn)定貨源，預(yù)期2024年將出現(xiàn)缺貨潮。