最新消息，美國(guó)加州公告指出中國(guó)最大3D NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，正向控告美國(guó)存儲(chǔ)芯片龍頭美光（Micron）及其全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)，侵犯長(zhǎng)江存儲(chǔ)8 項(xiàng)3D NAND 美國(guó)專利。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的起訴書內(nèi)容指出，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，以抵御來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲得市占率，訴訟是為終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新，并解決美光試圖迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash 市場(chǎng)的問(wèn)題。

據(jù)悉，這次提告的專利侵權(quán)，包括US10,950,623（3D NAND 存儲(chǔ)器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲(chǔ)裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸,TAC）、US10,937,806 （3D 存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸,TAC）、US10,861,872（3D存儲(chǔ)器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND 存儲(chǔ)器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）、US11 ,600,342（3D 維快閃存儲(chǔ)器的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊3D 存儲(chǔ)器件及其制造方法）。

隨著近年3D NAND 技術(shù)堆疊到128 層或以上，周邊CMOS 電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50% 以上，因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018 年推出自研的創(chuàng)新Xtacking 技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的起訴書內(nèi)容指出，美光的96 層、128 層、176 層及232 層3D NAND 侵害長(zhǎng)江存儲(chǔ)8 項(xiàng)專利。

有評(píng)論認(rèn)為，由于美國(guó)商業(yè)部自2022 年10 月開始，這一年來(lái)不斷擴(kuò)大對(duì)中國(guó)芯片及設(shè)備的出口管制措施，并將長(zhǎng)江存儲(chǔ)等36 家企業(yè)列入「實(shí)體清單」，這次控告美光專利侵權(quán)可以說(shuō)是長(zhǎng)江存儲(chǔ)所做出的必要反擊。