眾所周知，前段時間美國正式“無限豁免”了三星、SK海力士這兩家韓國。

接下來這兩家韓企在中國大陸境內的芯片擴產等，不受任何禁令的限制，也不需要許可證，就可以購買任何先進的設備，使用美國先進的技術等等。

美國為何會豁免這兩大企業，有兩個原因，一是拉攏這兩家韓國小弟，給點甜頭，免得他們不滿，最后反彈，影響到美國自己。

另外一個原因就是，目前中國存儲芯片在崛起，希望三星、SK海力士在中國大陸搞風搞雨的，充當美國的打手，打壓中國存儲芯片，遏制中國存儲芯片的崛起。

要知道去年長江存儲就有了232層的 3D NAND閃存芯片，還是全球第一家量產232層存儲芯片的廠商，這當然讓美國不爽了，一方面對長存進行打壓，而豁免三星、SK海力士，也算是給他們遞刀子。

既然美國遞了刀子，且豁免三星、SK海力士，作為條件，那么三星等，自然也要滿足美國的要求嘛，那就是想辦法來打壓中國存儲芯片。

所以近日，有消息傳出，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash閃存工廠升級到236層堆疊的技術，并準備開始大規模擴產動作，之前這家工廠要生產128層的芯片為主。

要知道，目前長江存儲最高技術就是232層，且因為禁令，產能有限，基本沒法擴產，所以目前長存的主流芯片其實還是96層技術。

三星擴產為236L技術，一定程度上來講，其實就是降維打擊，畢竟236層對96層，存儲密度更高，同樣容量之下的成本更低，價格有優勢。

從市場的角度來看，如果三星用236L技術，來打壓長存的96層技術，三星當然有優勢的，那么必將影響到長江存儲的市場。

而三星在行動，相信SK海力士也不遠了，這兩大廠商如果對中國存儲芯片進行降維打擊，通過價格，技術升級等，對國產存儲的影響還是比較大的，你覺得呢？

接下來，希望國產存儲趕緊突破，早點實現更高堆疊的存儲技術，靠老技術，很難與三星、SK海力士等競爭。

而要實現更高堆疊的新技術，在國外先進設備被禁的情況之下，只有期待國產設備突破了，這又回到了我們最關注的點，那就是國產供應鏈真的必須雄起了，否則就會一直被打壓，被圍堵……