9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。

報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding）的封裝工藝，突破 TCB 和 MR 的發(fā)熱、封裝高度等限制。

Hybrid Bonding 中的 Hybrid 是指除了在室溫下凹陷下去的銅 bump 完成鍵合，兩個(gè) Chip 面對面的其它非導(dǎo)電部分也要貼合。因此，Hybrid Bonding 在芯粒與芯粒或者 wafer 與 wafer 之間是沒有空隙的，不需要用環(huán)氧樹脂進(jìn)行填充。

媒體報(bào)道，三星電子和 SK 海力士等主要公司已經(jīng)克服這些挑戰(zhàn)，擴(kuò)展了 TCB 和 MR 工藝，實(shí)現(xiàn)最高 12 層。

報(bào)道稱采用 Hybrid Bonding 工藝之后，顯著提高了輸入 / 輸出（IO）吞吐量，允許在 1 平方毫米的面積內(nèi)連接 1 萬到 10 萬個(gè)通孔（via）。