最新消息，行業(yè)人士透露，三星電子、SK海力士等存儲半導體企業(yè)正在推動HBM產線的擴張。兩家公司計劃在明年年底前投資超過2萬億韓元，使HBM生產線目前的產能增加一倍以上。

據(jù)悉，SK海力士計劃利用利川現(xiàn)有HBM生產基地后的清州工廠的閑置空間。三星電子正在考慮擴大位于忠清南道天安市的HBM核心生產線，該地區(qū)是設備解決方案部門下的先進封裝團隊的所在地。

市場研究公司TrendForce表示，以千兆字節(jié)（GB）為單位的HBM需求預計將激增60%，從2022年的1.81億GB增加到2023年的2.9億GB。與2023年相比，預計2024年將再增加30%。

據(jù)了解，最新的“HBM3”的總容量是最新DRAM產品GDDR6的12倍，帶寬大約是13倍。

報道稱，客戶和HBM制造商通常會討論產品開發(fā)一年以上，并生產定制產品。英偉達最近收到的來自SK海力士的HBM2E和HBM3也是1-2年前聯(lián)合開發(fā)的產品。

HBM正在解凍存儲器半導體市場。雖然三星和SK海力士尚未透露具體的HBM價格，但據(jù)悉最新第4代產品HBM3的價格約為最新傳統(tǒng)DRAM的5-6倍。這就是今年HBM出貨量僅占DRAM總出貨量的1.7%，但其銷售額比例卻達到了11%的原因。

資料顯示，自去年12月以來，ChatGPT生成式人工智能迅速發(fā)展，這增加了對能夠處理大規(guī)模數(shù)據(jù)的高性能DRAM即高帶寬內存（HBM）的需求，與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM數(shù)據(jù)容量和速度可提高十倍以上。