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存儲市場跌幅將繼續收窄,這條賽道趁機快速崛起

2023-07-14 來源:賢集網
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關鍵詞: 美光 存儲芯片 半導體

此前,由于制造商及內存供應商庫存的增加和需求惡化,存儲市場陷入了嚴重衰退期。雖然存儲價格還在下跌,但情勢或將有所好轉。TrendForce集邦咨詢認為,預計第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%~8%,第四季有望止跌回升,第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。

結合幾大原廠最新財報數據及市場動態顯示,庫存調整有所成效,市場出現了一些回溫的跡象。



三星、美光財報帶來回溫跡象?

近期,三星電子公布2023年第二季度財報的初步數據,期內銷售額為60萬億韓元,同比下降22.3%;營業利潤從上一年的14.1萬億韓元降至6000億韓元,同比下降95.7%。行業人士認為,雖然三星電子財報仍在持續下跌,但其利潤降幅小于行業人士預期。

美光科技財報顯示,三季度營收為37.5億美元,高于市場預期的36.9億美元,去年同期為86.4億美元,同比下降57%;利潤率下滑16.1%,利潤下滑幅度低于市場預測。

結合上述兩家大廠財報數據后,業界認為,存儲芯片價格在持續下跌一年多以后,庫存過?,F象有所緩解,市場出現了一些復蘇的跡象。美光方面表示,存儲芯片行業已度過低谷。


庫存壓力仍在

雖然供需在走向平穩,但存儲廠商的庫存壓力仍在。

半導體分析師王志偉對記者表示,雖然市場偶有漲價的消息傳出,但是否能因此帶動市況反轉,則仍須看整體需求和市場接受度。

據TrendForce集邦咨詢研究顯示,受惠于DRAM供應商陸續啟動減產,整體DRAM供給逐季減少,加上季節性需求支撐,減輕供應商庫存壓力,預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過,目前供應商全年庫存應仍處高位,今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大,盡管供給端的減產有助季跌幅的收斂,然而實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。

而在對2023年DRAM市場的展望中,Yole方面認為,“宏觀經濟的不確定性使得近期需求預測非常不穩定”,但供應商的積極應對將帶來“歷史最低的產能增加”,市場將在2023年下半年恢復平衡。報告稱,供應商的庫存可能還需要幾個季度才能恢復正常。

王志偉認為,從中長期來看,隨著人工智能時代的到來,全球算力正在以指數級增長,而這將直接拉動對存儲的需求。

Yole預測,未來五年,數據中心對DRAM的需求將增長30%以上,同期整體DRAM需求將以每年20%以上的速度增長。Yole表示:“AI(人工智能)、IoT(物聯網)和5G(第五代移動通信)相互交織,將為算力需求乃至DRAM需求提供強勁的順風?!?/span>



NAND市場方面同樣不明朗。TrendForce集邦咨詢表示,原廠減產幅度持續擴大,實際需求未明,第三季NAND Flash市場仍處于供給過剩。即便下半年有季節性旺季需求支撐,但目前買方仍持保守的備貨態度,壓抑NAND Flash價格止跌回穩。第三季NAND Flash Wafer均價預估將率先上漲;SSD、eMMC、UFS等模組產品,則因下游客戶拉貨遲緩,價格續跌,預計第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%~8%,第四季有望止跌回升。


HBM爭霸戰開打

隨著ChatGPT(一種以類人方式回答問題的生成式人工智能聊天機器人)的興起,這又是韓國公司現在正在啟動另一項競爭場技術戰,將對高容量、高性能半導體(稱為高帶寬內存(HBM))的需求不斷增長。消息表示,第二大內存廠商SK海力士將在首爾舉行閉門投資者關系會議,向包括國家管理局補貼的機構投資者和分析師介紹該芯片制造商的HBM能力。

SK表示,與早期產品相比,24GB封裝產品的內存容量增加了50%?,F有HBM3產品最大內存容量為16GB,采用 8層配置。該公司最新的12層、24GB HBM3擁有多達約819GB的數據處理速度,能夠在秒內傳輸163部全高清電影。

與此同時,三星計劃在年底前開始大規模生產 HBM3 芯片。

該公司高管表示,將斥資數千億韓元,到 2024 年底將天安工廠的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士稱,三星將向無晶圓廠芯片設計公司AMD等客戶供應其產品。

據當地券商KB證券稱,到2024年,HBM3將占據其芯片銷售收入的18%,較今年預計的6%大幅提升。

三星芯片負責業務的設備解決方案部門總裁兼負責人 Kyung Kye-hyun 在本月早些時候的公司會議上表示,三星將努力控制一半以上的 HBM 市場?!拔覀兪盏搅丝蛻魧ξ覀兊?HBM3 產品的積極回應,

三星董事長李在镕(Jay Y. Lee)在 5 月份的美國之行期間會見了 Nvidia 創始人黃仁勛(Jensen Huang), 討論了擴大業務合作伙伴關系的方法,特別是在 GPU和AP方面。

三星和SK海力士都希望他們的半導體業務能夠通過HBM等大容量芯片容量的增加實現盈利。HBM芯片垂直互連多個DRAM芯片,與傳統DRAM產品相比,可大幅提高數據處理速度,其價格至少是 DRAM 的五倍。

分析師預計,三星芯片部門和 SK 海力士將在本周晚些時候公布業績時,點亮運營杠桿將分別達到創紀錄的 8.5 萬億韓元(合65億美元)和6.3萬億韓元。


國產實力相差懸殊

HBM需求爆發,三星、SK海力士、美光三大存儲芯片巨頭正在將更多產能轉移至生產HBM,但由于調整產能需要時間,很難迅速增加HBM產量,預計未來兩年HBM仍將供應緊張。



不過,在HBM領域,國內廠商布局不大,只有一些廠商涉及封測。比如,國芯科技正在研究規劃合封多HBM內存的2.5D的芯片封裝技術,積極推進Chiplet技術的研發和應用;通富微電在建先進的2.5D/3D先進封裝研發及量產基地,將實現國內在HBM高性能封裝技術突破;華海誠科生產的顆粒狀環氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封裝,相關產品已通過客戶驗證,現處于送樣階段。

總的來說,國內HBM內存芯片與國際巨頭的差距還是非常大。



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