眾所周知，今年以來，中美科技戰(zhàn)爭(zhēng)依然在針峰相對(duì)，并且中國(guó)開始進(jìn)行反擊，美光事件就是最好的例子。

而美國(guó)針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體，也有著明確的目標(biāo)：

(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結(jié)構(gòu)的邏輯芯片；

(2)半間距小于等于18nm的DRAM存儲(chǔ)芯片；

(3) 128層及以上的NAND閃存芯片。

不過，很多網(wǎng)友表示，目前中國(guó)存儲(chǔ)芯片，其實(shí)是不怕美國(guó)的禁令的，因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)生產(chǎn)出了232層的3DNAND閃存，這個(gè)限制128層以上閃存芯片，不是來搞笑的么。

但其實(shí)還真不是的，因?yàn)檫@些禁令，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在開發(fā)新產(chǎn)品或擴(kuò)展新的HVM晶圓廠方面面臨挑戰(zhàn)。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)有232L Xtacking3.0 TLC芯片，比特密度為15.0 Gb/mm2，這也是迄今為止最高的比特密度。

但是，目前232層閃存，產(chǎn)能并不大，如果想搶占更多的市場(chǎng)份額，還需要擴(kuò)產(chǎn)，而擴(kuò)產(chǎn)的話，設(shè)備就會(huì)被卡，所以擴(kuò)產(chǎn)比較困難，市場(chǎng)份額就難以提升。

其次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要繼續(xù)開發(fā)n+1和n+2代(>300L)新產(chǎn)品，這些也需要先進(jìn)的設(shè)備，一旦受限，研發(fā)會(huì)受影響。

再看長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，生產(chǎn)DRAM閃存，目前推出的是20nm級(jí)(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品，以及D1x(采用19nm D/R)樣品產(chǎn)品。

接下來，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)會(huì)開發(fā)DDR5和LPDDR5/5X產(chǎn)品，采用的是或會(huì)是17nm工藝，屬于n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代，但生產(chǎn)17nm工藝的設(shè)備是受限的，而一旦先進(jìn)設(shè)備受限，這些工藝都會(huì)受到影響。

畢竟不管是先進(jìn)的NAND閃存，還是DRAM內(nèi)存，其產(chǎn)品微縮和提升的必要條件，還是需要先進(jìn)的設(shè)備、軟件、工具等等，如果美國(guó)的制裁持續(xù)，而國(guó)內(nèi)設(shè)備供應(yīng)鏈沒有突破的話，這兩家公司可能將停止進(jìn)一步的研發(fā)活動(dòng)。

所以，我們不應(yīng)該盲目自大，認(rèn)為我們已經(jīng)研發(fā)出了232層的3D NAND閃存，就代表已經(jīng)突破美國(guó)的封鎖，就不用擔(dān)心所謂的設(shè)備被卡脖子了，形勢(shì)還是很嚴(yán)峻的。

真正不怕卡脖子，還是需要國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈一起努力，進(jìn)行突破才行，那才是真正的沒有后顧之憂。