據(jù)BusinessKorea報道，當?shù)貢r間6月26日，在加州硅谷舉行的三星晶圓代工論壇2023上，三星電子公布了量產(chǎn)2nm工藝半導體的具體時間表和戰(zhàn)略。

根據(jù)該戰(zhàn)略，三星電子將于2025年開始量產(chǎn)2nm工藝半導體，重點關(guān)注移動領(lǐng)域。隨后，計劃在2026年擴展到高性能計算（HPC）工藝，并在2027年擴展到汽車工藝。與3nm相比，2nm工藝半導體的性能提高了12％，功率效率提高了25％。三星還確認，計劃按計劃于 2027 年開始量產(chǎn) 1.4 nm工藝。

三星代工業(yè)務(wù)部總裁 Choi Si-young 在主題演講中表示：“三星電子將繼續(xù)創(chuàng)新 GAA 晶體管技術(shù)，這是最適合 AI 半導體的下一代晶體管，以確保市場主動權(quán)。”

此外，三星還計劃通過擴大先進2nm工藝的應(yīng)用以及成立MDI聯(lián)盟來增強其代工業(yè)務(wù)競爭力。通過MDI聯(lián)盟，三星將向IP合作伙伴提供開發(fā)先進半導體設(shè)計資產(chǎn)（IP）所需的代工工藝信息。這些IP合作伙伴將開發(fā)針對三星代工工藝優(yōu)化的IP，并將其提供給國內(nèi)外的無晶圓廠客戶。通常，IP 開發(fā)和驗證至少需要兩年到兩年半的時間。然而，通過MDI聯(lián)盟，三星似乎正在將從半導體開發(fā)到量產(chǎn)的時間從目前的大約三年半到五年縮短到一年半到兩年。

三星的戰(zhàn)略是通過與IP合作伙伴的合作，搶先獲得人工智能、GPU、HPC、汽車和所有移動領(lǐng)域所需的核心IP，并吸引新的無晶圓廠客戶。