6月24日，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本政府支持的日本投資公司（JIC）正商談以1萬億日元（約500億人民幣）收購用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的光刻膠生產(chǎn)公司JSR（捷時雅）。日本投資公司計劃最早今年提出初步收購意向。如果進展順利，JSR可能會在2024年被東京證交所摘牌。

據(jù)報道，JIC將向收購JSR的新公司投資約5000億日元，瑞穗銀行將出資超過4000億日元。如果收購成功，JIC將成為全球最大的光刻膠供應(yīng)商之一，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局可能產(chǎn)生重大影響。

6 月 26 日，日本半導(dǎo)體材料巨頭 JSR 正式宣布，公司管理層已接受日本官民基金產(chǎn)業(yè)革新投資機構(gòu)（JIC） 1 萬億日元（當(dāng)前約 502 億元人民幣）的收購邀約。

JIC 表示，將在今年年底前對 JSR 股票進行公開收購，JSR 將在明年夏季從東證一部退市。JIC 希望，完全獲得 JSR 的經(jīng)營權(quán)，提高日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的競爭力。

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進芯片必不可少的原料。此外，JSR 在用于 130 nm – 7 nm 工藝的 ArF 光刻膠領(lǐng)域以 30% 的市場份額位居全球第一。


今年12月發(fā)起要約收購，JSR計劃5~7年重新上市

JIC在一份聲明中寫道，芯片材料是支撐日本工業(yè)競爭力的生命線，收購要約將使JSR能夠加速大膽的中長期戰(zhàn)略投資，而無需考慮對業(yè)績的短期影響。

JIC是2018年設(shè)立的基金，由200億美元政府資金支持，旨在投資日本企業(yè)，以提高國家競爭力。它接替了2009年成立的旨在促進新產(chǎn)業(yè)和業(yè)務(wù)整合的臨時計劃的日本創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)公司（INCJ）的角色。JIC主要專注于投資初創(chuàng)企業(yè)和風(fēng)險投資基金，曾與私募股權(quán)公司Japan Industrial Partners聯(lián)合參與了東芝私有化的競購，但后來因收購后策略存在分歧而退出。

該公司計劃于今年12月底發(fā)起要約收購，報價為每股4350日元（折合約30.40美元），較周五收盤價溢價約35%。瑞穗銀行、日本開發(fā)銀行（DBJ）等將提供融資。

JSR首席執(zhí)行官埃里克·約翰遜（Eric Johnson）是罕見的非日本出生的日本公司負責(zé)人，他稱自己的目標是在5~7年內(nèi)讓JSR重新上市。

他說，隨著競爭對手的整合和研發(fā)成本的增加，JSR已經(jīng)意識到重組公司的“戰(zhàn)略必要性”，日本材料行業(yè)需要整合和集中資源以開發(fā)新技術(shù)，JSR和JIC打算加快這一進程，并在本土推動變革，以更好地應(yīng)對全球競爭對手。

約翰遜在周一晚間舉行的新聞發(fā)布會上談道：“我們?nèi)藬?shù)眾多，所有人都在冗余地花錢，因此我們認為提高效率的機會是巨大的。”

JIC為什么要收購JSR

據(jù)一位資深研究JIC的人士總結(jié)，每當(dāng)日本一個行業(yè)走下坡路或者競爭激烈到一定程度的時候，將由產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)（JIC前身）引導(dǎo)將該行業(yè)部門從相關(guān)母公司剝離出來，母公司退出該行業(yè)專門成立一個由各家公司控股的專業(yè)聯(lián)合公司，專門進行該行業(yè)技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)銷售。

JSR成立于1957年，成立之初是一家由日本政府支持的合成橡膠制造商。現(xiàn)在該公司向全球芯片制造商供應(yīng)光刻膠，在ArF光刻膠產(chǎn)品市場中，JSR以近30%的市場份額位列全球第一，客戶包括三星、臺積電、英特爾等。

日本公司對半導(dǎo)體材料近乎壟斷的地位威名在外：前段工序常用的材料有19種，其中14種都由日本企業(yè)主導(dǎo)。

但，這種壟斷正逐漸被打破——

面對日本的光刻膠封鎖，韓國政府牽頭大搞國產(chǎn)替代，一口氣投入了6萬億韓元的預(yù)算，三星也跟著投資了一批韓國本土的半導(dǎo)體材料企業(yè)，成功研發(fā)出了國產(chǎn)版本的高純度氟化氫和EUV光刻膠。

經(jīng)過幾年沉淀，目前我國已有好幾家光刻膠廠商表示，已經(jīng)完成了45nm及以上工藝ArF光刻膠的量產(chǎn)。就在前段時間，我國光刻膠大廠南大光電再次對外宣布，已經(jīng)完成了28nm及以上工藝ArF光刻膠的研發(fā)。也就是說目前在光刻膠領(lǐng)域，我們已經(jīng)實現(xiàn)了28nm及以上工藝中低端芯片的覆蓋。

所以JIC收購JSR更多是為了保護日本在光刻膠領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和市場份額，筑高圍墻，防止被其他國家特別是來勢兇猛的中韓所超越；同時也是為了加大支持日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，集中優(yōu)勢兵力提供更高質(zhì)量和更穩(wěn)定供應(yīng)的光刻膠產(chǎn)品。


日本半導(dǎo)體要力挽狂瀾？

很明顯，日本政府“國有化”JSR能夠幫助Rapidus提升競爭力。Rapidus是由豐田、NTT、Sony、鎧俠、軟銀、NEC、電裝、三菱日聯(lián)銀行等8家日企成立的半導(dǎo)體公司，該公司與IBM于2022年12月簽署了技術(shù)協(xié)議，合作發(fā)展2納米半導(dǎo)體技術(shù)。

據(jù)報道，Rapidus計劃派出100名工程師到IBM獲取2納米芯片生產(chǎn)所需的全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)。GAA技術(shù)被認為是FinFET工藝的繼承者，該技術(shù)透過降低供電電壓級以及增加驅(qū)動電流能力以提升性能，從而突破FinFET的性能限制。

和FinFET工藝相比，GAA技術(shù)有兩大突出的優(yōu)勢：其一是GAA晶體管解決了許多有關(guān)泄漏電流的挑戰(zhàn)，因為GAA通道采用水平架構(gòu)；其二是相較于當(dāng)前FinFET制程中的三個側(cè)面，GAA晶體管的四個側(cè)邊都被柵極包圍著，從而改善了晶體管的結(jié)構(gòu)。

業(yè)界普遍認識，2nm工藝將必須使用GAA技術(shù)。值得注意的是，IBM在2021年就曾展示過基于GAA實現(xiàn)2nm工藝的技術(shù)原型，如今IBM計劃將這項技術(shù)共享給Rapidus。

基于和IBM合作的技術(shù)，Rapidus將成為先進制程的有力競爭者。不過，日本財團Rapidus負責(zé)人小池淳義表示，Rapidus計劃基于IBM 2nm工藝技術(shù)開發(fā)“Rapidus 版”制造技術(shù)，2025年開始邏輯半導(dǎo)體試產(chǎn)，2027年量產(chǎn)。并不會和臺積電形成競爭，而是更愿意繼續(xù)成為專注于服務(wù)器領(lǐng)域、汽車行業(yè)、通信網(wǎng)絡(luò)，量子計算和智能城市方面的利基制造商。

根據(jù)他的描述，Rapidus專注的兩大工藝分別是用于“高性能計算（HPC）”芯片和“Ultra Low Power（超低功耗）” 芯片。很明顯，這也是臺積電先進制程主要關(guān)注的領(lǐng)域之二，所以這種競爭關(guān)系是與生俱來的。此前，Rapidus會長東哲郎在接受采訪時就談到，在日本政府和國內(nèi)設(shè)備制造商的支持下，新成立的Rapidus有能力迅速趕上臺積電、三星電子等行業(yè)巨頭。

當(dāng)然，要實現(xiàn)這樣的工藝就離不開ASML的光刻機，這也是日本和荷蘭政府簽署備忘錄的主要目的。相關(guān)報道指出，Rapidus計劃利用經(jīng)產(chǎn)省提供的補貼，采購EUV光刻設(shè)備。我們都知道，用于先進制程的EUV光刻機產(chǎn)量非常有限，因此供應(yīng)也非常緊俏，而如果Rapidus和ASML展開合作，有望強化供應(yīng)鏈，甚至是獲得更先進EUV的優(yōu)先購買權(quán)。

此前有產(chǎn)業(yè)鏈人士表示，Rapidus成立僅9個月之后就已經(jīng)完成了1臺EUV光刻機的籌備，不過具體的型號及進度沒有說明。小池淳義表示，通常大規(guī)模量產(chǎn)先進工藝需要至少1000名工程師，但他們引入了AI和自動化技術(shù)，現(xiàn)在有500名工程師了，用一半的資源就能完成。

他強調(diào)：“Rapidus是日本挽回空白10年的‘最后機會’。”

除了自己建廠布局先進制程，日本還大規(guī)模引進晶圓代工廠。我們此前有報道過，臺積電將在日本熊本縣建設(shè)22nm和28nm的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，預(yù)計于2024年開始量產(chǎn)，用于車規(guī)和家電用芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。知情人士透露，臺積電日本工廠的計劃是長期的，將隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進行升級，也就是說未來將會升級到12nm-16nm。

另外，日本還招攬了美光。美光公司此前表示，計劃在日本政府的支持下，未來幾年在極紫外線(EUV)光刻技術(shù)領(lǐng)域投資高達5,000億日元(37億美元)。知情人士透露，美光準備從日本政府獲得約2000億日元(14.8億美元)的財政補貼，以幫助其在日本生產(chǎn)下一代DRAM存儲芯片。

綜合這些因素來看，正如上面所講的，日本希望在中國臺灣和韓國之外，在該國本土構(gòu)建一個東亞芯片制造的新基地。為了實現(xiàn)這個目標，日本可以說是已經(jīng)采取了舉國之力的模式。