6月24日，據日經新聞報道，日本政府支持的日本投資公司（JIC）正商談以1萬億日元（約500億人民幣）收購用于半導體生產的光刻膠生產公司JSR（捷時雅）。日本投資公司計劃最早今年提出初步收購意向。如果進展順利，JSR可能會在2024年被東京證交所摘牌。

據報道，JIC將向收購JSR的新公司投資約5000億日元，瑞穗銀行將出資超過4000億日元。如果收購成功，JIC將成為全球最大的光刻膠供應商之一，對半導體產業的競爭格局可能產生重大影響。

6 月 26 日，日本半導體材料巨頭 JSR 正式宣布，公司管理層已接受日本官民基金產業革新投資機構（JIC） 1 萬億日元（當前約 502 億元人民幣）的收購邀約。

JIC 表示，將在今年年底前對 JSR 股票進行公開收購，JSR 將在明年夏季從東證一部退市。JIC 希望，完全獲得 JSR 的經營權，提高日本在半導體材料領域的競爭力。

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應商之一，其產品是制造先進芯片必不可少的原料。此外，JSR 在用于 130 nm – 7 nm 工藝的 ArF 光刻膠領域以 30% 的市場份額位居全球第一。


今年12月發起要約收購，JSR計劃5~7年重新上市

JIC在一份聲明中寫道，芯片材料是支撐日本工業競爭力的生命線，收購要約將使JSR能夠加速大膽的中長期戰略投資，而無需考慮對業績的短期影響。

JIC是2018年設立的基金，由200億美元政府資金支持，旨在投資日本企業，以提高國家競爭力。它接替了2009年成立的旨在促進新產業和業務整合的臨時計劃的日本創新網絡公司（INCJ）的角色。JIC主要專注于投資初創企業和風險投資基金，曾與私募股權公司Japan Industrial Partners聯合參與了東芝私有化的競購，但后來因收購后策略存在分歧而退出。

該公司計劃于今年12月底發起要約收購，報價為每股4350日元（折合約30.40美元），較周五收盤價溢價約35%。瑞穗銀行、日本開發銀行（DBJ）等將提供融資。

JSR首席執行官埃里克·約翰遜（Eric Johnson）是罕見的非日本出生的日本公司負責人，他稱自己的目標是在5~7年內讓JSR重新上市。

他說，隨著競爭對手的整合和研發成本的增加，JSR已經意識到重組公司的“戰略必要性”，日本材料行業需要整合和集中資源以開發新技術，JSR和JIC打算加快這一進程，并在本土推動變革，以更好地應對全球競爭對手。

約翰遜在周一晚間舉行的新聞發布會上談道：“我們人數眾多，所有人都在冗余地花錢，因此我們認為提高效率的機會是巨大的。”

JIC為什么要收購JSR

據一位資深研究JIC的人士總結，每當日本一個行業走下坡路或者競爭激烈到一定程度的時候，將由產業革新機構（JIC前身）引導將該行業部門從相關母公司剝離出來，母公司退出該行業專門成立一個由各家公司控股的專業聯合公司，專門進行該行業技術的研發生產銷售。

JSR成立于1957年，成立之初是一家由日本政府支持的合成橡膠制造商。現在該公司向全球芯片制造商供應光刻膠，在ArF光刻膠產品市場中，JSR以近30%的市場份額位列全球第一，客戶包括三星、臺積電、英特爾等。

日本公司對半導體材料近乎壟斷的地位威名在外：前段工序常用的材料有19種，其中14種都由日本企業主導。

但，這種壟斷正逐漸被打破——

面對日本的光刻膠封鎖，韓國政府牽頭大搞國產替代，一口氣投入了6萬億韓元的預算，三星也跟著投資了一批韓國本土的半導體材料企業，成功研發出了國產版本的高純度氟化氫和EUV光刻膠。

經過幾年沉淀，目前我國已有好幾家光刻膠廠商表示，已經完成了45nm及以上工藝ArF光刻膠的量產。就在前段時間，我國光刻膠大廠南大光電再次對外宣布，已經完成了28nm及以上工藝ArF光刻膠的研發。也就是說目前在光刻膠領域，我們已經實現了28nm及以上工藝中低端芯片的覆蓋。

所以JIC收購JSR更多是為了保護日本在光刻膠領域的技術優勢和市場份額，筑高圍墻，防止被其他國家特別是來勢兇猛的中韓所超越；同時也是為了加大支持日本的半導體產業發展，集中優勢兵力提供更高質量和更穩定供應的光刻膠產品。


日本半導體要力挽狂瀾？

很明顯，日本政府“國有化”JSR能夠幫助Rapidus提升競爭力。Rapidus是由豐田、NTT、Sony、鎧俠、軟銀、NEC、電裝、三菱日聯銀行等8家日企成立的半導體公司，該公司與IBM于2022年12月簽署了技術協議，合作發展2納米半導體技術。

據報道，Rapidus計劃派出100名工程師到IBM獲取2納米芯片生產所需的全環繞柵極（GAA）技術。GAA技術被認為是FinFET工藝的繼承者，該技術透過降低供電電壓級以及增加驅動電流能力以提升性能，從而突破FinFET的性能限制。

和FinFET工藝相比，GAA技術有兩大突出的優勢：其一是GAA晶體管解決了許多有關泄漏電流的挑戰，因為GAA通道采用水平架構；其二是相較于當前FinFET制程中的三個側面，GAA晶體管的四個側邊都被柵極包圍著，從而改善了晶體管的結構。

業界普遍認識，2nm工藝將必須使用GAA技術。值得注意的是，IBM在2021年就曾展示過基于GAA實現2nm工藝的技術原型，如今IBM計劃將這項技術共享給Rapidus。

基于和IBM合作的技術，Rapidus將成為先進制程的有力競爭者。不過，日本財團Rapidus負責人小池淳義表示，Rapidus計劃基于IBM 2nm工藝技術開發“Rapidus 版”制造技術，2025年開始邏輯半導體試產，2027年量產。并不會和臺積電形成競爭，而是更愿意繼續成為專注于服務器領域、汽車行業、通信網絡，量子計算和智能城市方面的利基制造商。

根據他的描述，Rapidus專注的兩大工藝分別是用于“高性能計算（HPC）”芯片和“Ultra Low Power（超低功耗）” 芯片。很明顯，這也是臺積電先進制程主要關注的領域之二，所以這種競爭關系是與生俱來的。此前，Rapidus會長東哲郎在接受采訪時就談到，在日本政府和國內設備制造商的支持下，新成立的Rapidus有能力迅速趕上臺積電、三星電子等行業巨頭。

當然，要實現這樣的工藝就離不開ASML的光刻機，這也是日本和荷蘭政府簽署備忘錄的主要目的。相關報道指出，Rapidus計劃利用經產省提供的補貼，采購EUV光刻設備。我們都知道，用于先進制程的EUV光刻機產量非常有限，因此供應也非常緊俏，而如果Rapidus和ASML展開合作，有望強化供應鏈，甚至是獲得更先進EUV的優先購買權。

此前有產業鏈人士表示，Rapidus成立僅9個月之后就已經完成了1臺EUV光刻機的籌備，不過具體的型號及進度沒有說明。小池淳義表示，通常大規模量產先進工藝需要至少1000名工程師，但他們引入了AI和自動化技術，現在有500名工程師了，用一半的資源就能完成。

他強調：“Rapidus是日本挽回空白10年的‘最后機會’。”

除了自己建廠布局先進制程，日本還大規模引進晶圓代工廠。我們此前有報道過，臺積電將在日本熊本縣建設22nm和28nm的半導體生產線，預計于2024年開始量產，用于車規和家電用芯片產品的生產。知情人士透露，臺積電日本工廠的計劃是長期的，將隨著產業的發展進行升級，也就是說未來將會升級到12nm-16nm。

另外，日本還招攬了美光。美光公司此前表示，計劃在日本政府的支持下，未來幾年在極紫外線(EUV)光刻技術領域投資高達5,000億日元(37億美元)。知情人士透露，美光準備從日本政府獲得約2000億日元(14.8億美元)的財政補貼，以幫助其在日本生產下一代DRAM存儲芯片。

綜合這些因素來看，正如上面所講的，日本希望在中國臺灣和韓國之外，在該國本土構建一個東亞芯片制造的新基地。為了實現這個目標，日本可以說是已經采取了舉國之力的模式。