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SRAM 密度僅提升 5%,消息稱臺積電 N3 工藝迎來重大挑戰

2023-05-30 來源:IT之家
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關鍵詞: 臺積電 芯片

5 月 30 日消息,根據國外科技媒體 WikiChip 報道,臺積電 N3 工藝節點的 SRAM 密度和 N5 工藝節點基本相同。



臺積電在近日舉辦的 2023 技術研討會上,展示了關于 N3 節點陣容的更多信息。研討會上的幻燈片顯示,顯示 N3 工藝雖然改進了邏輯密度(logic density),但是 SRAM 密度基本相同。


從最近幾年芯片縮微化來看,SRAM 密度明顯要慢于芯片邏輯密度,也必然對未來更先進的芯片工藝進展帶來更大的挑戰。



臺積電最初聲稱 N3B SRAM 密度比 N5 工藝高 20%,而最新信息顯示,SRAM 密度僅提升 5% 。


SRAM 是處理器晶體管等成本的大頭,在沒有密度改善的情況下,無疑會推高 N3B 的制造成本。



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