從被西門子拋棄到汽車半導體行業第一，英飛凌逆襲的訣竅是什么？
英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck、歐盟執委會主席馮德萊恩 (Ursula von der Leyen)、德國總理奧拉夫·肖爾茨 (Olaf Scholz)、薩克森邦首長克里契麥 (Michael Kretschmer) 和德累斯頓市長希伯特 (Dirk Hilbert) 等共同出席了動工儀式。
投資50億歐元，英飛凌新的12吋晶圓廠落戶德累斯頓
早在1994年英飛凌還隸屬于西門子之時就在德累斯頓建立了工廠，并于1995 年開始生產200 毫米晶圓。五年后英飛凌的全球首座300毫米晶圓廠在德累斯頓破土動工。2011年，英飛凌決定將其功率半導體的300毫米晶圓大批量生產落戶德累斯頓。2018年，英飛凌還在德累斯頓成立了汽車電子及人工智能開發中心。目前英飛凌在原有的德累斯頓晶圓廠擁有3250名員工。
據了解，英飛凌此次新建的這座12吋新晶圓廠將主要生產模擬和功率半導體，總投資金額為 50 億歐元，將是英飛凌史上最大的單一投資案。
新工廠將作為“一個虛擬工廠”（One Virtual Fab）與英飛凌Villach工廠緊密相連。這一電力電子制造綜合體基于高效的300毫米技術，將提高效率水平，為英飛凌提供額外的靈活性，以便更快地為客戶供貨。同時，該工廠將配備最新的環保技術，將是同類工廠中最環保的制造設施之一。
英飛凌CEO Jochen Hanebeck表示：“鑒于對可再生能源、數據中心和電動汽車的高需求，全球半導體需求將強勁持續增長。我們正在顯著提高我們的生產能力，并將生產模擬、混合信號和功率半導體。我們的新工廠將在本十年的后半段滿足客戶的需求。我們正在共同推動減碳和數字化?！薄皯{借這一突破性進展，英飛凌將為我們社會的綠色和數字化轉型做出了重要貢獻。”
目前正在進行新工廠建設的前期準備措施，工廠的基礎設施建造計劃于2023年秋季開始，預計將于2026年秋季正式量產。屆時將會創造1000個新的工作崗位。
助力歐洲半導體制造份額提升至20%
馮德萊恩表示，過去幾十年來，世界各個區域過于專注于各自的優勢，半導體生產集中在中國臺灣和韓國，歐洲在全球半導體制造能力中的份額一直在穩步下降，目前僅有10%。歐洲忽視半導體生產的時間太長了，“我們看到過去幾年緊張局勢加劇”，為了減輕供應鏈中斷，“我們需要在歐洲增加產量?！薄稓W洲芯片法案》旨在扭轉這一趨勢，英飛凌的新工廠將有助于歐盟實現到2030年在歐盟范圍內實現全球半導體產量20%份額的目標?！半S著對微芯片的需求將繼續快速增長，我們在歐洲需要更多這樣的項目。”
根據即將正式生效的《歐洲芯片法》，歐盟委員會和成員國將在未來幾年內籌集430億歐元，將歐洲芯片產量在全球的份額提升至20%，以在數字領域創建一個更強大、更有韌性的歐洲。
英飛凌：脫胎于西門子
20世紀70年代，美國正處于油價高漲與石油緊缺的供需矛盾之下，對社會、經濟發展都造成了許多影響，這背后是巨大的油耗量。而造成油耗量巨大的原因是當時汽車、工業產品的電機效率低下。
如果把電比作是血液，那么電機/電控就好比是電動汽車的心臟。而功率半導體就是其中電能轉換和控制的核心，主要用于改變電壓和頻率。
其實當時用于控制電機轉速的MOSFET（氧化物半導體場效應晶體管）已經是比較好的功率器件了，它能夠以可變頻率向電機組輸出功率；但是由于MOSFET只能應用于低壓場景中，并不足以滿足高電壓下對輸出電壓的準確調節。
1980年，美國通用電氣的工程師Jayant Baliga發明了一種兼具MOSFET管和雙極型晶體管（BJT）優點的復合型元器件——IGBT（絕緣柵雙極晶體管），能夠更好地控制感應電機的電源線頻率，進而控制其轉速使得功率降低，以減少油耗損失。
事實上IGBT的結構與MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+層，“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優點的同時，增加了載流能力和抗壓能力。
現在IGBT也被稱為是電力電子行業里的“CPU”，在照明、工業、消費、交通、醫療、可再生能源、電力傳輸等眾多領域中獲得了廣泛的應用。
IGBT既可以幫助空調、洗衣機實現較小的導通損耗和開關損耗，實現節能減排；又可以應用在急救除顫器上，使其從200V電源輸出100KW的雙向震動；還可以應用于太陽能、風能發電的逆變器里，將蓄電池的直流電逆變成交流電。
不過，盡管通用公司最先做出這個被譽為掌控電力世界的鑰匙——IGBT，但是由于通用公司內部投資形勢不太樂觀，再加上Baliga發明了IGBT之后，西門子、三菱、富士等廠商立刻對這種器件產生了濃厚的興趣，開始著力研發，與通用形成了激烈的競爭。
最終在1988年通用公司決定賣掉整個半導體業務，同時也放棄了這把“鑰匙”。眼見通用退出比賽，德國西門子與日本三菱、富士一涌而上，瓜分剩余的市場份額。
20世紀末期全球IGBT芯片產業角逐激烈，德國和日本可以說是IGBT角斗場上最為重磅的兩位玩家，而當時的中國仿佛被這一場競爭隔絕在外。
1996年西門子半導體事業部來無錫設立封測廠，1999年西門子將半導體部門拋售，后改名為英飛凌，西門子無錫封測廠也隨之更名為英飛凌科技（無錫）有限公司。短短四年時間，英飛凌的第六代IGBT承受工作電壓水平從之前的4500V提高到6500V，全球市占率超過一半，占據絕對領先地位。
兼并整合成為發展利器
2009-2018年是英飛凌高速發展的十年，公司調整了企業戰略，賣掉了市場競爭激烈、利潤率相對低的產品線，轉而聚焦科技含量高、有競爭優勢的核心業務，重點瞄準未來的自動駕駛汽車/電動汽車，能源環保，安全類等芯片業務。這10年里，英飛凌營業額年均增長11%。即使在工業增長明顯放緩，全球車企紛紛虧損的2019年，英飛凌依然實現了5%的增長。
最近幾年，半導體行業巨頭不斷加快并購收購的整合頻率，以增加彼此各自的壁壘和競爭力。作為最近這次大規模并購的主角，英飛凌這幾年也在不斷地大魚吃小魚。2016年8月上任的英飛凌科技CEO萊因哈德·普洛斯（Reinhard Ploss）一直試圖成為一名行業整合者。
2015年1月，英飛凌完成對美國國際整流器公司 (International Rectifier) 的收購。該并購為英飛凌增加了更多電源管理系統技術，進一步加強了其在功率半導體方面的優勢，并整合了第三代化合物半導體（即氮化鎵）領域的先進技術。
2016年10月，英飛凌科技收購了荷蘭MEMS 設計公司Innoluce ，用于補充其為蓬勃發展的自動駕駛技術傳感器市場的領先優勢。Innoluce由飛利浦分拆而來，主要銷售基于諧振MEMS反射鏡和相關信號處理集成電路的固態激光掃描模塊。
2017年英飛凌科技曾經試圖收購美國Cree公司的半導體部門，但是Cree最后表示無法滿足美國國家安全委員會的要求，此項并購也隨之流產。
2018年2月，英飛凌科技還收購了Merus Audio公司，進一步鞏固英飛凌科技在人機交互（HMI）領域的技術專長。
據IC Insights分析，越來越多的合并和收購將導致主要芯片制造商和供應商越來越少，這是供應鏈的一個主要變化，說明行業已經走向成熟和日趨專業化。
汽車半導體行業第一
2020年，公司斥資90億歐元收購競爭對手美國賽普拉斯，成為汽車半導體行業第一，力壓恩智浦、瑞薩、TI德州儀器、意法半導體等，并躋身全球十大半導體制造商之列。大眾、福特、通用、特斯拉、比亞迪、現代等都用過英飛凌的產品，全球最暢銷的20款純電動和混合動力車型，有15款使用其器件。
受益于過去幾年的“缺芯”風暴，英飛凌迅猛發展。2022財年實現營收142.18億歐元（約合人民幣1042億元），凈利潤33.78億歐元，同比分別增長29%和63%；利潤率達到23.8%（上年為18.7%）。2023財年第一財季（截至2022年12月31日）營收39.51億歐元，同比增長25%，全年預計將達到155億歐元。
為滿足不斷增長的需求，英飛凌積極擴大產能，2021年位于奧地利菲拉赫的新晶圓廠投入使用。還計劃投資50億歐元，在德國東部城市德累斯頓新建一座12英寸晶圓廠，預計2026年投產，這也是該公司歷史上最大的單筆投資。
早在上世紀90年代中期，英飛凌就進入中國市場，投資3億美元在江蘇無錫建立第一家工廠，主要產品為分立器件和智能卡芯片。2018年正式成立大中華區，總部設在上海張江人工智能島，形成了以北京、上海、深圳和香港為核心的緊密的銷售網絡。如今，中國已經成為英飛凌最大單一營收來源區域，過去十年間收入比重從15%左右提升到40%。
英飛凌對車用半導體市場非?？粗兀壳凹s有60%的營業收入來自功率半導體，而汽車電子事業部是英飛凌的重中之重。
除了為汽車電子提供端到端解決方案，英飛凌還通過建立汽車電子生態圈，讓自己成為行業的巨頭。自2010年成立以來，英飛凌科技汽車電子生態圈始終致力于推動本土設計產業化，幫助很多車企成功將產品推向市場。
