外媒報道指華人研發(fā)團隊已突破芯片的極限，晶體管厚度只有三個原子那么大，達到0.3納米，打破了此前芯片業(yè)界認為的1納米是硅基芯片技術(shù)極限的概念，然而這項技術(shù)卻是歸美國所有。

這次取得技術(shù)突破的研發(fā)團隊是麻省理工研究所，然而領(lǐng)導該團隊的卻是華人，而參與研發(fā)的技術(shù)人員也有較大比例是華人，這項技術(shù)不僅解決了硅基芯片的性能提升難題，還大幅降低了功耗，延長了硅基芯片的壽命。

麻省理工的研究團隊基于二硫化鉬（MoS2）開發(fā)出原子級的晶體管，由于晶體管足夠小，還避免了擊穿效應，可以有效解決晶體管縮小到一定程度而無法控制功耗的問題，據(jù)估計用這種晶體管技術(shù)開發(fā)出的芯片將只有當前芯片功耗的千分之一。

臺積電等芯片代工企業(yè)就是通過持續(xù)縮小晶體管的方式開發(fā)出先進的芯片制造工藝，然而隨著芯片制造工藝發(fā)展到5納米，過小的晶體管導致?lián)舸┬絹碓絿乐兀_積電為了降低3納米工藝的開發(fā)難度延續(xù)了FinFET技術(shù)，但是卻導致芯片性能提升幅度較為有限，而成本提升太快，這是臺積電去年的3納米工藝不獲蘋果認可的原因，無奈之下臺積電只能繼續(xù)改良3納米，預計今年改良后的3納米工藝N3E將獲得蘋果的訂單。

三星則開創(chuàng)性的引入GAA環(huán)繞柵極技術(shù)，它推出的3納米工藝性能表現(xiàn)比臺積電更好，而功耗也更優(yōu)秀，然而由于三星過于激進，導致3納米工藝良率過低，至今三星都沒有公布它的3納米工藝客戶到底是誰，這讓人懷疑三星的3納米工藝并未有任何芯片企業(yè)認可。

3納米工藝都已面臨如此難題，臺積電和三星所宣稱的2納米工藝能否如期推進就讓人懷疑了，麻省理工研發(fā)的晶體管技術(shù)或?qū)⒃俅未蜷_硅基芯片前進方向，從而延續(xù)當前硅基芯片技術(shù)壽命。

麻省理工的華人團隊取得了芯片技術(shù)的突破，證明了華人在芯片技術(shù)研發(fā)方面的天賦，據(jù)估計美國硅谷從事技術(shù)研發(fā)的華人可能超過數(shù)萬人，他們?yōu)槊绹萍嫉陌l(fā)展做出了重要貢獻，凸顯出華人對美國科技產(chǎn)業(yè)的重要性。

其實這已不是華人為芯片技術(shù)的發(fā)展做出重要貢獻，在干式光刻機向浸潤式光刻機轉(zhuǎn)變的時候，就是臺積電的技術(shù)負責人林本堅研發(fā)出來的，然后將該項技術(shù)交給了ASML，由此ASML從一家茍延殘喘的光刻機企業(yè)一躍而成為全球最大的光刻機企業(yè)，而曾經(jīng)霸占全球光刻機市場近八成市場份額的日本光刻機迅速衰敗。

引領(lǐng)全球芯片制造工藝從20納米到5納米發(fā)展的FinFET技術(shù)由華人胡正明教授發(fā)明，隨后推進該項技術(shù)發(fā)展的則是胡正明教授的幾個徒弟如梁孟松等人，他們幫助臺積電推進先進工藝的研發(fā)，最終擊敗了美國芯片龍頭Intel，奠定了芯片制造領(lǐng)導者的地位。

這些芯片技術(shù)逐漸達到瓶頸的時候，如今為芯片技術(shù)打開局面的麻省理工研發(fā)團隊又是華人引領(lǐng)，這都說明了華人在科技領(lǐng)域的天賦，可惜的是這次的技術(shù)成果歸美國所有，這將幫助美國再次獲得芯片技術(shù)領(lǐng)導者地位。

美國再次在芯片技術(shù)方面突破，對于中國芯片行業(yè)來說無疑是相當大的打擊，這意味著中國芯片在芯片技術(shù)研發(fā)方面與美國的差距又一次拉大了，外媒因此認為中國芯片在技術(shù)較量中又一次失敗了，然而這個說法可能言之尚早。

中國芯片在硅基芯片方面固然仍然在追趕美國，但是中國芯片行業(yè)卻努力在新芯片技術(shù)方面彎道超車，中國已籌建全球第一條光子芯片和量子芯片生產(chǎn)線，如果光子芯片、量子芯片實現(xiàn)商用，那么現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)將被徹底顛覆，這意味著中國芯片仍然有機會實現(xiàn)趕超，只是需要加快這些新芯片技術(shù)的商用進程了。