受存儲(chǔ)芯片需求持續(xù)萎縮影響，三星電子4月7日公布的公布的未經(jīng)審計(jì)的第一季度初步業(yè)績(jī)報(bào)告顯示，其今年一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比暴跌95%至6000億韓元（約4.555億美元），創(chuàng)下2009年金融危機(jī)以來(lái)最低記錄。為了挽回業(yè)績(jī)頹勢(shì)，三星也被迫宣布對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行減產(chǎn)，這也是自1998年金融危機(jī)以來(lái)，首次正式進(jìn)行減產(chǎn)。但是，三星并未公布具體的減產(chǎn)規(guī)模。

近日，三星公布了正式的一季度財(cái)報(bào)，顯示其三星電子第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6402億韓元，較上年同期的14.12萬(wàn)億韓元下降95%。營(yíng)收下降 18%，至63.74萬(wàn)億韓元。凈利潤(rùn)為1.57萬(wàn)億韓元，同比下降86.1%。

其中，三星電子在第一季度的芯片業(yè)務(wù)虧損額高達(dá)4.58萬(wàn)億韓元（約合人民幣236億元），這也是三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)14年來(lái)的首次虧損。

這足以顯示存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)持續(xù)下滑對(duì)于三星整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的負(fù)面影響，這也是迫使三星不得不宣布減產(chǎn)的關(guān)鍵。


三星等大廠減產(chǎn)

此前，韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》 引用市場(chǎng)人士的說(shuō)法指出，三星的DRAM減產(chǎn)計(jì)劃將聚焦在 DDR4 的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，具體將會(huì)對(duì)韓國(guó)華城園區(qū)內(nèi)的DRAM產(chǎn)線進(jìn)行減產(chǎn)，預(yù)計(jì)將減產(chǎn)3至6個(gè)月的時(shí)間，與2022年2月和3月的產(chǎn)能水平相比，三星的晶圓總投入量將減少5-7%。

另?yè)?jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道稱，今年二季度，三星將大砍西安廠產(chǎn)能，其中西安一廠（Xian Plant 1）月產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)下修至110,000片，較去年四季度的125,000片減少12%；西安二廠（Xian Plant 2）月產(chǎn)能則預(yù)料會(huì)從145,000片減產(chǎn)7%至135,000片。目前西安廠占據(jù)三星NAND Flash總產(chǎn)量的40%，主要生產(chǎn)128-layer（V6）NAND Flash。

不過，以上的減產(chǎn)計(jì)劃并未得到三星官方的承認(rèn)。

據(jù)《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》（The Korea Herald）報(bào)導(dǎo)，三星在上周四的一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上再度表示，將開始削減存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量，但仍未具體說(shuō)明減產(chǎn)規(guī)模。

但據(jù)韓國(guó)分析師預(yù)計(jì)，三星預(yù)計(jì)最多將削減高達(dá)25%芯片產(chǎn)量以緩解庫(kù)存問題，這相比之前外界曝光的減產(chǎn)幅度大幅提高。

據(jù)Daishin Securities 分析師 Wi Min-bok最新預(yù)測(cè)，與去年同期相比，三星今年上半年減產(chǎn)幅度可能介于20～25%之間。

KB Securities 估計(jì)，三星4～6月期間NAND Flash產(chǎn)量將比同期下降15%，DRAM產(chǎn)量將從第三季度開始下降20%以上。

三星證券分析師 Hwang Min-seong 預(yù)測(cè)，若減產(chǎn)未能降低客戶庫(kù)存量，之后可能會(huì)持續(xù)更多減產(chǎn)行動(dòng)。

雖然三星預(yù)計(jì)今年下半年客戶芯片庫(kù)存用盡，屆時(shí)將重新開始采購(gòu)芯片，但目前全球芯片市場(chǎng)仍未出現(xiàn)全面復(fù)蘇跡象。

值得注意的是，去年下半年，鎧俠、美光等存儲(chǔ)芯片大廠已經(jīng)相繼宣布了減產(chǎn)計(jì)劃，SK海力士似乎也在進(jìn)行減產(chǎn)，并將今年的資本支出削減了50%。


行業(yè)需求有望下半年回暖

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華對(duì)外表示，預(yù)計(jì)2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%。

進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機(jī)會(huì)緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。

經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后，存儲(chǔ)廠商在最新財(cái)報(bào)中普遍對(duì)2023年存儲(chǔ)市場(chǎng)抱有相對(duì)樂觀的展望。

雖然預(yù)計(jì)宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性將持續(xù)存在，但三星預(yù)計(jì)需求將在下半年開始復(fù)蘇，主要集中在HPC和汽車行業(yè)。

SK海力士表示，雖然今年上半年的低迷市況在持續(xù)深化，但從全年整體來(lái)看，預(yù)計(jì)市況會(huì)越到下半年就越好。此外，SK海力士預(yù)測(cè)，IT企業(yè)將增加與產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)相比價(jià)格大幅下降的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的使用量，市場(chǎng)需求也將逐漸回升。

美光預(yù)計(jì)未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)存儲(chǔ)器需求趨勢(shì)將逐步好轉(zhuǎn)，因?yàn)榭蛻魩?kù)存水平將改善，新的CPU平臺(tái)推出，中國(guó)的需求隨著經(jīng)濟(jì)的重新開放而開始增長(zhǎng)。

三大巨頭正推動(dòng)DDR5內(nèi)存普及

美光、SK海力士雖削減支出以應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體“寒冬”，但依然在積極布局DDR5。美光以1α nm工藝打造的DDR5存儲(chǔ)器進(jìn)入客戶驗(yàn)證，將應(yīng)用在AMD EPYC 9004系列存儲(chǔ)器上；SK海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)8Gbps的服務(wù)器DDR5內(nèi)存模組，傳輸速度較之前的產(chǎn)品提高了80%。

東方證券指出，目前存儲(chǔ)價(jià)格接近底部，預(yù)計(jì)需求將環(huán)比改善。其中，DDR5替換周期已開啟。目前每臺(tái)DDR5服務(wù)器平均配備10多個(gè)內(nèi)存條，每臺(tái)PC配備1-2個(gè)內(nèi)存條，PC和服務(wù)器的替換將帶動(dòng)內(nèi)存接口芯片和相關(guān)存儲(chǔ)模塊量?jī)r(jià)齊升。

根據(jù)國(guó)外科技媒體 SamNews24 報(bào)道，行業(yè)專家認(rèn)為三星電子、SK 海力士和美光三家公司正大力推動(dòng) DDR5 內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑的趨勢(shì)。

DDR5 DRAM 是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）推出的最新 DRAM 規(guī)范，其性能比 DDR4 DRAM 高了一倍。

DDR4 DRAM 當(dāng)前占據(jù)了內(nèi)存市場(chǎng)的大部分份額。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為通過提高 DDR5 內(nèi)存的產(chǎn)量，普及 DDR5 內(nèi)存，可以刺激 DDR5 DRAM 的替換需求。

在此附上市場(chǎng)研究公司 OMDIA 此前公布的數(shù)據(jù)，今年 DDR5 DRAM 將占 DRAM 市場(chǎng)的 12%，高于 2022 年的 3%。預(yù)計(jì)到 2024 年將增長(zhǎng)到 27%，超過 DDR4（23%）。