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國產光刻機不突破,我們EDA、設計、封測達到3nm,都是假的

2023-03-21 來源:只談數碼科技
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關鍵詞: 芯片 集成電路 中芯國際

最近,國產芯片產業鏈又傳出好消息了,那就是有一家國產EDA企業表示,目前公司的EDA產品,已經支持3nm節點了,這確實算是一個大突破了。

再結合之前國產芯片產業鏈的消息,有網友表示,目前我們的EDA工具已經達到3nm了,還有設計、封測芯片的能力,也都達到3nm了,卡脖子的環節一個一個被攻克,擺脫對外依賴可期。

更有夸張一點的人激動的稱,我們馬上就要實現全產業鏈3nm了,再也不怕卡脖子了,只差一步,這一步就是制造了。

說真的,這幾年國產芯片產業鏈的好消息確實不斷,各種EDA、封測、設計等等不斷突破,還有自研指令集、GPU等等也是不斷突破。

但是,我們要認清一個現實,那就是目前國內眾多的突破,如果缺少了國產光刻機的突破,那就是假的,是空中樓閣。

為什么這樣說?原因在于芯片能力,最遵循短板理論的,其實際的水平取決于最落后的那一塊。

這個怎么理解呢?比如芯片的設計、制造、封測這三個環節中,我們的真正能力決于當前最落后的制造能力,目前我們的制造能力是14nm。

而芯片制造過程,需要幾十上百種設備,幾十上百種材料,而這個真實能力,又取決于這些設備、材料中,最落后的那一環。

目前光刻機應該是我們最落后的那一環了,國產光刻機的分辨率還在90nm,是一臺干式DUV光刻機,理論上來講,能支持的最高工藝應該是65nm左右。也就是說,65nm才是我們真正的芯片能力。

所以就算我們有3nm的EDA、有3nm的芯片設計能力,能封測3nm的芯片,甚至更先進的一點,這些全部達到了1nm工藝,又能如何呢?

只要國產光刻機沒有突破,我們的真實能力就是在65nm,那么只要美國愿意,只要針對光刻機一卡,就卡死在65nm了。

所以,沒有光刻機的突破,其它的突破,都是假的,因為任何芯片,在設計出來后,最后都要制造,而制造就需要光刻機,沒有例外。

當然,話又說回來,有任何突破都是好的,不管是EDA,還是設計,或者是封測,只是我想讓大家清楚一個事實,那就是先別自嗨,扎實把基礎打牢才是正道。特別是光刻機,必須突破,否則會嚴重拖后腿。



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